227 (39)

tA

/

Jednym z obszarów elektroniki, gdzie światło znalazło trwałe zastosowanie jest korekcja rezystancji rezystorów. Współczesny technologie nanoszenia cienkich warstw

>t p

•ezys

umożliwiaj wytwarzanie rezystorów o rezystancjach różniących się od wartości nominalnej o kilka do kilkudziesięciu procent. W większości układów elektronicznych dokładności takie są dalece nie wystarczające. Niejednokrotnie są wymagane dokładności w zakresie (ł-0=2f-4-Qt3 %, a nawet większe. Pojawiła się więc potrzeba dokonywania korekcji wartości rezystancji w celu uzyskania założonych parametrów. Szybki postęp w technologii wytwarzania układów o coraz większej skali integracji i wzrastające wymagania w stosunku do dokładności ich wykonania zmusiły producentów do opracowania jeszcze precyzyjniejszych i bardziej wydajnych metod korekcji niż dotychczas stosowane. Jedną z takich, już niekwestionowanych metod, jest korekcja za pomocą promieniowania laserowego. Metoda laserowa sprowadza się do usunięcia cienkiej warstwy rezystora przez jej odparowanie i tym samym utworzenie ścieżki (nacięcia) pod działaniem wiązki promieniowania laserowego. Geometryczne parametry wykonywanej ścieżki, takie jak długość i szerokość, zależą od wartości rezystancji, o jaką należy zmienić rezystancję korygowanego elementu, aby doprowadzić ją do wartości nominalnej. Ta metoda korekcji jest często nazywana trymowaniem rezystorów i nie jest to jedyny sposób na zmianę rezystancji wykorzystujący promieniowanie laserowe. Rezystancje rezystorów można także zmieniać podgrzewając warstwę rezystora w miejscu oddziaływania promieniowania laserowego do temperatury, przy której zachodzi rekrystalizacja tej warstwy. Sposób ten, efektywny w szczególności przy korekcji rezystorów metalicznych, nie znalazł jednak szerszego zastosowania. Jak dotychczas, najlepsze wyniki uzyskano przy laserowej korekcji rezystorów cienko- i grubowarstwowych w scalonych układach hybrydowych, filtrach kwarcowych, jak również przy usuwaniu warstw metalicznych naniesionych na podkładki. Metoda ta jest stosowana niekiedy także do korekcji rezystancji rezystorów cylindrycznych.

Wymiary i kształt ścieżek korekcyjnych są zwykle programowane i kontrolowane za pomocą komputera. W procesach korekcji rezystancji rezystorów stosujfsię zasadni

czo dwa kształty ścieżek (rys±JL5AX jeden w postaci linii prostej i drugi w kształcie litery L. Liniowy kształt nacięcia nie zapewnia dużej dokładności korekcji, w odróżnieniu od nacięcia w kształcie litery L. Na n^sunku 8.55 przedstawiono zasadę nacinania ścieżek w kształcie litery L zapewniającą otrzymanie zadanych docelowych parametrów rezystora (oporności R). Osiągnięcie wartości oporności R rezystora odbywa się przez nacięcie najpierw ścieżki A (w poprzek rezystora), a następnie ścieżki B (wzdłuż rezystora). Nacięcie A jak wynika z rysunku 8.55 prowadzi do szybkiej zmiany rezystancji przypadającej na jednostkę długości od wartości R₀ do R| (korekcja zgrubna). Ta szybka zmiana rezystancji jest charakterystyczną cechą ścieżki tworzonej w poprzek rezystora. Korekcję dokładną uzyskuje się wykonując ścieżkę wzdłuż rezystora (nacięcie B). Jej cechą charakterystyczną jest niewielka zmiana rezystancji przypadająca na jednostkę długości ścieżki. Szybkość tej zmiany charakteryzuje stopień nachylenia krzywej przedstawionej na rysunku 8.55, osiągającej punkt R odpowiadający założonej końcowej wartości rezystancji rezystora z dużo większą dokładnością niż w przypadku ścieżki A.

227