Sprawozdanie-diody tranzystory, POLITECHNIKA LUBELSKA


POLITECHNIKA LUBELSKA

WYDZIAŁ MECHANICZNY

Laboratorium Elektrotechniki i Elektroniki

0x01 graphic

SPRAWOZDANIE

Numer ćwiczenia:9

Punkty ćwiczenia: 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6

 

Temat ćwiczenia:

Badanie wybranych elementów elektronicznych

Kierunek studiów: MiBM

Grupa:101,1j

Data wykonania:

13.01.2012

Wykonawca: Wojciech Zubała Łukasz Zaremba, Łukasz Zarzeka, Krystian Ziemiński, Maciej Żurek, Jarosław Żółkowski,

Ocena:

2.1. Badanie wstępne diody

Diodę należy zbadać za pomocą multimetru elektronicznego wykorzystując funkcję pomiaru spadku napięcia na elemencie półprzewodnikowym. Pomiar należy wykonać polaryzując diodę w dwóch kierunkach (przewodzenia i zaporowym) oraz określić jej stan techniczny. Wyniki pomiarów zamieścić w tabeli 2.1.

Typ, rodzaj diody

ΔU [mV]

ΔU [mV]

Stan diody

(rodzaj uszkodzenia)

kierunek przewodzenia

kierunek zaporowy

6A10 MIC (prostownicza)

507

Sprawna

7PNR857

(prostownicza)

413

Sprawna

2FR100 (prostownicza)

523

Sprawna

P242

(prostownicza)

440

Sprawna

85C56V

(zenera)

0

0

Uszkodzona

(zwarcie)

2X10

(zenera)

738

Sprawna

2.2. Wyznaczanie charakterystyki prądowo-napięciowej diody

Należy połączyć układ, którego schemat zamieszczono na rysunku 2.1. Zwiększać natężenie prądu płynącego przez diodę i dokonać pomiaru spadku napięcia na elemencie półprzewodnikowym. Należy zwrócić uwagę na nieliniowość charakterystyki i wykonać właściwą ilość pomiarów w poszczególnych zakresach jej zmienności. Pomiary przeprowadzić dla diody włączonej do układu w kierunku przewodzenia i w kierunku zaporowym. Wyniki pomiarów wpisać do tabeli 2.2. Wykreślić zależność I=f(U) na jednym wykresie dla obydwu kierunków (przewodzenia i zaporowym).

Rys. 2.1. Schemat układu do wyznaczania charakterystyki prądowo-napięciowej diody

Tabela 2.2

Dioda prostownicza

Dioda Zenera ZX 13

Dioda Zenera ZX 22

Kierunek przewodzenia

c zaporowy

Kierunek przewodzenia

Kierunek zaporowy

Kierunek przewodzenia

Kierunek zaporowy

I [mA]

U [V]

I [mA]

U [V]

I [mA]

U [V]

I [mA]

U [V]

I [mA]

U [V]

I [mA]

U [V]

0

0,025

0,01

1,5

0

0,035

0,02

1,5

0,04

1,9

0,9

0,025

0,6

0,125

0,04

3

0,04

0,1

0,09

3,5

0,1

3,5

0,13

0,15

0,12

0,2

0,12

4

0,07

0,15

0,22

6,4

0,22

7

0,25

0,22

0,11

0,25

0,22

7,5

0,12

0,2

0,36

11,5

0,28

9

0,32

0,35

0,16

0,3

0,3

9

0,2

0,325

0,44

14

0,4

12,5

0,58

0,475

0,26

0,35

0,38

12

0,5

0,35

0,57

18

0,49

15,3

1,62

0,575

0,96

0,45

0,49

15

0,37

0,525

0,68

21,2

0,6

18,6

4,14

0,65

1,3

0,45

0,59

17

0,53

0,6

0,79

23,5

1,7

21

7,53

0,675

3,71

0,5

0,67

21

1,3

0,7

1,28

24,5

5,8

21,2

9,99

0,7

14,6

0,56

0,75

23,5

3,5

0,675

3,33

25

19,8

21,4

10,18

0,72

32,4

0,575

0,93

28,5

7,4

0,7

14,7

25,3

21,3

21,5

16,32

0,725

72,6

0,65

13,7

0,725

17,9

25,4

40,5

21,5

19,6

0,735

142,4

0,675

16

0,725

26,5

25,5

44,6

21,5

20,7

0,75

176,3

0,7

33,6

0,75

37,5

25,6

79,3

21,6

22,5

0,75

185,4

0,7

50

0,76

52,3

25,8

103,4

22

37,4

0,75

69,5

0,775

65,5

26

144,2

22

40,5

0,765

82,4

0,775

86

26

180,8

22

74,1

0,78

122

0,785

101

26

179

0,8

132

26

158

26

Rys.2.2. Schemat obwodu do wyznaczania charakterystyk tranzystora bipolarnego

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

Tabela 2.3

Typ tranzystora (numer)

