INS LAB PEWN 1 12 13 id 214853 Nieznany

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

1

1. POMIARY OPTOELEKTRONICZNE

1.1. Wprowadzenie

Natężenie oświetlenia dziennego jest to iloraz strumienia świetlnego po-

chodzącego od źródła światła do powierzchni oświetlanej.

]

[lx

S

E

Φ

=

Rys. 1.1. Graficzna ilustracja natężenia oświetlenia E.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

2

Rys. 1.2. Wartości natężenia oświetlenia E (źródło światła naturalne).

1.1.1. Zjawisko fotoelektryczne.

Jest to zjawisko elektryczne występujące w ciałach pod wpływem promienio-

wania elektromagnetycznego (np. światła). Jest związane ze wzrostem energii elek-

tronów w ciele wskutek pochłaniania fotonów.

Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne zwane fotoemisją elektronową zachodzi

gdy energia fotonu

ν

h padającego na powierzchnię ciała jest większa od pracy wyj-

ścia W elektronu z danej substancji.

K

E

W

h

+

=

ν

K

E

maksymalna energia kinetyczna emitowanego elektronu

Emisja fotoelektronowa występuje zatem przy promieniowaniu o częstotliwości

większej od tzw. częstotliwości progowej.

ϕ

ϕ

ν

14

0

10

42

,

2

=

=

h

e

e

ładunek elementarny

ϕ

potencjał wyjścia

h

stała Plancka

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

3

Długość fali odpowiadająca częstotliwości progowej nazywa się progiem falo-

wym emisji fotoelektrycznej

ϕ

ϕ

λ

6

0

10

24

,

1

=

=

e

hc

c

prędkość światła w próżni

Elektrony uzyskiwane w wyniku efektu fotoelektrycznego są nazywane foto-

elektronami, a wytwarzany przez nie prąd – prądem fotoelektronowym. Przy określo-

nej energii fotonów (czyli określonej długości fali) liczba fotoelektronów jest propor-

cjonalna do liczby padających fotonów.

Prąd fotoelektronowy jest zatem (przy stałej długości fali) proporcjonalny do

mocy promieniowania (prawo Stoletova).

λ

λ

Φ

= S

I

f

f

I

prąd fotoelektryczny

λ

S

czułość fotokatody

Φ

λ

strumień świetlny promieniowania monochromatycznego, padającego na foto-

katodę.

Stosunek liczby fotoelektronów do liczby padających fotonów nazywa się wy-

dajnością kwantowej emisji fotoelektronowej. Wydajność ta jest zazwyczaj bardzo

mała (rzędu

2

5

10

5

10

÷

), a jedynie w najbardziej korzystnych warunkach dochodzi

do

%

20

.

Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne zachodzi gdy energia fotonu

ν

h jest

mniejsza od pracy wyjścia W elektronu, wówczas pochłonięta energia może przy-

czynić się do swobodniejszego poruszania się elektronów w ciele (co jest związane z

przejściem elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa).

Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne przejawia się bądź w zmniejszeniu oporu wła-

ściwego ciała półprzewodnika, dielektryka (fotoprzewodnictwo), bądź na polaryzacji

złącza p-n ciała (zjawisko fotowoltaniczne).

Fotoprzewodnictwo jest to zmiana przewodności ciał pod wpływem działania

promieniowania elektromagnetycznego. Jest związane z zwiększeniem koncentracji

elektronów w paśmie przewodnictwa lub dziur w paśmie walencyjnym.

Zjawisko fotowoltaniczne polega na przechodzeniu elektronów do obszaru n, a

dziur do obszaru p w wyniku pochłonięcia energii. Na granicy tych obszarów powsta-

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

4

je różnica potencjałów. Na złączu p-n następuje zamiana energii promienistej w

energię elektryczną. Złącze staje się więc źródłem siły elektromotorycznej.

1.1.2. Wtórna emisja elektronów.

Wtórną emisją elektronów jest zjawisko fizyczne, w którym ciała stałe emitują

elektrony pod wpływem bombardowania ich powierzchni wiązką elektronów o dosta-

tecznej energii. Elektrony bombardujące nazywane są elektronami pierwotnymi, a

elektrony emitowane przez ciało elektronami wtórnymi. Materiały wykazujące emisję

wtórną nazywane są emiterami.

Wtórna emisja scharakteryzowana jest przez współczynnik emisji wtórnej

p

w

I

I

=

δ

w

I

prąd elektronów wtórnych

p

I

prąd elektronów pierwotnych

1.2. Przetworniki fotoelektryczne.

Wszystkie przyrządy fotoelektryczne można podzielić na dwie grupy ze wzglę-

du na kierunek przemiany energetycznej. Pierwszą grupę stanowią fotodetektory i

fotoogniwa, tj. przyrządy służące do przemiany sygnałów optycznych ( energii świa-

tła ) w sygnały elektryczne ( energię elektryczną).

