8812711842

8812711842



9 z 30


WYSOKONAPIĘCIOWE TRANZYSTORY IGBT    KENER

Tranzystor

CM400HG-66H

CM600HG-90H

CM600HG-130H

Obudowa

&

«&

U

Napięcie blokowania/prqd

3300 V/400 A

4500 V/600 A

6500 V/600 A

Strata energii przy pojedynczym przełączeniu

1,59 J

1,65 kV. 300 A, 125°C

3,1 J

2,25 kV, 300 A, 125°C

6,4 J

3,6 kV, 300 A, 125°C

Całkowity czas przełączania

6,1 MS

10,8 MS

13,3 MS

Maksymalna częstotliwość przełączania

2000 Hz

1500 Hz

1000 Hz

Dla napięć większych niż 3000 V (l/DC = 4,5 kV) konieczne było opracowanie nowych topologii przekształtników - przekształtników wielopoziomowych.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Scan0018 Tranzystory IGBT należą obecnie do najczęściej stosowanych łączników w ukła-! dach
Scan0146 Obwód odciążający (ang. snubbers) Zasilacz tranzystorów IGBT Listwa zaciskowa WN Listw
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) 11 Należy jednak zauważyć, że w chwili
12 Podstawy energoelektroniki - laboratorium3. Najważniejsze parametry dynamiczne tranzystora IGBT 3
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) 13 Definicje poszczególnych producentó
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) 15 3.    Odczytuje się
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) 174. Pomiary tranzystora IGBT w układz
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) 19 ■    PR2 - regulacja
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006)1. Wstęp Celem ćwiczenia jest poznanie
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) 3) przewodzenia: 0 < Uce < L^bri
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) wstecznym rzędu napięcia przebicia
Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006) Na koniec wyjaśnimy rolę dodatkowych
3 .Tranzystor IGBT Tranzystor IGBT jest tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką. Powstał z połącz
Slciownik M57959L Mitsubishi U»3mM *200V Układ sterowania tranzystora IGBT
I TERMIN 2 (2) 9) Narysuj układ polaryzacji tranzystora bipolarnego n-p-n ze sprzężeniem emiterowym.
igbt dioda d2 i d3 miały świecić a dl nie prąd diody to lOmA Uc= 25, Ud=-10 Url=13V,

więcej podobnych podstron