394 (18)

Tranzystory połowę

- 394

Rys. 6.27

Teoretyczno charakterystyki wyjściowe tranzystora MIS

zjawisk, a przede wszystkim efekt skracania kanału w zakresie nasycenia, wpływ zmian ładunku podłoża w funkcji długości kanału, zależność ruchliwości od napięć polaryzacji itd. Na przykład efekt skracania kanału, który można opisać podobny zależnością jak dla tranzystora PNFET (wzór (6.36)), powoduje, że prąd drenu

Rys. G.28

Rzeczywisto charakterystyki wyjściowe clla tranzystora BWP 30

nieznacznie zmienia się w zakresie nasycenia. Jest to zgodne z rzeczywistym przebiegiem charakterystyk wyjściowych, co pokazano na rys. 6.28 na przykładzie charakterystyk tranzystora BWP 30 (produkcji polskiej).

Charakterystyki i oznaczenia czterech, rodzajów tranzystora MIS    6.3.2.3

Różnice w przebiegu charakterystyk dla czterech rodzajów tranzystora MIS najbardziej obrazowo przedstawia zbiorczy wykres charakterystyk przejściowych w zakresie nasycenia, przedstawionym na rys. 6.29. W tablicy 6.1 zestawiono symbole graficzne oraz charakterystyki przejściowe i wyjściowe. Symbole graficzne są kreślone z uwzględnieniem następujących zasad: