LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
1
1. POMIARY OPTOELEKTRONICZNE
1.1. Wprowadzenie
Natężenie oświetlenia dziennego jest to iloraz strumienia świetlnego po-
chodzącego od źródła światła do powierzchni oświetlanej.
]
[lx
S
E
Φ
=
Rys. 1.1. Graficzna ilustracja natężenia oświetlenia E.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
2
Rys. 1.2. Wartości natężenia oświetlenia E (źródło światła naturalne).
1.1.1. Zjawisko fotoelektryczne.
Jest to zjawisko elektryczne występujące w ciałach pod wpływem promienio-
wania elektromagnetycznego (np. światła). Jest związane ze wzrostem energii elek-
tronów w ciele wskutek pochłaniania fotonów.
Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne zwane fotoemisją elektronową zachodzi
gdy energia fotonu
ν
h padającego na powierzchnię ciała jest większa od pracy wyj-
ścia W elektronu z danej substancji.
K
E
W
h
+
=
ν
−
K
E
maksymalna energia kinetyczna emitowanego elektronu
Emisja fotoelektronowa występuje zatem przy promieniowaniu o częstotliwości
większej od tzw. częstotliwości progowej.
ϕ
ϕ
ν
14
0
10
42
,
2
⋅
=
=
h
e
−
e
ładunek elementarny
−
ϕ
potencjał wyjścia
−
h
stała Plancka
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
3
Długość fali odpowiadająca częstotliwości progowej nazywa się progiem falo-
wym emisji fotoelektrycznej
ϕ
ϕ
λ
6
0
10
24
,
1
−
⋅
=
=
e
hc
−
c
prędkość światła w próżni
Elektrony uzyskiwane w wyniku efektu fotoelektrycznego są nazywane foto-
elektronami, a wytwarzany przez nie prąd – prądem fotoelektronowym. Przy określo-
nej energii fotonów (czyli określonej długości fali) liczba fotoelektronów jest propor-
cjonalna do liczby padających fotonów.
Prąd fotoelektronowy jest zatem (przy stałej długości fali) proporcjonalny do
mocy promieniowania (prawo Stoletova).
λ
λ
Φ
= S
I
f
−
f
I
prąd fotoelektryczny
−
λ
S
czułość fotokatody
−
Φ
λ
strumień świetlny promieniowania monochromatycznego, padającego na foto-
katodę.
Stosunek liczby fotoelektronów do liczby padających fotonów nazywa się wy-
dajnością kwantowej emisji fotoelektronowej. Wydajność ta jest zazwyczaj bardzo
mała (rzędu
2
5
10
5
10
−
−
⋅
÷
), a jedynie w najbardziej korzystnych warunkach dochodzi
do
%
20
.
Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne zachodzi gdy energia fotonu
ν
h jest
mniejsza od pracy wyjścia W elektronu, wówczas pochłonięta energia może przy-
czynić się do swobodniejszego poruszania się elektronów w ciele (co jest związane z
przejściem elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa).
Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne przejawia się bądź w zmniejszeniu oporu wła-
ściwego ciała półprzewodnika, dielektryka (fotoprzewodnictwo), bądź na polaryzacji
złącza p-n ciała (zjawisko fotowoltaniczne).
Fotoprzewodnictwo jest to zmiana przewodności ciał pod wpływem działania
promieniowania elektromagnetycznego. Jest związane z zwiększeniem koncentracji
elektronów w paśmie przewodnictwa lub dziur w paśmie walencyjnym.
Zjawisko fotowoltaniczne polega na przechodzeniu elektronów do obszaru n, a
dziur do obszaru p w wyniku pochłonięcia energii. Na granicy tych obszarów powsta-
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
4
je różnica potencjałów. Na złączu p-n następuje zamiana energii promienistej w
energię elektryczną. Złącze staje się więc źródłem siły elektromotorycznej.
1.1.2. Wtórna emisja elektronów.
Wtórną emisją elektronów jest zjawisko fizyczne, w którym ciała stałe emitują
elektrony pod wpływem bombardowania ich powierzchni wiązką elektronów o dosta-
tecznej energii. Elektrony bombardujące nazywane są elektronami pierwotnymi, a
elektrony emitowane przez ciało elektronami wtórnymi. Materiały wykazujące emisję
wtórną nazywane są emiterami.