ΔU [mV]

ΔU [mV]

Stan złącz

(rodzaj uszkodzenia)

złącze E-B

złącze C-B

kierunek przewodzenia

kierunek zaporowy

kierunek przewodzenia

kierunek zaporowy

n-p-n (1)

n-p-n (2)

p-n-p (1)

p-n-p (2)

Tabela 2.4

IB=…20……mA

IB=…40……mA

UCE [V]

IC [A]

UCE [V]

IC [A]

0,04

0,2

0,035

0,2

0,07

0,4

0,09

0,6

0,11

0,6

0,14

1

0,13

0,7

0,17

1,2

0,11

0,72

0,2

1,4

0,14

1

0,23

1,6

0,18

1,2

0,27

1,8

0,23

1,3

0,3

2

0,25

1,36

0,8

2,3

0,28

1,38

0,28

2,3

0x01 graphic

Tabela 2.5

UCE=…15……V

UCE=…10……V

IB [mA]

IC [A]

h21E

IB [mA]

IC [A]

h21E

3,5

0,35

0,1

2

0,2

0,1

9

0,8

0,088889

5

0,5

0,1

12

1

0,083333

9

0,82

0,091111

16

1,2

0,075

10

0,9

0,09

21

1,46

0,069524

22,5

1,5

0,066667

25

1,69

0,0676

28

1,75

0,0625

33

2

0,060606

36

2

0,055556

44

2,42

0,055

42

2,2

0,052381

52

2,65

0,050962

53

2,5

0,04717

62,5

3

0,048

74

3

0,040541

0x01 graphic

Tabela 2.6

Lp

Dane tyrystora

UAK [V]

IB [A]

1.

0,92

0,26

2.

0,92

0,28

3.

0,95

1,05

4.

1,01

1,5

5.

1,35

2

6.

1,36

2,52

7.

1,45

3,6

8.

1,45

4,1

9.

1,37

4,7

10.

1,37

5,3

0x01 graphic

Rys.2.3. Schemat obwodu do badania tyrystora



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
sprawozdanie.sieci.6.marek, Politechnika Lubelska, Studia, Semestr 6, sem VI, VI-semestr, 05labsieci
Sprawozdania, tarcza bohmego, Politechnika Lubelska
Laborki z elektroniki, ED 4 - Badanie właściwości impulsowych tranzystora, Politechnika Lubelska
Badanie właściwości impulsowych tranzystora11, Politechnika Lubelska_
Ćw. 2 - Badanie właściwości impulsowych tranzystora, Politechnika Lubelska
Sprawozdanie- komputery ćwicz 4, Politechnika Lubelska, Studia, Studia, organizacja produkcji, labor
Referat z elektroniki - tranzystory, Politechnika Lubelska, Studia, Semestr 6, sem VI, Laborka, Elek
Ćw. 1 - Badanie charakterystyk statycznych tranzystora, POLITECHNIKA LUBELSKA
Badanie właściwości impulsowych tranzystora 2, Politechnika Lubelska
Badanie właściwości impulsowych tranzystora 1, Politechnika Lubelska
Ćw. 2 - Badanie właściwości impulsowych tranzystora, POLITECHNIKA LUBELSKA
Ćw. 2 -Badanie właściwości impulsowych tranzystora, Politechnika Lubelska
Sprawozdanie ćw.4 i 16, Politechnika Lubelska, Studia, Studia, Sprawozdania 2 semestr
sprawozdanie urządzeń - przekładniki3, Politechnika Lubelska, Studia, Studia, sem VI, VI-semestr, 07
sprawozdanie.sieci.6.marek, Politechnika Lubelska, Studia, Semestr 6, sem VI, VI-semestr, 05labsieci
PKM, Politechnika Lubelska, Studia, Studia, organizacja produkcji, laborki-moje, od majka, SPRAWOZDA
Drgania Ćwiczenie nr 13, Politechnika Lubelska, Studia, semestr 5, Sem V, Sprawozdania, Laborka, Lab

więcej podobnych podstron