290 (38)

Tranzystor bipolarny    — 290

Rys. 5.44

Ilustracjo rozkładów ładunków nieslcompensowanych w tranzystorze dla kilku charakterystycznych stanów: a) stan neutralny, Ueb = Ucn = 0; b) zakres zatkania, Vta < 0, U_Cb < 0; c) zakres aktywny normalny, Ueb > 0. U_CB < 0; d) zakres aktywny mwersyjny, Ueb < 0, Ucb > 0; e) zakre3 nasycenia, Ueb > 0, U_Cb > 0

Kolejne rysunki 5-44b-e przedstawiają, przyrosty ładunków w stosunku do stanu neutralnego, występujące przy różnych wariantach polaryzacji tranzystora. W stanie odcięcia (rys. 5.44b) przy obu złączach spolaryzowanych zaporowo (U_E„ < 0, U_Cb < 0) wzrastają ładunki warstw zaporowych (AQ_je, AQ_jc). W stanie aktywnym normalnym (rys. o.44e), tj. przy polaryzacji złącza E-B w kierunku przewodzenia, a złącza B-C w kierunku zaporowym (U_EB > 0, U_CB < 0) w stosunku do stanu neutralnego wzrasta ładunek warstwy zaporowej złącza B-C (AQ_jc), maleje ładunek warstwy zaporowej złącza E-B (AQj_C) oraz pojawia się w bazie i emiterze ładunek nadmiarowy (Q_BN, Q_b). Ładunek Q_BN jest utworzony przez