233 (54)

- 233

Diody mikrofalowe.

o częstotliwości większej niż 300 MHz. W praktyce inżynierskiej często przyjmuje się za dolną granicę mikrofal częstotliwość 1 GHz. Za górną granicę mikrofal zwykle przyjmuje się początek zakresu promieniowania podczerwonego, tj. ok. 700 GHz, co odpowiada długości fali 430 [im.

Zakres mikrofalowy można podzielić w systemie dekadowym na następujące pasma:

—    pasmo decymetrowa, inaczej U.w.cz. — ultra wielkie częstotliwości (0,1 < <A < 1 m, 0,3 </< 3 GHz);

—    pasmo centymetrowe, inaczej S.w.cz. — super wuelkie częstotliwości (1 < A <

<    10 cm, 3 </< 30 GHz);

—    pasmo milimetrowe, inaczej Skr rw.cz. — skrajnie wielkie częstotliwości (1 ^

<    A < 10 mm, 30 < / < 300 GHz);

—    pasmo submilimetrowc (A < 1 mm, / > 300 GHz).

W technice radiolokacyjnej stosuje się powszechnie kod literowy do oznaczenia węższych pasm:

P    (0,225...0,390 GHz)

L (0,390... 1,55 GHz)

S    (1,55...5,26 GHz)

G    (3,95...5,85 GHz)

C    (5,85...8,2 GHz) ^

X    (5,2... 10,9 GHz)    pasma pomocnicze

J (10,9. 17,25 GHz)

K    (10,9...36 GHz)

Q    (36...46 GHz)

V    (46...56 GHz)

Diody mikrofalowe to bardzo obszerne zagadnienie, któremu poświęcono wiele monografii⁰. Najogólniej diody mikrofalowe można podzielić pod w^rzględem ich właściwości funkcjonalnych na cztery grupy:

—    zmienne rezystancje (w-arystoiy),

—    zmienne reaktancje (w'araktory),

—    sterowane impedancje,

—    ujemne rezystancje.

Warystory (ang. VARiable resiSTOR) są to elementy o nieliniowej charakterystyce prą-dowo-napięciowcj, czyli każda dioda jest W'arystorem. Warystory mikrofalowa muszą odznaczać się dużą szybkością działania, dlatego stosuje się następujące rodzaje diod:

—    ostrzowa;

—    Schottky’ego:

—    zwrotne (inaczej nazywane wstecznymi).

Warystory są stosowane głównie w układach detekcji i micszaczach, dlatego takie diody nazywa się często detekcyjnymi i mieszającymi.

Waraktory rozpatrywaliśmy oddzielnie jako rodzaj diod pojemnościowych.

.Sterowane impedancje są to diody p-i-n (półprzewodnik typu p-samoistny-typu n), stosowane w mikrofalowych przełącznikach, bezpiecznikach, modulatorach i dzielnikach.

¹¹ Między innymi w języku polskim: J. Klamka: Diody mikrofalowe półprzewodnikowe. WNT, Warszawa 1973; H. V. Shurmar: Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe. MON, Warszawa 1974.