95919

W technice epitaksji z fazy ciekłej LPE:

o dla e nie większe niż 10‘³ osadzanie nie powoduje powstawania nowych defektów w rosnącej warstwie, o dla e nie mniejsze niż 10*³ w warstwie przejściowej między podłożem a osadzaną warstwą generowane są dyslokacje lub utrudnione jest zarodkowanie.

W technikach MOVPE i MBE, w których możliwe jest uzyskanie dużo wyższych przesyceń niż w LPE, granicą jest £ nie większe niż 1 O*¹.

•    Zarodki najchętniej lokują się w miejscach energetycznie najbardziej korzystnych, tzn na defektach sieci i zanieczyszczeniach. Mogą to być zerwane wiązania w krysztale np. stopnie atomowe na powierzchni, defekty sieci. Ogólnie rzecz biorąc, defekty są odtwarzane przez rosnąca warstwę Podłoże powinno być więc możliwie bezdefektowe i mieć czystą powierzchnię.

•    Konieczna jest stabilność temperaturowa podłoża w temperaturach epitaksji

•    Możliwie zbliżone współczynniki liniowej rozszerzalności termicznej podłoża i warstwy.

•    Stabilność chemiczna podłoża w obecności reagentów

Odwzorowywane są defekty, a w szczególności defekty śrubowe, na których proces zarodkowania zachodzi szczególnie chętnie, ze względu na najniższą potrzebną energię formowania zarodka. Praktycznie rzecz biorąc zawsze obserwuje się w warstwach epitaksjalnych defekty śrubowe. Rosną one aż do powierzchni warstwy.

W technikach osadzanie z fazy gazowej często stosowanym zabiegiem jest użycie podłoży skośnych, tzn. pochylonych Powierzchnia podłoża me ma dokładnej orientacji np. (100) dla GaAs, ale orientację (100) z odchyłką o 2-4 stopni kątowych w stronę osi [ 110],

16