W tej grupie można wymienić przede wszystkim:

- fotorezystory;

- fotodiody i fotoogniwa;

- fototranzystory.

Druga grupa obejmuje wskaźniki i źródła światła, tj. przyrządy służące do

przemiany sygnałów elektrycznych (energii elektrycznej) w sygnały optyczne (energię

światła). Są to przede wszystkim :

- diody elektroluminescencyjne;

- wskaźniki z kryształów ciekłych.

Oddzielną grupę przyrządów optoelektronicznych stanowią transoptory, tj.

przyrządy funkcjonalne działające na zasadzie sprzężenia, w jedną całość, źródła

światła (diody elektroluminescencyjnej) z fotodetektorem (fotodiodą lub fototranzysto-

rem).

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

5

1.2.1. Fotorezystory.

Są to rezystory półprzewodnikowe, których rezystancja zmienia się pod wpły-

wem oświetlenia. Światło o odpowiedniej długości fali wywołuje generację par elek-

tron-dziura. Dodatkowa liczba elektron i dziur wywołuje zwiększenie konduktywności

półprzewodnika i odpowiednie zmniejszenie rezystancji fotorezystora. Fotorezystory

są wytwarzane zwykle z takich materiałów jak siarczek kadmu ( CdS ), siarczek oło-

wiu ( PbS ), selenek ołowiu ( PbSe ), tellurek ołowiu ( PbTe ).

• Właściwości optyczne fotorezystorów.

Oświetlenie fotorezystora, do którego końcówek przyłożono napięcie, powodu-

je zwiększenie przepływu prądu. Różnica między całkowitym prądem I a prądem

ciemnym I

o

, jest nazywana prądem fotoelektrycznym I

p

, czyli I

p

= I – I

o

. Związek mię-

dzy prądem fotoelektrycznym I

p

a natężeniem oświetlenia określa zależność

γ

E

G

I

p

=

gdzie:

G, γ - wartości stałe.

Czułość widmowa to zależność rezystancji od natężenia oświetlenia. Na war-

tość czułości wpływa rodzaj materiału i sposób jego domieszkowania – dobieranie ze

względu na przeznaczenie fotorezystora. Rezystancję fotorezystora określa zależ-

ność:

l

d

R

δ

=

Rys. 1.3. Zależność rezystancji R

E

fotorezystora Cds od natężenia oświetlenia.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

6

Rezystancję fotorezystora można zwiększać przez wzrost odstępu elektrod d i

zmniejszanie szerokości l (rys. 1.4). Odległości d nie można jednak dowolnie

zmniejszać, gdyż maleje wtedy maksymalne napięcie pracy dopuszczalne dla dane-

go fotorezystora, a ponadto maleje dopuszczalna moc rozproszenia.

Rys. 1.4. Oznaczenia wymiarów fotorezystora.

Innym parametrem jest współczynnik n określany jako stosunek rezystancji

przy danej wartości natężenia oświetlenia

50

R

R

n

D

=

gdzie: R

D

– Rezystancja ciemna

R

50

– Rezystancja przy natężeniu oświetleniu równym 50 lx.

Wartość rezystancji ciemnej zależy od stopnia czystości półprzewodnika. Re-

zystancja ciemna jest około tysiąc razy większa niż rezystancja przy oświetleniu 50 lx

Na podstawie charakterystyki prądowo – napięciowej fotorezystora dobiera się wła-

ściwy obszar jego pracy. Charakterystyki te są liniowe w dużym zakresie napięć i

prądów.

Rys. 1.5. Charakterystyka prądowo – napięciowa fotorezystora.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

7

Fotorezystory wykonuje się najczęściej w postaci cienkich półprzewodniko-

wych warstw monokrystalicznych lub polikrystalicznych naniesionych izolacyjne np.

szklane podłoże (rys. 1.6a). Materiał światłoczuły rozdzielają dwie metalowe elektro-

dy mające wyprowadzenia. Elektrody te często mają kształt grzebieniowy (rys. 1.6b).

a) b)

Rys. 1.6. Fotorezystor.

a) budowa, b) grzebieniowy kształt elektrod.

Wadą fotorezystora jest wrażliwość temperaturowa.

3.2.2. Fotodiody i fotoogniwa.

W oświetlonym złączu p-n występują dwa zjawiska:

- powstaje siła elektromotoryczna ( zjawisko fotowoltaniczne );

- prąd wsteczny zależy od natężenia promieniowania świetlnego.

