41746

•    Bramka (ang. Gate)> oznaczone literą G Jest elektrodą sterującą przepływem ładunków. Prąd bramki - Ig, napięcie bramka-źródło -

Ugs-

7.1. TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE - JFET.

Tranzystor połowy złączowy składa się zasadniczo z warstwy półprzewodnika typu n - w tranzystorach z kanałem typu N lub z półprzewodnika typu p - w tranzystorach z kanałem typu P. Warstwa ta tworzy kanał. Do obu końców kanału dołączone są elektrody. Symbole graficzne przedstawiono na rysunku 7.1. Tranzystor może być także wzbogacany lub zubożany.

Tranzystory te należy polaryzować tak, aby:

•    nośniki poruszały się od źródła do drenu,

•    złącze bramka-kanał było polaryzowane zaporowo

a)    b)

Rys. 7.1. Symbole graficzne tranzystora polowego złączowego JFET. a) z kanałem typu N, b) z kanałem typu P.

7.2.    ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA POLOWEGO JFET

Źródło i dren tranzystora polowego są spolaryzowane tak, aby umożliwić przepływ nośników większościowych przez kanał w kierunku od źródła do drenu. W tranzystorze z kanałem typu P od źródła do drenu przepływają dziury, a w tranzystorze z kanałem typu N od źródła do drenu przepływają elektrony. Złącze bramka-kanał w obu tranzystorach powinny być spolaryzowane w kierunku zaporowym.

Zasada działania tranzystora polowego JEFT pokazana jest na rysunku

7.2.    Jeżeli napięcie Ucs - 0 i Uds^ma małą wartość (rys.7.2a\ to prąd zmienia się liniowo w funkcji przykładnego napięcia - tranzystor zachowuje się jak rezystor. Podczas narastania napięcia U_DS złącze kanał-bramka (PN) jest coraz silniej polaryzowane zaporowo, przy czym polaryzacja ta jest silniejsza w pobliżu drenu (rys.7.2b). Przy pewnej wartości napięcia Ups. = Hossa = Up> następuje zamknięcie (odcięcie) kanału (rys.7.2c) przy drenie.