LISTA ZAGADNIEC
DO KOLOKWIUM ZALICZENIEOWEGO W SEM.
ZIMOWYM ROKU AKADEM. 2015/16, KURS  ELEKTRONIKA
1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki.
2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w
elektronice?
3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne
różnice między tymi sygnałami.
4. Stosując jako kryterium klasyfikacji przebieg wielkości w funkcji
czasu, dokonaj podziału sygnałów zdeterminowanych ( przedstaw
graficznie przykłady tych sygnałów).
( )
5. Narysuj przebieg sygnaÅ‚u zapisanego jako 5ØŠÜ 5Ø•Ü = 5ØpÜ5ØÎß +
( )
5ØpÜ5ØŽÜ 5Ø"Ü5ØŠÜ 5ØÅ¹Ü 5ØNß5Ø•Ü + 5ØKß5ØÎß . Opisz wzorem wartość skutecznÄ… sygnaÅ‚u
przemiennego ze skÅ‚adowÄ… staÅ‚Ä… 5ØpÜ5ØÎß .
6. Wymień z
ródła i rodzaje sygnałów nazywanych w elektronice
szumami. Jak ocenia siÄ™ ich poziom w danym urzÄ…dzeniu
elektronicznym dla wybranego pasma częstotliwości (wzór)?
7. Wyjaśnij, dlaczego sygnały sinusoidalne znajdują powszechne
zastosowanie we współczesnej energoelektryce i elektronice.
8. Zdefiniuj pojęcie wartości średniej sygnału zmiennego w czasie (i(t);
u(t)) (rys.). Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału
zastępuje się równoważną wartością średnią prądu ( I ) bądz

śr
napięcia ( U ).
śr
9. Zdefiniuj pojęcie wartości skutecznej sygnału zmiennego w czasie
(i(t); u(t)) (rys.). Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału
zastępuje się równoważną wartością skuteczną prądu ( I ) bądz

napięcia ( U ).
10.Scharakteryzuj sygnał w postaci impulsu prostokątnego. Opisz jego
podstawowe parametry.
11.W jakiej sytuacji porównując amplitudę dwóch sygnałów
analogowych stosuje się względną miarę logarytmiczną (tzw. skalę
decybelową)? Opisz wzorem porównanie sygnałów tego rodzaju gdy
dotyczy ono poziomu mocy sygnału wejściowego (P ) i wyjściowego
1
(P ) czwórnika /układu wzmacniacza.
2
12.Jeżeli liniowy stosunek napięć U2/U1 = 1/ 2(0,5; 1.0; 100) to
odpowiada to w skali decybelowej & ..[dB].
13.Czym charakteryzuje się sygnał binarny? Przedstaw interpretację
graficzną sygnału binarnego w funkcji czasu.
14.Przedstaw sposób przeliczania z systemu dziesiętnego na system
binarny np. 175(10); 164(10) & .. .
15. Przedstaw sposób przeliczania z systemu binarnego na system
dziesiętny np.1111101(2), 1111011(2)& ... .
16.Co to jest: bit, bajt, słowo? Przedstaw strukturę słowa 16 bitowego.
17.Czym charakteryzuje się zapis liczb w naturalnym kodzie dwójkowym
(NKB)? Przedstaw zapis dowolnej, całkowitej liczby dziesiętnej w tym
kodzie. Wyjaśnij pojęcie  kod ważony .
18.Jak nazywa siÄ™ bit b o wadze 2n a jak bit b o wadze 20?
n 0
19.Zdefiniuj określenia:  amplituda logiczna sygnału ,  margines
zakłóceń . Przedstaw graficzne i korzystając z charakterystyki
przejściowej czy też schematu (U = f(U )) opisz wzorem margines
0 I
zakłóceń sygnału dla stanu niskiego i stanu wysokiego.
20.Jakie procesy składają się na cyfryzację sygnału analogowego na
postać binarną?
