113. Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.

G (bramka)- polaryzujemy dodatnio oznaczenie graficzne tranzystora

S (źródło) –polaryzujemy ujemnie

D (dren)-polaryzujemy dodatnio

B (podłoże )

Dodatek :

114. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.

a) z zubożałym kanałem typu „n”

b) z wzbogaconym kanałem typu „n”

W obu wykresach na zamiast U_GS powinno być U_DS przypisanie przy osi .

U_GS – const

U­_DS – napięcie pomiędzy dren – źródło

I_D - natężenie drenu

115. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu p.

a) z zubożałym kanałem typu „p”

b) z wzbogaconym kanałem typu „p”

U_GS – napięcie miedzy bazą – źródłem

U­_DS – const

I_D - natężenie drenu