CCF20090228029

Aby zwiększyć dobroć rezonatora należy skorzystać z innej prowadnicy, zamkniętej ściankami elektrycznymi i wypełnionej powietrzem — np. z falowodu prostokątnego. Tranzystorów mikrofalowych nic można jednak bezpośrednio montować w M’, wobec tego cały układ oscylatora wraz z filtrami zasilania najwygodniej jest wykonać przy użyciu NLP a sprzężenie z iczonatórcm uzyskać za pośrednictwem antenki wykonanej na tym samym podłożu (Rys."14.3). Zaletą tego rozwiązania jest możliwość mechanicznego przestrajania oscylatora.

Inną, • często stosowaną alternatywą jest stabilizacja oscylatora przy pomocy rezonatora dielektrycznego (DR) - Rys.

Płytka podłożowa z układem oscylatora

Rezonator widziany w przekroju

	* co
n==L	I	(I-
i—, i	D
_i	HE

Rys. 41.3. Tranzystorowy oscylator mikropaskowy stabilizowany przy pomocy rezonatora falowodowego.

Zasada pracy micszacza diodowego:

Sygnał poddawany przemianie częstotliwości (doprowadzony do diody wraz z LO, ale slaby, f.j. V, «< V_Lo):    v, = V, cos co,t.

Prąd płynący pod wpływem tego sygnału w obwodzie diody:

KO = g(t) v, =

V, cos o),t |G₀ + G| cos co_LOt + G₂ cos    + Gj cos 3o)loI +— I =•

V, Go cos co,t + V, G_t cos oo,t.cos co_LOt + V, G₂ cos co,t.cos 2(o_wl +.....____=

V, G₀ cos co_st + (V, G,/2) cos (w, - co_LO)f + O⁷, G,/2) cos (co, + ©poK (V, G₂/2) cos (2co_lo - coj)t + (V, G₂/2) cos (co, + 2co_LO)t +.........

Rys. 14.4, Uproszczony układ tranzystorowego oscylatora mikro-    Np.    O)o = to,-COLO t.j. f₀ = f_s — Tlo

paskowego stabilizowanego rezonatorem dielektrycznym.

Widmo sygnałów i konduktancji parametrycznej

Układ z Rys.Tt.4 może również posłużyć do wskazania przyczyn

G,i	i	i
G„	G11	g2: i
	l iii	1 ! 1	-►

fo    fuj-fo Ilo ^    2fix>—f« 2f_Lo 2f_Lo+f(i f

'ypowy układ micszacza: micszacz pojedynczo zrównoważony

często występujących problemów samowzbudzania się oscylatorów tranzystorowych przy częstotliwościach różnych, od projektowanych. Wskazane na schemacie impedancje wejściowe filtrów zasilania są wysokie w paśmie działania filtrów; poza nim mogą być jednak niskie (szczególnie jeżeli uwzględnimy często stosowane kondensatory filtrujące w torach zasilania tranzystorów). W rezultacie tranzystor w szerokim paśmie częstotliwości może być obciążony tak od strony wejścia jak i wyjścia impcdancjami o dużym współczynniku odbicia. Sprzyja to spełnieniu warunku samowzbudzenia poza pasmem pracy, szczególnie zaś w tych zakresach częstotliwości, gdzie wzmocnienie tranzystora jest duże. W celu ew. przeciwdziałania po zaprojektowaniu kompletnego układu oscylatora należy skontrolować warunek samowzbudzenia w całym paśmie pracy tranzystora;

łT-Prr.em.iąna częstotliwości:

- Obniżanie częstotliwości (micszaczc) f₀ = Tlo lub fo = fu) - fs, -podwyższanie częstotliwości (up-konwertery), fu = fj+ fm.

Dzięki zastosowaniu sprzęgacza kierunkowego źródło sygnału (np. antena) i oscylator lokalny są odizolowane. Układ ma (<5w uież inne zalety, m.inn. skutecznie tłumi szumy modulacji Amplitudy oscylatora lokalnego.

Typowy układ odbiornika mikrofalowego