21.Na czym polega proces próbkowania i co jest jego wynikiem?
22.Na czym polega w praktyce polega proces kwantyzacji?
23.Na czym polega proces kodowania i co jest jego wynikiem?
24.Narysuj schemat blokowy dot. podstawowych operacji
przetwarzających sygnał analogowy x(t) w sygnał cyfrowy zapisany
jako sygnał binarny. Opisz funkcję jaką spełniają kolejne operacje. Co
jest wynikiem ich działania?
25.Wymień zalety i ograniczenia cyfrowego przetwarzania sygnałów.
26.Wymień parametry przetworników analogowo-cyfrowych.
27.Wymień podstawowe podzespoły konstrukcyjne przetworników a/c i
c/a.
28.Przedstaw symbol schematowy i ogólny schemat blokowy
przetwornika c/a.
29.Narysuj schemat elektryczny przetwornika a/c z bezpośrednim
porównaniem równoległym. Jak działa i jakimi parametrami
charakteryzuje siÄ™ przetwornik tego rodzaju?
30.Scharakteryzuj elektroniczne elementy bierne i aktywne. Podaj
przykłady elementów zaliczanych do poszczególnych grup.
31.Sposoby charakteryzacji pasywnych i aktywnych elementów
elektronicznych.
32.Na przykładzie rezystora przedstaw jak można scharakteryzować
elementy elektroniczne.
33.Na przykładzie kondensatora przedstaw jak można scharakteryzować
elementy elektroniczne.
34.Na przykładzie tranzystora bipolarnego przedstaw jak można
scharakteryzować elementy elektroniczne.
35.Narysuj charakterystykę I = f(U) dla dwóch wartości rezystancji R i R , gdy
1 2
R > R ,wymień podstawowe parametry rezystorów.
2 1
36.Narysuj charakterystykÄ™ I = f(U) rezystora R=10 © o mocy 1 W. Na osi
prądu zaznacz obliczoną, dopuszczalną jego wartość (I ).
MAX
37.R = 50 ©, R = 30 ©. Ile wynosić bÄ™dzie wartość rezystancji rezystora
1 2
zastępczego R, gdy rezystory te połączymy szeregowo a ile gdy
równolegle.
38.Dla dzielnika napięcia jak na rysunku oblicz, na podstawie
wyprowadzonego wzoru, ile będzie wynosić U gdy: U = 100V, R
wy we 1
=20 ©, R = 30 ©.
2
I

R1
Uwe
R2
Uwy
39.Dla dzielnika napięcia jak na rysunku oblicz, na podstawie
wyprowadzonego wzoru, ile będzie wynosić U gdy: U = 5V, R
we wy 1
=10 ©, R = 20 ©.
2
I

R1
Uwe
R2
Uwy
40.Rezystory R = 30 ©, R = 30 © i R = 30 © poÅ‚Ä…czono jak na rysunku
1 2 3
poniżej. Oblicz rezystancję zastępczą tego obwodu.
41.Scharakteryzuj rezystor idealny w obwodzie prÄ…du sinusoidalnego
gdy u = U sin(Ét +Ä…) to:I = ? ; I = ? (wzory, wykresy).
R m R m
42.Scharakteryzuj element bierny jakim jest termistor. Z czego wynika,
że jest to element nieliniowy (podaj przykład materiału z jakiego, na
bazie którego wytwarza się termistor typu NTC (PTC,CTR)?
43.Co to oznacza, że termistor jest typu NTC (PTC,CTR)?
44.Określ wzorem rezystancję zależność rezystancji termistora NTC od
temperatury.
45.Narysuj charakterystykÄ™ I = f(U) termistora NTC zaznaczajÄ…c jaki
wpływ na jej przebieg ma temperatura w jakiej element ten pracuje.
46.Wyprowadz
wzór na temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR)
termistora NTC.
47.Narysuj charakterystykÄ™ R = f(T) termistora NTC (PTC, CTR).
