2194453029

dodatkowym

Rezystancja wewnętrzna źródła zasilania jest równa

*01) y~' -(0,1 +0.2) j^ = (0.4.0,8)0

Przyjmujemy R,**0,5 fl.

Wartość nnpięć wejściowych obliczamy ze wzorów

Uer .,,+ip ^(r, +    +1/„ «

=2+1.5(0,5+0.5)+6 = 9,5 V.

U_wmm    9,5

^U“"I-W-K," 1-0.15-0.05“‘^{19 V}‘ gdzie: »'= -Ai/_W» - 15%, 2). +Ai/_W= + 10%.

+D + K,)» 11,9(1 +0,1 +0.05)® 14 V. Uct^-U-m.x-U_<> = \4-6=& V.

Maksymalne wartości prądu i moc strat kolektora są równe

/ _mJs=L_m Jl___ 67 A

^Lm" 2(R,+R_r) 2(0,5+1) ²’

Pci ««”Pcj m,x -    -/fi „*,(«, + Hf)“ U₀] i*| m,, =

•=[14 — 0,75 (0.5+I)—6] 0,75-5,1 W.

Z katalogu półprzewodników wybieramy tranzystory typu TG70, przy czym musimy zastosować radiator (patrz obliczenia w rozdziale pierwszym).

Rezystancja emiterowa musi spełniać zależność

"Wis-o-Wo 2 10010'^ft-l2 Przyjmujemy R_[t -2,4 kśi.

Rezystancja wstępnego obciążenia stabilizatora wynosi

ⁿlc»o{2iK)^*vc) 2• 100• 10 ‘*3 Prądy sterujące tranzystory T, i T_} określone są równaniami: