4000864827
Kanał typu n
D (Dren)
G (Bramka)
S (Źródło)
Kanał typu p
Rys. 1 .Oznaczenie graficzne tranzystora unipolarnego złączowego, a) z kanałem typu n, b) z kanałem typu p
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 - kanał typu n - UDs > O, Ugs i 0, UBs ś 0, - kanał typu p -
skanuj0162 (11) HI. Struktura regularna typu I (rys. 2.25) Niektóre metale mają strukturę trzeciego
mosfety jfety dren "D‘ źródło "S1 dren ”D bramka "G" Q lub T MOSFET N bramka G
9. Proste (Rys.3) i kaskodowc (Rys.4) lustro prądowe typu ..high swing” na tranzystorach PMOS: minim
ScanImage89 Głębokość zakotwienia dla typu A i B (rys. 16.117, 16.118, 16.119) można obliczyć z
Kompendium1 częstotliwość nośna 410011/ kanał I częstotliwość nośna 4000Hz kanał II Rys. 9 Interfer
DSCF0766 141 ztącze półprzewodnik typu P i półprzewodnik typu N Rys. 1. Niespolaryzowane ztącze PN 4
DSC)60 (2) kompleksu porowego jądra. B, C - kanał porowy Rys. 2-5. Schemćfl pleksu porowego łfy. E -
nt* KH=D- 07 $□ * kanał A — kanał B Oscyloskop Rys.
371 (19) — 371Tranzystory połowę ze złączem p-n (Aj, -N0) Kanał metalurgiczny Kanał przewodzący Rys.
skanuj0010 * Źródło: Opracowanie własne Rys. 7.1. Ubezpieczyciele a otoczenie Źródło: Opracowanie wł
18275 P1030340 262 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE IGSr- prąd rckombinacyjny br
uklady logiczne 18 Bramko TTl z otwartym kolektorem Bramka CMOS lfco=5V!) =o— Bramka CMOS Bramk
więcej podobnych podstron