T
48.Jakimi metodami przetwarza siÄ™ charakterystyki rezystancyjno-
temperaturowe termistora w charakterystykę napięciową?
49.Narysuj schemat elektryczny układu przetwarzania ch-ki R = f(T) w
T
charakterystykę napięciową metodą przetwarzania napięciowego.
Opisz jak działa taki układ. Jak oblicz się napięcie U (T)w tym
a
układzie?
50.Podaj przykłady zastosowania czujnika termistorowego w technice
samochodowej. Opisz działanie takiego czujnika.
51.Wymień i opisz podstawowe rodzaje polaryzacji dielektryka. Jaka
stała charakteryzuje zdolność dielektryka do jego polaryzowania?
52.Jaką podstawową właściwością charakteryzuje się kondensator?
Opisz wzorem pojemność kondensatora płaskiego.
53. C1 = 20 pF, C2 = 30 pF. Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C,
gdy kondensatory te połączymy szeregowo a ile, gdy połączymy je
równolegle. Wymień podstawowe parametry kondensatorów.
54.Jak w zależności od stopnia uporządkowania ciała stałego klasyfikuje
się ciała stałe? Omów podstawowe cechy półprzewodnika
monokrystalicznego.
55.Jakimi cechami charakteryzuje się układ określany filtrem?
56.Sklasyfikuj filtry ze względu na technologię wykonania.
Wymień/scharakteryzuj filtry tego rodzaju.
57.Przedstaw klasyfikację filtrów ze względu na umiejscowienie pasma
przepustowego w dziedzinie częstotliwości. Narysuj charakterystyki
amplitudowe takich filtrów.
58.Co jest wynikiem analogowej filtracji sygnału?
59.Narysuj schemat elektryczny filtra dolnoprzepustowego. Jaki ma charakter
i jak jest wykorzystywany tego rodzaju układ
60.Jak w zależności od stopnia uporządkowania ciała stałego klasyfikuje się
ciała stałe? Omów podstawowe cechy półprzewodnika
polikrystalicznego.
61.Scharakteryzuj kryształ idealny i rzeczywisty. Czym jest defekt
strukturalny? Opisz naturÄ™ defektu sieci krystalicznej w postaci:
- luki węzłowej,
- atomów międzywęzłowych,
- dyslokacji.
62.Jak we współczesnej teorii budowy atomów opisuje się elektron? Co
to jest stan kwantowy elektronu i czym skutkuje zmiana stanu
kwantowego w wyniku oddziaływania atomu z otoczeniem?
63.Jaki elektron nazywamy walencyjnym, a jaki swobodnym?
64.Jakie są najważniejsze cechy materiałów półprzewodnikowych?
Wymień rodzaje takich materiałów ze względu na skład chemiczny.
Podaj przykłady współczesnych materiałów półprzewodnikowych.
65.Co to są półprzewodniki samoistne i niesamoistne? Narysuj model
pasmowy takich materiałów.
66.Na modelu pasmowym przedstaw procesy:
- generacji prostej,
- generacji pośredniej,
- rekombinacji prostej,
- rekombinacji pośredniej.
Jakie są skutki występowania tych procesów w materiałach
półprzewodnikowych?
67.Przedstaw półprzewodnik samoistny wykorzystując model pasmowy.
Jakimi właściwościami charakteryzuje się taki materiał
półprzewodnikowy w temperaturze T =0K oraz T = 300K?
68. Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu  n ,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego .
Jaki proces wystÄ…pi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni
siÄ™ z T =0K do temperatury T = 300K?
69.Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu  p ,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego .
Jaki proces wystÄ…pi w takim materiale, gdy temperatura otoczenia
zmieni siÄ™ z T =0K do temperatury T = 300K?
70.Sklasyfikuj i omów ruch nośników prądu w półprzewodnikach.
71.Co opisuje ruchliwość nośników w półprzewodniku i jak ten parametr
zmienia siÄ™ (wykresy) w funkcji:
- koncentracji ( N ),
d
- temperatury (T),
- natężenia pola elektrycznego (E)?
