..............................................................................................................................

Imię i nazwisko, nr indeksu, data

• Egzamin część I

1. Zaznacz w tabeli poprawną odpowiedź

2. Narysuj charakterystykę IC=f(UCE) tranzystora bipolarnego dla stanu odcięcia i na jej tle narysuj charakterystykę idealnego łącznika w stanie wyłączenia.

3. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor bipolarny najlepiej pełni rolę załączonego łącznika w stanie aktywnym / nasycenia. Tranzystor w stanie aktywnym modelowany jest źródłem napięcia / prądu sterowanym napięciem/prądem bazy. W stanie aktywnym prąd kolektora nie zależy/ zależy od prądu bazy W stanie nasycenia prąd kolektora jest większy/ mniejszy niż  IB .

4. Poniższy rysunek przedstawia układ z tranzystorem bipolarnym z obciążeniem L . Naszkicuj przebiegi Uce - napięcia kolektor- emiter i Ic prądu kolektora, wiedząc że w chwili T1 tranzystor był w stanie nasycenia . Oblicz wartość prądu I_C w chwili T2

Ic(T2)=

stan T1.......................................................

stan T2.......................................................

5. Narysuj układ ze wzmacniaczem operacyjnym w konfiguracji wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu 3.

6. Narysuj odpowiedź układu całkującego na sygnał zadany jak na rysunku.

7. Narysuj układ ze wzm. operacyjnym pracujący jako przerzutnik

8. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Tranzystor IGBT jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Charakterystycznym parametrem dla tranzystora IGBT pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Charakterystycznym parametrem dla tranzystora MOSFET pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem .

9. Skreśl fałszywe fragmenty zdań:

W idealnym wzmacniaczu operacyjnym z dodatnim sprzężeniem zwrotnym napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym są różne / równe .

Idealny wzmacniacz operacyjny ma rezystancję wejściową równą zero / nieskończenie dużą

Idealny wzmacniacz operacyjny ma rezystancję wyjściową równą zero / nieskończenie dużą

10. Opisz „efekt Millera” na przykładzie wyłączania tranzystora MOSFET

.

2.Stany pracy i charakterystyki tranzyst. bipolarnego

3.Tranzystor jako łącznik

4.Załączanie i wyłączanie tranzyst. bip. z obciążeniami L i C

5.Generator pojedynczego impulsu

6.Podstawowe właściwości idealnego i rzeczywistego WO

7.Konfiguracje układów z WO : sumator, wzm.odwracający, wtórnik, wzm. nieodwracający,

8.Układ całkujący i różniczkujący

9.Praca WO z elementami nieliniowymi w ujemnym sprzężeniu zwrotnym - prostownik operacyjny, ogranicznik

10.Praca WO z dodatnim sprzężeniem zwrotnym - przerzutniki

11.Wzmacniacz różnicowy

12.Tranzystory MOSFET i IGBT -właściwości elementów pracujących jako łączniki

13.Efekt Millera

14.Sterowanie tranzystorów mocy pracujących w układach mostkowych.

	Odpowiedź
Zachowanie układu	Tak	Nie
zwiększanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora w stanie aktywnym		+
zwiększanie rezystancji RB może doprowadzić do przejścia nasyconego tranzystora w stan aktywny	+
zastąpienie tranzystora pracującego w stanie aktywnym elementem o mniejszym wzmocnieniu  może spowodować wejście tranzystora w stan nasycenia		+
w stanie aktywnym złącza baza-kolektor i baza emiter są spolaryzowane w kierunku przewodzenia		+
zmniejszanie rezystora Rc może doprowadzić nasycony tranzystor do przejścia w stan aktywny		+

U

WE

R

b

R

C

I

c

B

C

E

GND

E

I_C

U_CE

U_WE

U_WY

t

t

E

t

U

we

t

U

CE

t

I

C

T1

T

2

---