Wtórna emisja scharakteryzowana jest przez współczynnik emisji wtórnej
p
w
I
I
=
δ
−
w
I
prąd elektronów wtórnych
−
p
I
prąd elektronów pierwotnych
1.2. Przetworniki fotoelektryczne.
Wszystkie przyrządy fotoelektryczne można podzielić na dwie grupy ze wzglę-
du na kierunek przemiany energetycznej. Pierwszą grupę stanowią fotodetektory i
fotoogniwa, tj. przyrządy służące do przemiany sygnałów optycznych ( energii świa-
tła ) w sygnały elektryczne ( energię elektryczną).
W tej grupie można wymienić przede wszystkim:
- fotorezystory;
- fotodiody i fotoogniwa;
- fototranzystory.
Druga grupa obejmuje wskaźniki i źródła światła, tj. przyrządy służące do
przemiany sygnałów elektrycznych (energii elektrycznej) w sygnały optyczne (energię
światła). Są to przede wszystkim :
- diody elektroluminescencyjne;
- wskaźniki z kryształów ciekłych.
Oddzielną grupę przyrządów optoelektronicznych stanowią transoptory, tj.
przyrządy funkcjonalne działające na zasadzie sprzężenia, w jedną całość, źródła
światła (diody elektroluminescencyjnej) z fotodetektorem (fotodiodą lub fototranzysto-
rem).
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
5
1.2.1. Fotorezystory.
Są to rezystory półprzewodnikowe, których rezystancja zmienia się pod wpły-
wem oświetlenia. Światło o odpowiedniej długości fali wywołuje generację par elek-
tron-dziura. Dodatkowa liczba elektron i dziur wywołuje zwiększenie konduktywności
półprzewodnika i odpowiednie zmniejszenie rezystancji fotorezystora. Fotorezystory
są wytwarzane zwykle z takich materiałów jak siarczek kadmu ( CdS ), siarczek oło-
wiu ( PbS ), selenek ołowiu ( PbSe ), tellurek ołowiu ( PbTe ).
• Właściwości optyczne fotorezystorów.
Oświetlenie fotorezystora, do którego końcówek przyłożono napięcie, powodu-
je zwiększenie przepływu prądu. Różnica między całkowitym prądem I a prądem
ciemnym I
o
, jest nazywana prądem fotoelektrycznym I
p
, czyli I
p
= I – I
o
. Związek mię-
dzy prądem fotoelektrycznym I
p
a natężeniem oświetlenia określa zależność
γ
E
G
I
p
⋅
=
gdzie:
G, γ - wartości stałe.
Czułość widmowa to zależność rezystancji od natężenia oświetlenia. Na war-
tość czułości wpływa rodzaj materiału i sposób jego domieszkowania – dobieranie ze
względu na przeznaczenie fotorezystora. Rezystancję fotorezystora określa zależ-
ność:
l
d
R
δ
=
Rys. 1.3. Zależność rezystancji R
E
fotorezystora Cds od natężenia oświetlenia.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
6
Rezystancję fotorezystora można zwiększać przez wzrost odstępu elektrod d i
zmniejszanie szerokości l (rys. 1.4). Odległości d nie można jednak dowolnie
zmniejszać, gdyż maleje wtedy maksymalne napięcie pracy dopuszczalne dla dane-
go fotorezystora, a ponadto maleje dopuszczalna moc rozproszenia.
Rys. 1.4. Oznaczenia wymiarów fotorezystora.
Innym parametrem jest współczynnik n określany jako stosunek rezystancji
przy danej wartości natężenia oświetlenia
50
R
R
n
D
=
gdzie: R
D
– Rezystancja ciemna
R
50
– Rezystancja przy natężeniu oświetleniu równym 50 lx.
Wartość rezystancji ciemnej zależy od stopnia czystości półprzewodnika. Re-
zystancja ciemna jest około tysiąc razy większa niż rezystancja przy oświetleniu 50 lx
Na podstawie charakterystyki prądowo – napięciowej fotorezystora dobiera się wła-
ściwy obszar jego pracy. Charakterystyki te są liniowe w dużym zakresie napięć i
prądów.
Rys. 1.5. Charakterystyka prądowo – napięciowa fotorezystora.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
7
Fotorezystory wykonuje się najczęściej w postaci cienkich półprzewodniko-
wych warstw monokrystalicznych lub polikrystalicznych naniesionych izolacyjne np.
szklane podłoże (rys. 1.6a). Materiał światłoczuły rozdzielają dwie metalowe elektro-
dy mające wyprowadzenia. Elektrody te często mają kształt grzebieniowy (rys. 1.6b).
a) b)
Rys. 1.6. Fotorezystor.
a) budowa, b) grzebieniowy kształt elektrod.
Wadą fotorezystora jest wrażliwość temperaturowa.
3.2.2. Fotodiody i fotoogniwa.
W oświetlonym złączu p-n występują dwa zjawiska:
- powstaje siła elektromotoryczna ( zjawisko fotowoltaniczne );
- prąd wsteczny zależy od natężenia promieniowania świetlnego.
Pierwsze zjawisko obserwuje się przy braku polaryzacji zewnętrznej (rozwar-
cie), wówczas złącze spełnia funkcję źródła energii elektrycznej i jest nazywane fo-
toogniwem lub baterią słoneczną. Drugie zjawisko obserwuje się przy polaryzacji złą-
cza w kierunku wstecznym. Złącze spełnia wówczas funkcję rezystancji nieliniowej,
zależnej od promieniowania świetlnego i jest nazywane fotodiodą. Przyczyną obu
tych zjawisk jest generacja świetlna par elektron-dziura w obszarze warstwy zapo-
rowej złącza p-n lub w bliskim jego sąsiedztwie.
Fotoogniwa stosowane jako detektory światła, są wykonywane techniką pla-
narną w krzemie. Ich powierzchnia światłoczuła wynosi przeważnie od kilku do kilku-
dziesięciu cm
2
. Fotoogniwa stosowane w bateriach słonecznych do wytwarzania
energii elektrycznej są to złącza p-n o dużej powierzchni światłoczułej.
Fotodiody są stosowane wyłącznie do detekcji światła, podczas gdy fotoogni-
wa - do detekcji światła oraz jako źródła energii elektrycznej. Główną zaletą fotodiod
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
8
jest duża szybkość ich działania. Są one wytwarzane w różnych odmianach kon-
strukcyjnych: diody Schottky’ego, ostrzowe, diody pin, lawinowe i kwadrantowe.
Rys. 1.7. Fotodioda - symbol
Fotodioda pracuje przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym. W stanie
ciemnym (przy braku oświetlenia) przez fotodiodę płynie tylko prąd ciemny, będący
prądem wstecznym złącza określonym przez termiczną generację nośników. Oświe-
tlenie złącza powoduje generację dodatkowych nośników i wzrost prądu wstecznego
złącza, proporcjonalny do natężenia padającego promieniowania.
Rys. 1.8. Fotodioda pn
W fotodiodzie pin między domieszkowanymi obszarami p-nznajduje się war-
stwa półprzewodnika samoistnego i. W takiej strukturze warstwa zaporowa ma dużą
grubość, równą w przybliżeniu grubości warstwy samoistnej, co powoduje że pojem-
ność takiego złącza jest bardzo mała, z czym wiąże się mała bezwładność działania
fotodiody.
Rys. 1.9. Fotodioda pin
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
9
Fotodioda lawinowa jest elementem pracującym w zakresie przebicia lawino-
wego złącza pn.
Rys. 1.10. Fotodioda lawinowa
Fotodioda lawinowa jest najbardziej czułym, półprzewodnikowym detektorem
światła. Fotoprąd jest tak duży, jak w zwykłej fotodiodzie, ale jest wzmacniany w war-
stwie, gdzie fotoelektrony są przyspieszane przez silne pole elektryczne. Pociąga to
za sobą dalsze elektrony, które z kolei pociągają następne. Jest to tak zwany efekt
lawinowy. Sygnał jest wzmacniany wewnętrznie ok. 100 razy. Diody lawinowe są
czułe na różnice napięcia i temperatury i dlatego muszą być bardzo dokładnie kom-
pensowane.