72.Co jest konsekwencją zróżnicowania ruchliwości w półprzewodniku
typu n i p ?
73.Zdefiniuj pojęcie konduktywności półprzewodnika. Omów, przyczynę
zmian konduktywności półprzewodnika od temperatury,
przedstawionych na wykresie lnà = f( 1/T).
74.Wymień rodzaje złącz p  n.
75.Przedstaw model pasmowy złącza p  n bez polaryzacji zewnętrznej.
76.Przedstaw model pasmowy złącza p  n dla polaryzacji przewodzenia.
77.Przedstaw model pasmowy złącza p  n dla polaryzacji zaporowej.
78.Przedstaw mechanizm powstawania złącza p  n. Wyjaśnij pojęcia:
bariera potencjału; warstwa zaporowa; napięcie dyfuzyjne.
79.Wymień założenia przyjmowane dla opisu idealnego złącza p  n.
80.Przedstaw charakterystykę I = f (U) idealnego złącza p  n, opisz ją
wzorem (wzór Shockley`a), określ przedział zmian wartości
współczynnika doskonałości złącza p  n  co opisuje ten współczynnik?
81.Omów przepływ nośników w złączu p  n dla kierunku przewodzenia.
82.Omów przepływ nośników w złączu p  n dla kierunku zaporowego.
83.Przedstaw charakterystykę lgI = f(U) rzeczywistego złącza p  n
(zaznacz wpływ rezystancji szeregowej, wyznacz prąd I ).
s
84.Narysuj charakterystyki I-U diod z różnych półprzewodników (Ge, Si,
GaAs,) dla kierunku przewodzenia. Wyjaśnij różnice jakie występują.
85.Na symbolu diody prostowniczej oraz diody stabilizacyjnej spolaryzuj
diodę napięciem tak by możliwe było jej wykorzystanie w układzie
prostownika czy też układzie stabilizatora szeregowego. Narysuj
charakterystyki I-U tych elementów półprzewodnikowych przy tych
polaryzacjach.
86.Z czego wynika występowanie w złączu p  n rezystancji szeregowej i
równoległej? Przedstaw sposób jej wyznaczania z charakterystyki I =
f(U) złącza rzeczywistego.
87.Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera.
Zilustruj na modelu pasmowym mechanizm tego zjawiska. Podaj
praktyczny sposób wykorzystania tego zjawiska.
88.Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia lawinowego.
Zilustruj mechanizm tego zjawiska.
89.Czym jest przebicie złącza p  n? Wymień i opisz rodzaje przebić
występujących w przyrządach półprzewodnikowych.
90.Przedstaw charakterystykÄ™ I = f (U) spolaryzowanej zaporowo diody
stabilizacyjnej. Wymień parametry charakteryzujące właściwości
diody.
91.Wyznacz z charakterystyki I = f (U) diody stabilizacyjnej jej rezystancjÄ™
dynamiczną. Jak wartość tej rezystancji zmienia się z funkcji napięcia
przebicia U ? O czym informuje oznaczenie diody stabilizacyjnej o
p
symbolu BZX 85  C4V7? Jaki rodzaj przebicia wystÄ…pi w takiej diodzie?
92.Narysuj układ stabilizatora szeregowego. Przestaw zasadę działania
tego układu wykorzystując charakterystykę przejściową tego układu.
Zdefiniuj i podaj zadawalające wartości współczynnika stabilizacji dla
takiego układu.
93.Narysuj schemat blokowy zasilacza stabilizowanego.
Wyjaśnij jaką rolę w tym układzie spełnia:
- transformator
- układ prostownika z filtrem RC,
- układ stabilizatora szeregowego.
