310 (38)

- 310

(5.113)

(5.114)

Tranzystor bipolarny

Macierz rozproszenia ma postać:

5, = s_LLa_L+s_l2a₂ \ b2 = $21 ^al "k'^22^2 I

Stąd poszczególne parametry są definiowane -w następujący sposób:

ó'_u = —— współczynnik odbicia na wejściu czwórnika przy ^a‘ oj-o obciążeniu jego wyjścia impedanoją 50 O (dopasowanie na wyjściu)

^r'² |a, = o    dopasowaniu na wejściu

(5.115)

(5.116)

b₂

s₂, = —    — współczynnik przenoszenia przy dopasowaniu

^a' a₂=o na wyjściu

-k =o przy dopasowaniu na wejściu

(5.117)

Na podstawie parametrów s_2l, «₁₂ można łatwo wyznaczyć obustronną transmisję mocy.

gdyż |s₂₁|² jesz wzmocnieniem skutecznym mocy, a |s_I2|² jest wstecznym wzmocnieniem skutecznym mocy. Istnieją tożsamościowe związki między parametrami macierzy rozproszenia a parametrami macierzy z. h, y

5.9.1.3

Porównanie parametrów czwórnikotuycli dla różnych rodzajów macierzy

Przy całkowitej równoważności wszystkich rodzajów macierzy tranzystora traktowanego jako czwómik liniowy można jednak dokonać wyboru określonego typu macierzy, najbardziej dogodnego w pewnym obszarze zastosowań. Kryteria wyboru najdogodniejszej macierzy są następujące:

—    łatwość pomiaru parametrów;

—    łatwość analizy układu, w którym pracuje tranzystor opisywany daną macierzą:

—    prosta postać związków parametrów macierzy z parametrami modelu fizycznego.

Kryteria te zastosujemy do rozpatrywanych macierzy typu z, h, y i s. Parametry macierzy z

Najłatwiejszy jest pomiar parametrów" macierzy h, gdyż w tym przypadku wymagane

w zasadzie nie są obecnie stosowane, gdyż ich pomiar wymaga spełnienia warunku rozwarcia wejścia lub wyjścia czwórnika. Realizacja praktyczna takich warunków pomiaru jest bardzo trudna w odniesieniu do wyjścia z uwagi na bardzo dużą impedancję wyjściową tranzystora., przyjmującą wartości rzędu mega-omów (rozwarcie wyjścia oznacza, że impedancja obciążenia powinna być wielokrotnie większa niż impedancja wyjściowa tranzystora). Parametry typu i były dość szeroko stosowane w latach pięćdziesiątych ze w^rzględu na dużą popularność w tym okresie schematów zastępczych typu T, czyli modeli o strukturze identycznej z siecią elektryczną macierzy z (por. rys. 5.54cl).

jest rozwarcie wejścia lub zwarcie wyjścia. Oba te warunki można spełnić bez trudu, ponieważ tranzystor ma małą impedancję wejściową i dużą impedancję wyjściową. Należy przy tym zauważyć, że w kaskadowym połączeniu tranzystorów (typowa struktura wielostopniowego wzmacniacza małej częstotliwości) warunki sterowania (sterowanie z poprzedniego tranzystora, czyli ze źródła o du-