Fotodioda –zastosowanie
• Detektory światła widzialnego i podczerwonego,
• Detektory kartek, końca taśmy,
• Mierniki odległości i wymiarów,
• Komunikacja światłowodowa.
Fotodioda -parametry
• Maksymalne napięcie wsteczne U
r
,
• Czułość na natężenie oświetlenia,
• Czułość na moc promieniowania,
• Czas narastania,
• Prąd ciemny,
• Kąt detekcji,
• Zależność czułości od długości fali padającego światła.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
10
1.2.3. Fototranzystor
Fototranzystorem nazywamy element półprzewodnikowy z dwoma złączami p-
n. Działa tak samo jak tranzystor z tą różnicą, że prąd kolektora nie zależy od prądu
bazy, lecz od natężenia promieniowania oświetlającego obszar bazy. Oświetlenie
wpływa na rezystancję obszaru emiter-baza. Fototranzystory wykonuje się najczę-
ściej z krzemu.
Rys. 1.11. Zasada działania fototranzystora.
Oświetlenie fototranzystora powoduje wygenerowanie par elektron-dziura w
warstwie typu p. Elektrony jako ujemne nośniki ładunku przechodzą do obszaru ko-
lektora dzięki polaryzacji zaporowej złącza kolektorowego. Dziury nie mogą przejść
do obwodu emiterowego z powodu istniejącej bariery potencjału na złączu baza-
emiter. Część z nich jednak przechodzi do emitera, gdyż mają dostatecznie dużą
energię kinetyczną i tam ulegają rekombinacji. Natomiast dziury, które nie przeszły
powiększają nieskompensowany ładunek dodatni, obniżając barierę energetyczną
złącza emiterowego. W wyniku czego elektrony z obszaru n pokonują barierę zwięk-
szając strumień elektronów przechodzących z emitera do bazy, a potem do kolekto-
ra. Elektrony te zwiększają prąd kolektora w znacznie większym stopniu, niż elektro-
ny, które powstały w wyniku generacji par elektron-dziura bezpośrednio w obszarze
bazy pod wpływem oświetlenia. W ten sposób zachodzi wewnętrzne wzmocnienie
prądu fotoelektrycznego I
P
. Przez fototranzystor nie oświetlony płynie niewielki prąd
ciemny I
CE0
. Natomiast prąd jasny kolektor-emiter fototranzystora w układzie WE z
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
11
rozwartą bazą opisany jest zależnością:
p
CE
e
CE
I
I
I
β
+
=
0
)
(
W fototranzystorach końcówka może być wyprowadzona na zewnątrz obudo-
wy lub nie, dlatego też fototranzystor może pracować jako:
• fotoogniwo, wykorzystuje się tu złącze kolektor-baza (rys. 1.12 a),
• fotodioda, wykorzystane jest tu złącze kolektor-baza przy polaryzacji zaporowej (rys.
1.12 b),
• fototranzystor bez wyprowadzonej końcówki bazy w tym przypadku pracuje jako nor-
malny Fototranzystor (rys. 1.12 c),
• fototranzystor z wyprowadzoną końcówką bazy – można go niezależnie sterować
optycznie i elektrycznie (rys. 1.12 d).
a) b) c) d)
Rys. 1.12. Fo-
totranzystor
Charakterystyka prądowo – napięciowa. Jest ona identyczna z kształtem kon-
wencjonalnego tranzystora. Ze wzrostem temperatury złącza zwiększa się prąd
ciemny i prąd fotoelektryczny. Wartość prądu ciemnego zależy od napięcia U
CE
.
Fototranzystory mają znacznie większą czułość dzięki wzmocnieniu we-
wnętrznemu pierwotnego prądu fotoelektrycznego oraz możliwość jednoczesnego
sterowania prądu kolektora za pomocą sygnałów elektrycznych i świetlnych. Wadą
fototranzystorów jest ich mała prędkość działania. Częstotliwość graniczna f
T
jest
rzędu kilkudziesięciu kiloherców.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
12
Rys. 1.13. Fototranzystor:: a) charakterystyka prądowo – napięciowa,
b)charakterystyka czułości widmowej.