94.Przedstaw charakterystykę przejściową układu szeregowego stabilizatora
napięcia zbudowanego z wykorzystaniem rezystora szeregowego R i
S
diody stabilizacyjnej o rezystancji dynamicznej r . Opisz wzorem ile
Z
wynosić będzie zmiana napięcia na wyjściu układu gdy napięcie wejściowe
zmieni siÄ™ o "U .
we
95.W jakim celu wykorzystuje się diodowe ograniczniki napięcia?
Narysuj schemat równoległego diodowego ogranicznika napięcia.
Opisz działanie takiego układu.
96.W jakim celu wykorzystuje się diodowe ograniczniki napięcia? Narysuj
schemat szeregowego diodowego ogranicznika napięcia. Opisz działanie
takiego układu.
97.Narysuj schemat układu dwustronnego ogranicznika napięcia z
zastosowaniem uniwersalnej diody półprzewodnikowej oraz diody Zenera
o napięciu przebicia U = 3,3V. Ile wynosić będzie całkowita amplituda
z
napięcia U na wyjściu układu?
pp
98.Przedstaw: symbol oraz podaj ogólną zasadę polaryzacji tranzystora
bipolarnego npn w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym
zakresie pracy tranzystora bipolarnego typu npn przedstawia siÄ™
relacja między potencjałami elektrod tranzystora?
99.Przedstaw: symbol oraz podaj ogólną zasadę polaryzacji tranzystora
bipolarnego pnp w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym
zakresie pracy tranzystora bipolarnego typu npn przedstawia siÄ™
relacja między potencjałami elektrod tranzystora?
100. Wyjaśnij pojęcie  tranzystor bipolarny z bazą jednorodną , 
tranzystor bipolarny dryftowy . Który z tych tranzystorów
bipolarnych pracować będzie przy wyższych częstotliwościach i
dlaczego?
101. Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu npn
pracował w zakresie aktywnym normalnym. Narysuj dla tranzystora
tego typu układy pracy WBaza (OB.), WEmiter (OE).
102. Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu pnp
pracował w zakresie aktywnym normalnym. Narysuj dla tranzystora
tego typu układy pracy WBaza (OB.), WEmiter (OE).
103. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy
aktywnej normalnej w układzie WEmiter (OE).
104. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej
normalnej w układzie WEmiter (OE).
105. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej
normalnej w układzie WBaza (OB).
106. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej
normalnej w układzie WBaza (OB).
107. Zdefiniuj współczynnik Ä…, ² , Ä…c. Podaj typowe wartoÅ›ci tych
współczynników.
108. Opisz rozpływ prądu w tranzystorze bipolarnym typu npn w
układzie WBaza (OB).
109. Opisz tranzystor bipolarny wykorzystywany jako wzmacniacz mocy.
Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego
w układzie WEmitera (OE) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie
tranzystora).
110. Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora
bipolarnego w układzie WBaza (OB) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie
tranzystora).
111. Przedstaw model  czwórnikowi z macierzą  h opisujący pracę
tranzystora bipolarnego z małymi sygnałami.
112. Przedstaw wykres wzmocnienia prądowego w układzie WEmitera
(OE) od czÄ™stotliwoÅ›ci (²=f(f)).
113. Narysuj ogólny schemat układu wzmacniacza Określ: podstawową
funkcję wzmacniacza, podstawowy parametr tego układu. Zdefiniuj
wzorem współczynniki wzmocnienia (prądowego, napięciowego
,mocy) wzmacniacza.
114. Przedstaw klasyfikację wzmacniaczy ze względu na zakres
częstotliwości wzmacnianych sygnałów.
115. Co opisuje pojęcie "klasa pracy wzmacniacza"? Co to oznacza, że
wzmacniacz pracuje w klasie A?
116. Narysuj schemat elektryczny układu wzmacniacza tranzystorowego
małej częstotliwości (m.cz.) w układzie WE ze sprzężeniem
pojemnościowym na wejściu oraz stabilizacją punktu pracy.
