96093

•    Duże komórki, realizujące złożone bloki funkcjonalne (np. mikroprocesory) - tzw. mega cells, cores.

•    Regularny rozkład komórek w układzie.

Gate-Array AS1C

•    Regularna, niezmienna stnikrura elementów układu - użytkownik projektuje sieć połączeń

•    Standardowe układy produkowane seryjnie

•    Taniej i szybciej niż standard-cell.

Układy PLD (Programmable Logic Devices)

•    Standardowe, produkowane masowo układy scalone opuszczają producenta w identycznej postaci.

•    Nie ma modyfikowanych masek (komórki logiczne czy metalizacje),

jeden duży blok programowanych połączeń programowanie wyłącznie po stronie użytkownika.

Układy FPGA (lub FPLD - Field Programmable Logic Devices)

•    Zasada programowania podobna do PLD, ale bardziej złożona struktura.

•    Programowanie nie tylko sieci połączeń (jak w PLD), ale także pewien sposób konfigurowania funkcji komórek logicznych:

•    Liderzy architektur FPGA: firmy Xilinx oraz Altem.

Klasyfikacja układów programowalnych

Programowanie układów:

-    programowanie jednokrome (Programmable ROM, PROM)

-    programowanie kasowalne przez naświetlenie promieniami UV (Erasable Programmable ROM, EPROM)

napięcie programowania VPP»+5V (+15 + 20V),

Kasowanie:

•    Naświetlenie promieniowaniem jonizującym, jonizacja dielektryka - spłynięcie wzbudzonych elektronów z bramki swobodnej.

•    Obudowy z oknem ze szkła kwarcowego.

•    Jeśli trwa za długo - niebezpieczeństwo nieodwracalnego pozbawienia bramki swobodnej możliwości

uwięzienia elektronów (over-erasure).

•    Samoczynne kasowanie pod wpływem promieniowania słonecznego, promieniowania tła

•    Ograniczona ilość cykli programowanie - kasowanie; rzędu 1000.

•    Czas programowania najkrótszy wśród metod programowania odwracalnego.

•    Batdzo dobre możliwości scalania (pojedynczy tranzystor jako jednocześnie urządzenie programujące i odczytujące).

-    programowanie kasowalne elektrycznie (Electrically Erasable PROM, EEPROM, E2PROM)

efekt tunelowy Fowlera - Nordheima, wstrzyknięcie elektronów wprost z drenu.

•    niższe napięcie programowania (VGD ~ +12V)

•    Niższe natężenie prądu, dłuższy czas programowania

•    Kasowanie: ten sam efekt przy odwróconej polaryzacji napięć

•    Podczas kasowania niebezpieczeństwo silnego dodatniego naładowania bramki swobodnej (tranzystor stale otwarty) specjalne układy kontrolujące rozładowanie.