Fototranzystory znalazły duże zastosowanie. Głównymi obszarami zastoso-
wania są układy automatyki i zdalnego sterowania, układy pomiarowe wielkości elek-
trycznych i nieelektrycznych, przetworniki analogowo – cyfrowe, układy łączy opto-
elektronicznych, czytniki taśm i kart kodowych itp.
1.2.4. Transoptory
Fotoodbiorniki możemy sprzęgać z diodami elektroluminescencyjnymi, w celu
przesłania sygnałów na drodze optycznej. W ten sposób uzyskujemy przekazywanie
sygnałów z jednego układu do drugiego, przy galwanicznym odseparowaniu tych
układów. Tak powstały przyrząd nazywamy transoptorem (dioda i fotodetektor w róż-
nych obudowach) lub łączem optoelektronicznym (dioda i fotodetektor w jednej obu-
dowie).
Transoptor jest półprzewodnikowym elementem optoelektronicznym, składają-
cym się z co najmniej jednego fotoemitera i co najmniej jednego fotodetektora,
umieszczonych we wspólnej obudowie (rys. 1.14.).
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
13
Rys. 1.14. Budowa transoptora
1 – fotoemiter, 2 – fotodetektor, 3 – światłowód, 4 – obudowa.
Transoptor może być:
• zamknięty – transmisja promieniowania między diodą i fotodetektorem nastę-
puje za pomocą światłowodu,
• otwarty – transmisja promieniowania między diodą i fotodetektorem następuje
w powietrzu.
Transoptor pozwala przesyłać sygnały elektryczne z wejścia na wyjście bez
połączeń galwanicznych obwodów wejściowego i wyjściowego. W transoptorze rolę
fotoemitera w obwodzie wejściowym spełnia zwykle dioda elektroluminescencyjna z
arsenku galu GaAs. Na wyjściu transoptora może znajdować się fotodioda lub foto-
tranzystor.
a)
b)
Rys. 1.15. Schemat transoptorów. a) z fotodiodą, b) z fototranzystorem.
Transoptor pracuje w zakresie podczerwieni. Parametry transoptora charakte-
ryzują właściwości jego elementów składowych, tzn. diody elektroluminescencyjnej i
fotodetektora.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
14
Rys. 1.16. Charakterystyka przejściowa transoptora:
Dioda elektroluminescencyjna – fototranzystor.
Charakterystyka przejściowa (rys. 1.16) przedstawia zależność prądu wyj-
ściowego I
0
(np. prądu kolektor-emiter I
CE
fototranzystora) od prądu wejściowego I
I
(np. prądu przewodzenia I
F
fotodiody). Z nachylenia tej charakterystyki możemy wy-
znaczyć wzmocnienie transoptora, nazywane również przekładnią prądową CTR
.
Wartość CTR zależy przede wszystkim od fotodetektora.
Ważnym parametrem jest napięcie stałe izolacji U
IO
(lub napięcie zmienne
U
io
), tj. dopuszczalna wartość napięcia przyłożonego pomiędzy zwarte końcówki wej-
ściowe i wyjściowe, nie powodująca przebicia elektrycznego izolacji transoptora. Na-
pięcie to wynosi od kilkuset woltów do kilku, a nawet kilkudziesięciu kilowoltów.
W produkcji są także transoptory otwarte: refleksyjne i szczelinowe, w których obwód
wejściowy jest sprzężony optycznie z obwodem wyjściowym za pośrednictwem
przedmiotów zewnętrznych. W transoptorach refleksyjnych promieniowanie wysyłane
przez fotemiter ulega odbiciu od przedmiotu zewnętrznego i powraca do fotodetekto-
ra. W transoptorach szczelinowych strumień promieniowania może być przerwany
mechanicznie przez przedmiot wkładany w szczelinę między fotodetektorem a foto-
emiterem.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
15
Rys. 1.17. Schematycznie przedstawiona budowa transoptora scalonego:
a) transoptor w obudowie; b) schemat struktury; c) symbol graficzny.
