..............................................................................................................................

Imię i nazwisko, nr indeksu, data

• Egzamin część I

1. Zaznacz w dla którego stanu pracy układu przedstawionego na rysunku prawdziwe jest stwierdzenie

2. Narysuj charakterystyki IC=f(UCE) tranzystora bipolarnego dla dwóch różnych wartości prądu bazy i zaznacz pogrubieniem fragmenty charakterystyki odpowiadające stanowi nasycenia.

3. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor bipolarny w stanie nasycenia najlepiej modeluje źródło napięcia o małej wartości / źródło prądu . Tranzystor w stanie aktywnym zachowuje się jak źródło napięcia o małej wartości / źródło prądu. W stanie odcięcia napięcie kolektor-emiter jest równe 0 / jest różne od 0 W stanie aktywnym prąd kolektora nie zależy/ zależy od prądu bazy Zależność IC= IB jest prawdziwa w stanie nasycenia / aktywnym

4. Poniższy rysunek przedstawia układ z tranzystorem bipolarnym z obciążeniem RL . Naszkicuj przebiegi Uce - napięcia kolektor- emiter i Ic prądu kolektora. Oblicz wartość prądu I_C w chwili T1

W jakich stanach pracy znajduje się tranzystor w chwilach T1, T2.

Ic(T2)=

stan T1....................odciecia...................................

stan T2.....................aktywny..................................

5. Narysuj układ ze wzmacniaczem operacyjnym w konfiguracji wzmacniacza nieodwracającego.

6. Narysuj układ ze wzmacniaczem operacyjnym w konfiguracji wzmacniacza całkującego.

7. Narysuj układ ze wzm. operacyjnym pracujący jako przerzutnik

8. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Tranzystor IGBT jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Charakterystycznym parametrem dla tranzystora IGBT pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Charakterystycznym parametrem dla tranzystora MOSFET pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem .

9. Skreśl fałszywe fragmenty zdań:

W idealnym wzmacniaczu operacyjnym z dodatnim sprzężeniem zwrotnym napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym są różne / równe .

Idealny wzmacniacz operacyjny ma rezystancję wejściową równą zero / nieskończenie dużą

Idealny wzmacniacz operacyjny ma rezystancję wyjściową równą zero / nieskończenie dużą

10. Opisz „efekt Millera” na przykładzie załączania tranzystora MOSFET

.

2.Stany pracy i charakterystyki tranzyst. bipolarnego

3.Tranzystor jako łącznik

4.Załączanie i wyłączanie tranzyst. bip. z obciążeniami L i C

5.Generator pojedynczego impulsu

6.Podstawowe właściwości idealnego i rzeczywistego WO

7.Konfiguracje układów z WO : sumator, wzm.odwracający, wtórnik, wzm. nieodwracający,

8.Układ całkujący i różniczkujący

9.Praca WO z elementami nieliniowymi w ujemnym sprzężeniu zwrotnym - prostownik operacyjny, ogranicznik

10.Praca WO z dodatnim sprzężeniem zwrotnym - przerzutniki

11.Wzmacniacz różnicowy

12.Tranzystory MOSFET i IGBT -właściwości elementów pracujących jako łączniki

13.Efekt Millera

14.Sterowanie tranzystorów mocy pracujących w układach mostkowych.

	Stan *)
Zachowanie układu	A	N	O
zmniejszanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora	+
zwiększanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora
zwiększanie rezystora Rc nie wpływa na zmianę napięcia na kolektorze		+	+
złącza baza-emiter i baza-kolektor są spolaryzowane w kierunku przewodzenia		+
potencjał na bazie jest niższy niż na emiterze			+
*) A-stan aktywny, N-stan nasycenia, O- stan odcięcia

U

WE

R

b

R

C

I

c

B

C

E

GND

E

I_C

U_CE

=RC

---