117. Narysuj charakterystykę częstotliwościową układu wzmacniacza
małej mocy, małej częstotliwości zbudowanego z wykorzystaniem
tranzystora bipolarnego pracującego w układzie Wspólnego Emitera
(WE). Przedstaw na niej jak definiuje sie 3dB pasmo przenoszenia
takiego układu. Jakim pasmem przenoszenia charakteryzuje się taki
układ?
118. Jakimi własnościami charakteryzuje się układ wzmacniacza
napięciowego małej częstotliwości (WE).
119. Przedstaw klasyfikację tyrystorów i narysuj ich charakterystyki
I = f (U) .
120. Przedstaw strukturÄ™ warstwowÄ… ( model), model dwutranzystorowy,
charakterystykę I = f (U) tyrystora. Przedstaw wzór na I . Określ
A
warunek załączania.
121. Przedstaw metody załączania tyrystora, które prowadzą do
przepolaryzowania złącza środkowego w jego strukturze
wewnętrznej. Jak spolaryzowane są złącza trynistora/tyrystora, gdy
element ten jest w stanie blokowania a jak gdy w stanie
przewodzenia?
122. Narysuj charakterystykÄ™ I =f(U ) trynistora/tyrystora
A AK
przedstawiając na niej wpływ prądu bramki I na załączanie takiego
G
elementu.
123. Narysuj charakterystykÄ™ I =f(U ) triaka przedstawiajÄ…c na niej
A AK
wpływ prądu bramki I na załączanie takiego elementu
G
124. Wyjaśnij określenie  tranzystory polowe  ( unipolarne). Określ
podstawowe różnice między tranzystorami tego typu a tranzystorem
bipolarnym.
125. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukturę
rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem
typu n.
126. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukturę
rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem
typu p.
127. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET z kanałem typu
n. Zdefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru: GDS ;
0
g ; I .
ds DSS
128. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET z kanałem typu
p. Zdefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru: GDS ;
0
g ; I .
ds DSS
129. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET z kanałem
typu n. Zefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru:
g ; U ; I .
m p DSS
130. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET z kanałem
typu p. Zefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru:
g ; U ; I .
m p DSS
131. Przedstaw klasyfikacje tranzystorów MIS i opisz zasadę ich
działania. Wymień odmiany technologiczne tranzystorów MIS.
Wymień i opisz odmiany  układowe tranzystorów MIS.
132. Przedstaw symbol, budowę struktury i układ polaryzacji
tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n (p).
133. Przedstaw symbol, budowę struktury i układ polaryzacji
tranzystora MOSFET normalnie załączonego z kanałem typu n (p).
134. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie
wyłączonego z kanałem typu n (p).
135. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie
załączonego z kanałem typu n (p).
136. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET
normalnie wyłączonego z kanałem typu n(p).
137. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET
normalnie załączonego z kanałem typu n(p).
138. Określ jak definiuje się pojęcie napięcia progowego (U ) w
T
tranzystorze MOSFET. Jaka wartość U jest osiągana współczesnych
T
tranzystorach tego rodzaju?
139. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy
scalone. Zdefiniuj pojęcie  czas propagacji bramki (rys).
140. Co to jest obciążalność bramki?
141. Przedstaw tabelę stanów logicznych bramki NOR i NAND. Co to
oznacza, że bramka pracuje w  logice dodatniej ?
142. Przedstaw klasyfikację układów cyfrowych ze względu na sposób
przetwarzania sygnałów. Czym charakteryzują się układy tego
rodzaju?
143. Przedstaw budowę i zasadę działania inwertera CMOS.
144. Określ podstawowe parametry statyczne i dynamiczne (napięcie
zasilania, stany logiczne, charakterystyka przejściowa, moc tracona,
czasy propagacji) układów TTL i CMOS.
145. Narysuj charakterystyki przejściowe bramek: TTL i CMOS. Zaznacz
na niej oczekiwane wartości napięć przełączania.
146. Porównaj układy cyfrowe wytwarzane w technologii TTL i CMOS.