246 (50)

- 2W

Tranzystor bipolarny

jąeo rozpatruje się tranzystor z niejednorodną bazą — niejako na zasadzie szczególnego przypadku wymagającego niewielkich modyfikacji wyników wcześniej-szych rozważań. Zachowanie takiego układu treści nie wydaje się celowe, gdyż współcześnie podstawowym rodzajem tranzystora bipolarnego jest tranzyul z niejednorodną bazą. Można by nawet ograniczyć rozważania tylko do tego rodzaju tranzystorów, co jednakże nie byłoby uzasadnione ze względów dydaktycznych. Spróbujmy to bliżej uzasadnić. Dla działania tranzystora najist; niejsze jest zjawisko transportu nośników w bazie. W ogólnym przypadku tra port może być dyfuzyjny i unoszęniowy (dryftowy). W tranzystorze z jednorc bazą istnieje tylko transport dyfuzyjny (stąd nazwa tranzystor bezdryftowy lub dyfuzyjny, chociaż ta ostatnia nazwa nio jest zalecana, gdyż może nieprawidto kojarzyć się z tranzystorem wytwarzanym metodą dyfuzji domieszek). W tranzystorze z niejednorodną bazą zdecydowanie przeważa transport unoszeniom ale w niewielkim stopniu istnieje również dyfuzja nośników. Stąd wynika, że najbardziej racjonalne byłoby rozpatrzenie uogólnionej teorii tranzystora z niejednorodną bazą (z uwzględnieniem zarówno unoszenia jak i dyfuzji), przy cz tranzystor z jednorodną bazą należałoby potraktować jako przypadek szezeg^;l ny. Taki układ mają niektóre specjalistyczne monografie, co jednak wymaga st~ sowania dość złożonego aparatu matematycznego. Dążąc do uproszczenia rozważań teoretycznych tranzystor z niejednorodną bazą potraktujemy jako dn towy w dosłowmym sensie, tj. pominiemy wpływ dyfuzji nośników, Aby jedir można było jakościowo wyjaśnić pewme zjawiska drugiego rzędu, spowodow dyfuzją zostanie również rozpatrzony tranzystor z jednorodną bazą.

Rys. 5.7

Rozkłady koncentracji domieszek w tranzystorze stopowym (a, b) i epiplanarnym (c, w skali logarytmicznej (a, c) i liniowej (b, d)