349 (23)

- 349

Technologia i konstrukcja tranzystoróio bipolarnych

grzebieniowa (rys. 5.77a) oraz „overlay” (rys. 5.77b). Najlepsze rezultaty zapewnia struktura ,,overlay”, której nazwa pochodzi stąd, że obszary baz typu p są połączone równolegle przez warstwy p⁺, a nad nimi (na powierzchni Si0₂) jest naniesiona warstwa metalizacji, łącząca poszczególne emitery (jest ich zwykle ponad 100)°.

Przedstawione konstrukcje zapewniają równomierny rozkład gęstości prądu emitera i małe wartości rezystancji r_by. Ten drugi czynnik jest o tyle istotny, że wpływa na maksymalną częstotliwość generacji f_max, a w tranzystorach mocy dla zakresu b.w.cz. miarodajna jest raczej wartość f_max, a nie f_T, gdyż tranzystor może być użytecznym wzmacniaczem mocy w zakresie / > f_T (por. wzory: (5.203) na wzmocnienie mocy i (5.202) na częstotliwość f_max).

Wykaz ważniejszych wzorów    Tablica 5.6

Współczynniki wzmocnienia prądowego

Ic — Icbo

'■»= -7--i

Je

Ic~IcBO Ib-T IcBO

Ps

=-—;

I+Pn

<x_N — a, oo,

P =

Mc

Al E

Ale

~AI₀

p

i+p

przy czym:

Prądy zerowe

Napięcia przebicia

Pojemności złączowe

K =

InE    i

l_E ~ 1+K +L D„N_abWb l-o-i

r»_nN_DEw_E

1 NabWbWu 1	-e-i l	Veb\
2 ntl)„x	exp ( V \	2(fT )
Ic x,	i l*”]^1	T)-^1+e-i
^a b — — ~ InE Tr + Tft	\ L )	V^2
IcEO —	MIcbo
	1 —olkM
UcEOmax ~	UcBOma.K irfn

,    ,    / U_Be \ ~ⁿE

Cj_e — Cj_e o | 1

** Tranzystor o strukturzo ,,ovorlay” nie ma dotychczas polskiej nazwy. Nazwa tranzystor wielocmitorowy (używana w literaturze radziockioj) została już nadana innej strukturze stosowanej w układach scalonych TTL. Najbliższa angielskiej byłaby nazwa „tranzystor wiaduktowy”, która kojarzy się z najistotniejszą cechą tej konstrukcji, czyli „bezkolizyjnym” krzyżowaniem ścieżek metalizacji łączącej emitery i ścieżek p⁺ łączących bazy.

\ <Pe I

('~r