230 (44)

Interesującą zaletą metody laserowej jest możliwość prowadzenia korekcji rezystorów znajdujących się bezpośrednio w układach elektronicznych. Ta cecha promieniowania laserowego umożliwia dokładną regulację oraz dostrojenie już skompletowanych układów elektronicznych, a w szczególności takich, które są czułe na niewielkie zmiany rezystancji rezystorów wchodzących w ich skład. Możliwość selektywnego, cieplnego oddziaływania promieniowania laserowego na mikroskopijne obszary materiału umożliwia więc korekcję rezystancji oddzielnych rezystorów, nawet w bardzo skomplikowanych obwodach elektronicznych o dużej skali integracji bez obawy destrukcji elementów sąsiednich. Obok tworzenia ścieżek w przedstawiony wyżej sposób, zmianę rezystancji można również wprowadzić przez drążenie w materiale rezystora niewielkich otworów.

Istnieje jeszcze wiele zastosowań promieniowania laserowego w technologii elektronowej, włączonych już praktycznie do procesów produkcyjnych lub znajdujących się jeszcze na etapie badań laboratoryjnych. Za pomocą wiązki laserowej wykonuje się np. korekcje częstotliwościowego pasma przenoszenia monolitycznych filtrów kwarcowych z dokładnością 1% lub korekcję rezystancji rezystorów bezpośrednio w scalonych układach hybrydowych, co umożliwia wielokrotne zmniejszenie wymiarów takich układów.

Lasery wykorzystano także do nanoszenia niezwykle cienkich warstw na różnego rodzaju podłoża (np. A1₂0₃ na krzem typu n i typu p) i hodowli monokryształów o dobrej jakości. Laser służy również do usuwania zbędnej izolacji z przewodów elektrycznych bez uszkodzeń przewodnika lub metalowego ekranu oraz przyczynia się do zwiększenia efektywności produkcji obwodów montowanych powierzchniowo metodą lutowania rozpływowego. Dzięki zastosowaniu lasera do nacinania płytek półprzewodnikowych i ceramicznych zwiększono znacznie efektywność produkcji niektórych podzespołów elektronicznych. Operacja ta sprowadza się do utworzenia w materiale, za pomocą zogniskowanej wiązki laserowej, rowka (lub ciągu otworków), wzdłuż którego materiał ulega łatwiejszemu podziałowi. Metoda laserowego nacinania jest stosowana z powodzeniem do podziału płytek wykonanych np. z krzemu, arsenku galu, a także płytek ceramicznych (np. do pamięci komputerowej) i szklanych na oddzielne fragmenty.

W porównaniu do metody noża diamentowego, nacinanie laserowe ma wiele zalet, takich jak bezdotykowość procesu, krótki czas oddziaływania promieniowania z półprzewodnikiem i niewielki obszar tego oddziaływania, a w związku z tym małe naprężenia własne wprowadzone w nacinanym materiale. Łatwiejszemu podziałowi materiału sprzyja ostra krawędź nacięcia, co wraz z możliwością prowadzenia nacinania laserowego ze stosunkowo dużymi prędkościami (1+25 cm/s) umożliwia wielokrotne podwyższenie wydajności operacji oraz znaczne zmniejszenie odpadów płytek uszkodzonych podczas łamania. Laser Nd:YAG o mocy szczytowej impulsów 10 kW może wykonywać nacięcia o szerokości 15 pm i głębokości 100 pm z prędkością 20 cm/s. Osiągane wydajności cięcia przekraczają sto płytek dziesięciocentymetrowych na godzinę. Stwierdzono, że najwyższą efektywność nacinania laserowego uzyskuje się, jeśli głębokość nacięcia wynosi od 25 do 30% grubości płytki. W nacinarkach laserowych przeznaczonych do nacinania półprzewodników zwykle są stosowane lasery Nd:YAG o działaniu impulsowym, natomiast do płytek z ceramiki (np. berylowej lub alundowej) obok laserów Nd:YAG także lasery C0₂.

230