250 (46)

- 250

Tranzystor bipolarny

Emiter Baza i

Kolektor

t -\
| 0^+ +	p^+	n	n^++ |

Rys. 5.10

Wyidealizowana jednowymiarowa struk tura tranzystora epiplunamego ty n-p-n (wycinek struktury rzeozyr

zaporowym. Przy takiej polaryzacji tranzystor spełnia funkcję elementu czynnego, tj. może służyć do liniowego wzmacniania sygnałów elektrycznych. Najbardziej uproszczony obraz zjawisk zachodzących w tranzystorze przedstawio" na rys. 5.11. Podobnie jak w analizie złącza p-n przyjmujemy, że napięcia pola*

Rys. 5.11

Najbardziej uproszczona ilustracja zjawisk zachodzących w tranzystorze: a) obraz fizyczn przepływu prądu; b) układ włączenia tranzystora pracującego jako wzmacniacz ryzacji U_BB, U_CB odkładają się wyłącznie na odpowiednich warstwach zupowych. Wskutek polaryzacji złącza E-B w kierunku przewodzenia z emite do bazy są wstrzykiwane elektrony. W bazie istnieje tzw. wbudowane pole tryczne E_wb, spowodowane nierównomiernym rozkładem koncentracji domiesze Zjawisko powstawania pola elektrycznego w niejednorodnym materiale półprzewodnikowym jest znano z p. 1.9. W rozważanym przypadku koncentracja domieszki akceptorowej w bazie maleje w kierunku od emitera do kolektora. Dlatego pole elektryczne E_wb, przeciwdziałające dyfuzji dziur, jest skierowane od potencjału dodatniego przy kolektorze do potencjału ujemnego przy emitera Elektrony wstrzyknięte z emitera do bazy są unoszone przez E_wb w kieru kolektora¹'. Po przejściu przez bazę elektrony dostają się do warstwy zaporow*' złącza B-G, w której istnieje silne pole elektryczne „wymiatające” te elektrony dalej do obwodu kolektora. Strumień elektronów wstrzykiwanych z emitera do bazy tworzy prąd emitera w obwodzie wejściowym, a strumień elektronów odbi" ranych przez kolektor tworzy prąd kolektora w obwodzie wyjściowym. Strumi elektronów odbieranych przez kolektor jest równy strumieniowi elektronów wstrzykiwanych przez emiter, czyi i prąd kolektora nie zależy od napięcia U_n

¹¹ Istnienie pola wbudowanego w bazie nie jest warunkiem koniecznym dla pracy tranzysto W tranzystorze bozdryftowym nie ma pola E_wbi a transport nośników w bazio (od emite do kolektora) odbywa się wskutek dyfuzji.