tranzystory+polowe

tranzystory+polowe




T


I

1


■■■i


■m


ptM*>tmfiC/k&fcW yr&^^ic- ;co-\x^stivdy , ;m*s&

r^^yS'^>r^ Pc^v«r .

fi


’ / - #1i*jC.r vU3i^>p , ^i*l<.ł<i«*r    , 5^4u.b4Ł<?

x^$tfełt£« i 'trw^l^^a    pJlo^ i* *, **r:

Si.*: •*_*<_' ovj( Z 'c*&&**&/* wiw<6^<ik<? ^ v‘C-v\ji*(f 1    |c^j iu


SkoWl! /r    t».oŚ^i^

'•£ »-Ł-VH^u\t4^ bir^KMib


-,    ■ tt,    ■ f . i    r f    ' * *vrf \u_ v.’iv»\HlL J

T 1 £= ^    '•Ł--*y«' <-) -tK-v^sfco^ a ir^U-,    t&y^ n


3Vv W»s


Mc S ^Ł .;<1


I



igr

35

!»k«rf '\KUC ,%t    '

w

#Va.v^ \ Q

$UtM boi


.^VH£a< ?^ł-ł 1 i #


T •W>tJ‘'ł <" »lAf

ęt(?px & jC<«    v

r c*"C t (kfm'*’c

t*CJSiVł'/:oM’    /v t '• «Oł <    ,

4o4<-m>{ v ; a

krJs*XcU*i tiu/*f4cxX‘ JcJ* cc^o^j


3' W* 'V'


ł^C-VA. »• ę» *»>*-tXcd <ó©V


®^TL A.v<


%


Ąj<' IC«Ł CC


i t/*« ^


/-TOUCi^W C/’?    C.frW c-yx> » w L'^*'    *• ’ ^    •

Mft/i.    /Cu if&f£k<r* jK~st    S^7

t$fo    omŁM ^46/ jrf+.    *ds72*?l(rtPiP- ) -

rrc^c/ . 'o*-€d*c?tt - Źrct/ó °W-t    ^p/,fc^ ^ci*ci f /t*V y'£^***C #

pn 0L7.raL.if’ Cl. V    ^-fu.\-c«^V'    i&jl    ^


C/yos


•(*&<■ <**$•' vsy


yr™t


p


>/.


7t


o n


i


MOS


FpfĘ mmb

t iy lit.    C*"A>-VC?£ C.C___Cl^6    i*C    C

w _    o6ta>cfe<c dv%&* ~ Łrp^L V    ^ Ł^o. j}C^ku .c pA^c/.

Vy> **+iśJKu li . S Z****A*crj wLci    .. P<*r 6c f 2^'rwjC

.U    o Lv&zt<r<**.    ^f^5.KłC4^/

^■iW    ty * . Zt&le Cu    u&p •<?**&.    i^łP '

c'^    M ^ Wpr.    ?


?S «o v 1


CC-4. UfV^

/ s**

\fXk

// /

J

ii/^

w


. i    tWtt!

St-roefh_    i<Xac£L

OS*c'y* «f    oc^Moii    cl**

c^f'śu*    #    3tV ,£®

/<Q.vua>4.    ^Vx-^ o^WcLKivJ .

^‘<f‘    ^    ; CCc^fr^cc , ćttAu^ce ^ Cłvtcv^.tNjc<


, V,

C%'C.W^X’fc>^«    prcpcrtj

P    ctr^O    ^^CZs


Otofu


A\)    \ Wl^«ux>ne


}v


-/?•/



Vf\



£/&S


■3^


■■i




■n



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Slajd6 (112) Tranzystory połowę Tranzystory połowę tak jak i tranzystory bipolarne są elementami pół
1. Opisz budowę i zasadę działania tranzystora polowego typu PNFET (JFET) z kanałem dowolnego t
RPOLOWE Tranzystory połowę (FET) złączowe (JFET)    z izolowaną bramką (MOSFET) kanał
Scan0016 1.5.2. Tranzystory połowę MOSFET iiunzystor MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Ef
1.1. Budowa i zasada działania tranzystora polowego złączowego G (Gate) Bramka S (Source) Źródło D
Scan0017 6 (ponieważ ma nastąpić w nich zmiana napięcia z 12 na 42 V). Szybkie łączniki, jakimi są t
AGH, WIET ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM Rok 1 EiT Nr ćwiczenia: 9 Temat: Tranzystory połowę
AGH, WIET ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM Rok 1 EiT Nr ćwiczenia: 9 Temat: Tranzystory połowę
Tranzystory połowę FET(field effeot transistors) W przeciwieństwie do tranzystorów
charakterystyki Tranzystory połowę złączowe z izolowaną bramką z kanałem zubożanym z kanałem
356 (23) - 356Tranzystory połowę Tranzystory połowę (FET ) Ze złączem p-n PN FET Ze złączem m-s bram
363 (18) - 363 (6.1)Tranzystory połowę, ze złączem p-n a więc Id(Ugs) ^2 (a-d) = IUGS112 Id(Ugs = 0)
374 (20) Tranzystory połowę - 374 lub w innej postaci (6.35) Charakterystyki przejściowe zgodne z wy
376 (22) Tranzystory połowę - 376 S    6    O Ry3. 6.18 Struktura
394 (18) Tranzystory połowę - 394 Rys. 6.27 Teoretyczno charakterystyki wyjściowe tranzystora MIS zj

więcej podobnych podstron