2121403375

34

CHARAKTERYSTYKA PRZETWARZANIA

	i
				—

Rys. 2.9. Charakterystyki przetwarzania magnetorezystora w zależności od kąta y Fig. 2.9. Characteristic of magnetoresistor conversion in depending on the angle y

KMZ10B		mV	liny •
					H*
5	*	a			-Vm ;
		---«•—

Rys. 2. W Charakterystyka przetwarzania magnetorezystora KMZ Fig. 2.10. Characteristics of magnetoresistor KMZ comersion

Konsirukcja przetworników KM Z typu Barbcr-polc łączy pozytywne elementy znanych wcześniej konstrukcji magnetorezystorów:

-    czujnik jest w przybliżeniu liniowy dzięki wymuszeniu kierunku przepływu prądu pod kątem 45°,

-    prąd przepływający przez elektrody przetwornika wytwarza własne pole podmagneso-wujące,

-    oś anizotropii usytuowana wzdłuż ścieżki magnetycznej zwiększa odporność na rozmagnesowanie.

-    miniaturyzacja przetworników magnetorezystancyjnych umożliwia ich stosowanie w głowicach czytników dysków twardych.

Zmiana kąta ułożenia przetwornika typu KMZ w stosunku do kierunku linii sił pola magnetycznego zmienia jego czułość. Udział składowej ortogonalnej może uniemożliwić pomiar. Pomimo ograniczeń przetworniki KMZ zostały zastosowane do badań diagnostyki stanu materiału elementu. Przetworniki magnctorczystancyjne stosowano także z powodzeniem w detekcji wad na linii produkcyjnej osi zestawów kołowych. Do badań magnetycznego pola rozproszenia w stanowisku modelowym zastosowano także hallotron KSY 14 firmy

INFINEON.

Tabela 2.3

Parametry przetworników KMZ

Parametr		Magnetorezystor
		KMZłOA	KMZ 1 OB	KMZIOC
Czułość podstawowa	mV/V(kA/m)	16	4	1.5
Czułość pr/y zasilaniu 5V	mV/(kA/m)	80	20	7.5
Zakres pomiarowy	kA/m	0.5	2.0	mm
Rezystancja gałęzi mostka	kO	1.3	1.4	1.7
//»	kA/m	1.2	3.8	17,6
Grubość warstwy /	Mm	33	44	130
Liczba ścieżek w galę/i		14	13	30