302 (42)

1Tranzystor bipolarny

Wykresy przedstawione na rys. 5.50 ilustrują sens fizyczny tak zdefiniowanych pojemności dla tranzystorów bezdryftowego i dryftowego. Rysunek 5.50a odnosi się do pojemności C_de, rysunek 5.50b do pojemności C'_dc (w tranzystorze bezdtyf-towym nie uwzględnia się składowej AQ_c/A.U_Cb)> ^a rysunek 5.50c do pojemności ot*

Wc-

Dla pojemności iniekcyjnych, podobnie jak w przypadku pojemności złącza p-n (rozdz. 3). można napisać następujące zależności:

(5.86|

(5.87)

C^lde = — (/«+/**)

(p_T

Cle = -J- (Idc+Ics) <Pt

przy czym r_N, Tj — czasy przelotu nośników w kierunkach normalnym i in-wersyjnym.

Istnieje ścisła zależność czasów przelotu i częstotliwości granicznych tranzystora. Do tej sprawy powrócimy nieco dalej po omówieniu częstotliwości granicznych. Pojemność C^_c jest określona bardziej złożonymi wyrażeniami.

Model przedstawiony na rys. 5.28 (najprostszy wariant modelu Ebersa-Molla) uzupełnimy cztorcma pojemnościami składowymi (rys. 5.51); równania prądów dla takiego modelu (por. wyrażenia (5.50) do (5.53)) mają postać:

»£= IdŁ — 0-lIiC+ (Cje+@de)

dU_R

i-c — ~ Idc +^a,v JiE+ (Cj_c + O_dc)

d<

d U.

dt

i_B — Zg tę

(5.88)

(5.89)

(5.90)

Należy zauważyć, że dokładność modelu przedstawionego na rys. 5.51 jest coraz mniejsza w miarę wzrostu szybkości przełączania tranzystora. Dla procesu przełączania zachodzącego w czasie porównywalnym z r_N należy w modelu uwzględnić dodatkowe elementy reprezentujące indukcyjności doprowadzeń, pojemnośoi rozproszenia itp.