Rys. 1.18. Schematycznie przedstawiona budowa transoptora otwartego:
a) szczelinowego; b) odbiciowego
1 - LED; 2 - fototranzystor; 3 - obudowa;
4 - element przerywający (przesłona) lub odbijający (zwierciadło) strumień świetlny
Rys. 1.19. Transoptor jak klucz elektroniczny
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
16
Transoptory stosuje się:
• do galwanicznego rozdzielania obwodów, - np. w technice wysokich napięć,
• w technice pomiarowej i automatyce,
• w sprzęcie komputerowym,
• w sprzęcie telekomunikacyjnym.
Spełniają one również rolę potencjometrów bezstykowych oraz przekaźników
optoelektronicznych, wykorzystywanych do budowy klawiatury kalkulatorów i kompu-
terów.
W układach sygnalizacyjnych i zabezpieczających są stosowane jako:
• wyłączniki krańcowe,
• czujniki otworów,
• czujniki położenia,
• wskaźniki poziomu cieczy.
1.3 Schemat ideowy układu pomiarowego
Rys. 1.20. Schemat ideowy układu.
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
17
1.4. REALIZACJA PRAKTYCZNA ĆWICZENIA – POMIARY.
W ćwiczeniu zastosowano układ pomiarowy (rys. 1.20.) wykonany w ramach
pracy dyplomowej oraz woltomierze cyfrowe i luksomierz Lx105
1.4.1 Dokonać pomiaru napięcia fotorezystora i natężenia oświetlenia dla oprawy ze
źródłem żarówkowym.
1.4.2 Dokonać pomiaru napięcia fototranzystora i natężenia oświetlenia dla oprawy
ze źródłem żarówkowym.
1.4.3 Dokonać pomiaru napięcia fotorezystora i natężenia oświetlenia dla oprawy ze
źródłem halogenowym.
1.4.4 Dokonać pomiaru napięcia fototranzystora i natężenia oświetlenia dla oprawy
ze źródłem halogenowym.
1.4.5 Dokonać pomiaru napięcia fotorezystora i natężenia oświetlenia dla oprawy ze
źródłem LED.
1.4.6 Dokonać pomiaru napięcia fototranzystora i natężenia oświetlenia dla oprawy
ze źródłem LED.
Tematy do opracowania
1. Narysować charakterystyki U = f (E) dla pomiarów z punktów 1.4.1 – 1.1.6.
2. Dla każdej charakterystyki obliczyć względny błąd pomiaru (dla dowolnego
punktu pomiaru).
%
100
x
d
L
L
L
∆
±
=
δ
gdzie:
L
x
- wartość mierzona, ∆L
d
- błąd dyskretyzacji (rozdzielczość).
UWAGA
Konieczność przygotowania przed zajęciami informacji na temat przetwornika, dokładno-
ści i rozdzielczości luxomierza Lx105 (strony WWW na podstawie symboli przyrządów).
LABORATORIUM
Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych
Pomiary optoelektroniczne
przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych
dr inż. Marek KURKOWSKI
18
1.5. PYTANIA SPRAWDZAJĄCE
1. Natężenie oświetlenia – metodyka pomiarów.
2. Rodzaje przetworników fotoelektrycznych.
3. Transoptor – budowa i zastosowanie.
4. Pomiar natężenia oświetlenia luksomierzem - istota działania, właściwości metro-
logiczne i eksploatacyjne.
LITERATURA
1. Wykład
2. J. Piotrowski: Pomiary czujniki i metody pomiarowe wybranych wielkości fi-
zycznych i składu chemicznego WNT Warszawa 2009
3. M. Miłek: Metrologia elektryczna wielkości nieelektrycznych
Uniwersytet Zielonogórski 2006
4. A. Chwaleba, J. Czajewski: Przetworniki pomiarowe i defektoskopowe, Wy-
dawnictwo Politechniki Warszawskiej 1998
5. L. Michalski, K. Eckersdorf, J. Kucharski: Termometria – przyrządy i metody,
wyd. Politechniki Łódzkiej, Łódź 2004.
6. A. Michalski, S. Tumański, B. Żyła: Laboratorium miernictwa wielkości nieelek-
trycznych, Wydawnictwo Politechniki Warszawskiej 1999
7. Strony www firm:
INTROL
LUMEL
LABEL
NDN
DACPOL
I INNE