374 (20)

Tranzystory połowę

- 374

lub w innej postaci

(6.35)

Charakterystyki przejściowe zgodne z wyrażeniami (6.31) i (6.33) porównano na rys.

6.16, na którym pokazano również sposób wyznaczania konduktancji G_m według zależności (6.32), (6.34).

W dokładniejszej analizie charakterystyki prądowo-napięciowej w zakresie nasycenia należy uwzględnić w obu przypadkach efekt skracania kanału, który powoduje, że charakterystyka I_D{U_DS) ma nachylenie różne od zera (rys. 6.1 lb). Wówczas

(6.36)

przy czym 6 — odcinek Y, Y' na rys. 6.10d.

Oddzielnym i trudnym problemem jest wyznaczenie zależności <5 od napięcia U_DS, dlatego nie będziemy dalej rozwijać wyrażenia (6.36) traktując je wyłącznie jako wskazówkę informującą, w jaki sposób efekt skracania kanału modyfikuje przebieg charakterystyki prądowo-napięciowej.

Parametry statyczne    6.2.2,3

Dwa zdefiniowane wcześniej parametry statyczne:

—    U_p — napięcie odcięcia,

—    Ioss — prąd nasycenia dla U_GS = 0,

wyrazimy w funkcji parametrów fizycznych i konstrukcyjnych tranzystora. Na podstawie (6.11) otrzymujemy dla rozkładu równomiernego domieszek w kanale

(6.37)

Na podstawie (6.27), (6.26) otrzymujemy dla rozkładu szpilkowego domieszek w kanale (przyjmuje się Q₀ = 2qN_DcLZ)

qN_Dca

(6.38)

Na podstawie (6.32), (6.37) dla pierwszego przypadku (rozkład równomierny! ¹

(6.39)

przy czym

a _ „ _v ^2aZ -'oso — ⁽lp-n W a —jj~

Na podstawie (6.34), (6.38) dla drugiego przypadku (rozkład szpilkowy)

J