253 (42)

253 (42)



- 253


Podstawowe zasady działania tranzystora bipolarnego

omówiony w dalszej części rozdziału. Obecnio interesuje nas stan ustalony, który w rozpatrywanym przykładzie oznacza, żo w jednej sekundzie wpływa do bazy 100 elektronów z emitera, wypływa 99 cloktronów do kolektora, a jeden rekom-binujo z dziurą. Oznacza to ubytek ładunku jednej dziury, która musi być dostarczona do bazy z obwodu zewnętrznego.

Zatem w stanie ustalonym liczba elektronów odbieranych w jednostce czasu przez kolektor jest mniejsza niż liczba elektronów wstrzykiwanych do bazy z emitera, a więc prąd kolektora jest mniejszy niż prąd emitera. Różnica tych dwu prądów jest spowodowana rekombinacją elektronów z dziurami (nie wszystkie elektrony wstrzyknięte z emitera zdołają dotrzeć do kolektora). A ponieważ baza musi być obojętna elektrycznie, z zewnętrznego obwodu bazy wpływa strumień dziur uzupełniających „straty” ładunku dodatniego, spowodowane rekombinacją. Ten strumień nośników tworzy prąd bazy IB. Stąd można zapisać podstawowe równanie prądów w tranzystorze

Ib — Ib+Ic    (5-6)

słuszne również dla małych przyrostów

A= A/fl+Aic    (5.7)

Bilans prądów w tranzystorze wynika konsekwentnie z zasady obojętności elektrycznej bazy i obowiązuje zarówno dla tranzystorów n-p-n jak również p-n-p (rys. 5.12b), zarówno dla stanu ustalonego jak i nieustalonego.

Tranzystor jest tym lepszy (tym większe ma wzmocnienie), im mniej nośników rekombi-nuje w bazie. W dobrym tranzystorze:

IC ^ IE

Ib ^ Ic Ib ^ Ie

Zatem współczynnik wzmocnienia prądowego

jest nieco mniejszy niż jedność. Najczęściej a ss 0,980...0,995

Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora można również zdefiniować jako stosunek prądu kolektora do prądu bazy:

/? =


A/ę A Ib


(5.8)


Ta definicja wzmocnienia prądowego ma zastosowanie w przypadku takiego układu włączenia tranzystora, w którym prądem wejściowym jest prąd bazy. Trzy możliwe warianty układu włączenia tranzystora omówimy nieco dalej, a obecnie zauważmy tylko, żo istnieje bezpośredni związek między a i /?, gdyż uwzględniająo (5.7):

a

1 — a


(5.9)


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
251 (42) - 251Podstawowe zasady działania tranzystora bipolarnego lecz jest funkcją napięcia U EB. Z
249 (43) 249Podstawowe zasady działania tranzystora bipolarnego tora w celu uzyskania omowego styku
78014 P1220100 Przykładowe pytania na egzaminie [8.12] Opisz zasadę działania tranzystora bipolarneg
skanuj0021 (150) 196 5. Kulturowe aspekty turystyki zrównoważonej pokażą przykłady omówione w dalsze
M!8 218 Andrzej Zero - Mathcad 7.0 W dalszej części rozdziału będą omówione poszczególne opcje, przy
DSC00150 (16) (będzie ona omówiona w dalszej części opracowania) nie jest dziwne, po-nieważ w ujęciu
Wprowadzenie do MatLab (28) Typy złożono będą omówione w dalszej części pracy. Formowanie zmiennych
62 na Kępie Strzemięcińskiej, przedstawiona i omówiona w dalszej części niniejszego rozdziału. Na
383 Omówione w dalszej części rodzaje szumów (z wyjątkiem szumu wybuchowego) mają normalny (gaussows
DSC00021 (17) WYKŁAD 4 TRANZYSTOR BIPOLARNY zagadnienia •tranzystor - co to Jest? jak działa? do cze
DSC00022 (25) wykład* tranzystor bipolarny zagadnienia; •tranzystor - co to jest? jak działa’ do cze
Slajd14 Tranzystory bipolarne- zasada działania < €> < <S) NPN    PNP Dio

więcej podobnych podstron