..............................................................................................................................

Imię i nazwisko, nr indeksu, data

Egzamin część I

1. Zaznacz w tabeli poprawną odpowiedź

	Odpowiedź
Zachowanie układu	Tak	Nie
zwiększanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora w stanie aktywnym
zwiększanie rezystancji RB może doprowadzić do przejścia nasyconego tranzystora w stan aktywny
zastąpienie tranzystora pracującego w stanie aktywnym elementem o mniejszym wzmocnieniu β może spowodować wejście tranzystora w stan nasycenia
w stanie aktywnym złącze baza-kolektor jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia
zwiększanie rezystora Rc może doprowadzić nasycony tranzystor do przejścia w stan aktywny

2. Narysuj charakterystykę IC=f(UCE) tranzystora IGBT dla jednej wartości napięcia bramki (UG>UP ) . Narysuj na jej tle charakterystykę idealnego łącznika w stanie załączenia.

3. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor bipolarny najlepiej pełni rolę załączonego łącznika w stanie aktywnym / nasycenia. Tranzystor bipolarny w stanie aktywnym modelowany jest źródłem napięcia / prądu sterowanym napięciem/prądem bazy. W stanie odcięcia napięcie kolektor-emiter jest równe 0 / jest różne od 0 W stanie aktywnym prąd kolektora nie zależy/ zależy od prądu bazy W stanie nasycenia prąd kolektora jest większy/ mniejszy niż β IB .

4. Poniższy rysunek przedstawia układ z tranzystorem bipolarnym z obciążeniem L . Naszkicuj przebiegi Uce - napięcia kolektor- emiter i Ic prądu kolektora, przyjmując że w chwili będzie T2 panował stan ustalony z nasyconym tranzystorem . Oblicz wartość prądu I_C w chwili T2. W jakim stanie pracy znajduje się tranzystor w chwili T1.

Ic(T2)=

stan w chwili T1.......................................................

5. Narysuj układ ze wzmacniaczem operacyjnym w konfiguracji wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu 1.

6. Narysuj odpowiedź układu całkującego na sygnał zadany jak na rysunku.

7. Narysuj układ ze wzm. operacyjnym pracujący jako przerzutnik realizujący charakterystykę przedstawioną na rysunku

8. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Prąd bramki, w stanie ustalonym, w załączonym tranzystorze MOSFET ma bardzo dużą/małą wartość. Prąd bramki, w stanie ustalonym, w załączonym tranzystorze IGBT ma bardzo dużą/małą wartość. Charakterystycznym parametrem dla tranzystora MOSFET pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Dren / kolektor jest jedną z elektrod tranzystora IGBT.

9. Skreśl fałszywe fragmenty zdań:

W idealnym wzmacniaczu operacyjnym z ujemnym sprzężeniem zwrotnym pracującym jako wzmacniacz odwracający, napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym mają równe wartości / te same wartości ale przeciwne znaki.

W rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym pracującym z dodatnim sprzężeniem zwrotnym różnica napięć między wejściem odwracającym i nieodwracającym zależy / nie zależy od napięcia zasilania .

10. Opisz „efekt Millera” na przykładzie załączania tranzystora MOSFET

.

2.Stany pracy i charakterystyki tranzyst. bipolarnego

3.Tranzystor jako łącznik

4.Załączanie i wyłączanie tranzyst. bip. z obciążeniami L i C

5.Generator pojedynczego impulsu

6.Podstawowe właściwości idealnego i rzeczywistego WO

7.Konfiguracje układów z WO : sumator, wzm.odwracający, wtórnik, wzm. nieodwracający,

8.Układ całkujący i różniczkujący

9.Praca WO z elementami nieliniowymi w ujemnym sprzężeniu zwrotnym - prostownik operacyjny, ogranicznik

10.Praca WO z dodatnim sprzężeniem zwrotnym - przerzutniki

11.Wzmacniacz różnicowy

12.Tranzystory MOSFET i IGBT -właściwości elementów pracujących jako łączniki

13.Efekt Millera

14.Sterowanie tranzystorów mocy pracujących w układach mostkowych.

Uwy

U_CE

E

GND

E

C

B

c

I

C

R

b

R

WE

U

2

I_C

U_WE

U_WY

t

t

Uwe

T

T1

C

I

t

CE

U

t

we

U

t

E

---