245 (46)

- 245

Konstrukcja i technologia tranzystora bipolarnego

*)

a) c

Kolektor		P	Kolektor
Baza		1 ^	Baza	m «-d)
Emiter	<	P )	Emiter

Rys. 5.6

Dwio struktury tranzystora bipolarnogo i ich symbole elektryczno: a) tranzystor n-p-n; b) tranzystor p-n-p

Konstrukcja i technologia tranzystora bipolarnego    5.2

W ciągu bez mała 30 lat rozwoju technologii półprzewodnikowej pojawiło się kilkadziesiąt różnych rozwiązań konstrukcyjno-technologicznych tranzystorów bipolarnych. A oto w porządku chronologicznym najważniejsze z nich:

—    tranzystor ostrzowy,

—    tranzystor wyciągany,

—    tranzystor stopowy,

—    tranzystor mesa (stopowo-dyfuzyjny),

—    tranzystor planarny,

—    tranzystor epitaksjalno-planarny (epiplanamy).

Współcześnie wytwarzane tranzystory mają przeważnie strukturę cpiplanarną, dlatego omówimy przede wszystkim ten rodzaj konstrukcji. Inne konstrukcje tranzystora mają w zasadzie znaczenie historyczne, a ich opis można znaleźć w wielu wcześniej wydanych podręcznikach. Z dwu powodów warto jednak zwrócić uwagę natranzystor stopowy¹.

Po pierwsze, ten rodzaj tranzystorów jest jeszcze wytwarzany w niewielkich ilościach z uwagi na jego przydatność w pewnych rodzajach układów' (zalety tego tranzystora to: duże wartości napięcia przebicia złącza baza-emiter oraz możliwość realizacji układu klucza symetrycznego).

Po drugie, cała teoria działania tranzystora bipolarnego, opracowana, w latach pięćdziesiątych, dotyczyła tranzystora stopowego, który charakteryzuje się równomiernym rozkładem koncentracji domieszek w bazie. Tranzystory planarne i epiplanarne (wytwarzane metodą dwukrotnej dyfuzji) mają nierównomierny rozkład koncentracji domieszek w bazie, co istotnie wpływa na działanie i właściwości tych tranzystorów. W związku z tym przyjęto podział tranzystorów bipolarnych na:

—    tranzystory z jednorodną bazą (nazywane niekiedy bezdryftowymi lub dyfuzyjnymi);

—    tranzystory z niejednorodną bazą (nazywane również dryftowynii).

Ponieważ w okr esie, gdy pojawiły się pierwsze tranzystory z niejednorodną bazą, była już ugruntowana teoria tranzystora z jednorodną bazą, właściwości tych pierwszych opisywano modyfikując istniejącą teorię. Taka chronologia zdarzeń zaciążyła na układzie treści wielu podręczników', w których najpierw szczegółowo i wyczerpująco jest rozważany tranzystor z jednorodną bazą, po czym mniej wyczerpu-