Pierwsze zjawisko obserwuje się przy braku polaryzacji zewnętrznej (rozwar-

cie), wówczas złącze spełnia funkcję źródła energii elektrycznej i jest nazywane fo-

toogniwem lub baterią słoneczną. Drugie zjawisko obserwuje się przy polaryzacji złą-

cza w kierunku wstecznym. Złącze spełnia wówczas funkcję rezystancji nieliniowej,

zależnej od promieniowania świetlnego i jest nazywane fotodiodą. Przyczyną obu

tych zjawisk jest generacja świetlna par elektron-dziura w obszarze warstwy zapo-

rowej złącza p-n lub w bliskim jego sąsiedztwie.

Fotoogniwa stosowane jako detektory światła, są wykonywane techniką pla-

narną w krzemie. Ich powierzchnia światłoczuła wynosi przeważnie od kilku do kilku-

dziesięciu cm

2

. Fotoogniwa stosowane w bateriach słonecznych do wytwarzania

energii elektrycznej są to złącza p-n o dużej powierzchni światłoczułej.

Fotodiody są stosowane wyłącznie do detekcji światła, podczas gdy fotoogni-

wa - do detekcji światła oraz jako źródła energii elektrycznej. Główną zaletą fotodiod

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

8

jest duża szybkość ich działania. Są one wytwarzane w różnych odmianach kon-

strukcyjnych: diody Schottky’ego, ostrzowe, diody pin, lawinowe i kwadrantowe.

Rys. 1.7. Fotodioda - symbol

Fotodioda pracuje przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym. W stanie

ciemnym (przy braku oświetlenia) przez fotodiodę płynie tylko prąd ciemny, będący

prądem wstecznym złącza określonym przez termiczną generację nośników. Oświe-

tlenie złącza powoduje generację dodatkowych nośników i wzrost prądu wstecznego

złącza, proporcjonalny do natężenia padającego promieniowania.

Rys. 1.8. Fotodioda pn

W fotodiodzie pin między domieszkowanymi obszarami p-nznajduje się war-

stwa półprzewodnika samoistnego i. W takiej strukturze warstwa zaporowa ma dużą

grubość, równą w przybliżeniu grubości warstwy samoistnej, co powoduje że pojem-

ność takiego złącza jest bardzo mała, z czym wiąże się mała bezwładność działania

fotodiody.

Rys. 1.9. Fotodioda pin

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

9

Fotodioda lawinowa jest elementem pracującym w zakresie przebicia lawino-

wego złącza pn.

Rys. 1.10. Fotodioda lawinowa

Fotodioda lawinowa jest najbardziej czułym, półprzewodnikowym detektorem

światła. Fotoprąd jest tak duży, jak w zwykłej fotodiodzie, ale jest wzmacniany w war-

stwie, gdzie fotoelektrony są przyspieszane przez silne pole elektryczne. Pociąga to

za sobą dalsze elektrony, które z kolei pociągają następne. Jest to tak zwany efekt

lawinowy. Sygnał jest wzmacniany wewnętrznie ok. 100 razy. Diody lawinowe są

czułe na różnice napięcia i temperatury i dlatego muszą być bardzo dokładnie kom-

pensowane.

Fotodioda –zastosowanie

• Detektory światła widzialnego i podczerwonego,

• Detektory kartek, końca taśmy,

• Mierniki odległości i wymiarów,

• Komunikacja światłowodowa.

Fotodioda -parametry

• Maksymalne napięcie wsteczne U

r

,

• Czułość na natężenie oświetlenia,

• Czułość na moc promieniowania,

• Czas narastania,

• Prąd ciemny,

• Kąt detekcji,

• Zależność czułości od długości fali padającego światła.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

10

1.2.3. Fototranzystor

Fototranzystorem nazywamy element półprzewodnikowy z dwoma złączami p-

n. Działa tak samo jak tranzystor z tą różnicą, że prąd kolektora nie zależy od prądu

bazy, lecz od natężenia promieniowania oświetlającego obszar bazy. Oświetlenie

wpływa na rezystancję obszaru emiter-baza. Fototranzystory wykonuje się najczę-

ściej z krzemu.

Rys. 1.11. Zasada działania fototranzystora.

Oświetlenie fototranzystora powoduje wygenerowanie par elektron-dziura w

warstwie typu p. Elektrony jako ujemne nośniki ładunku przechodzą do obszaru ko-

lektora dzięki polaryzacji zaporowej złącza kolektorowego. Dziury nie mogą przejść

do obwodu emiterowego z powodu istniejącej bariery potencjału na złączu baza-

emiter. Część z nich jednak przechodzi do emitera, gdyż mają dostatecznie dużą

energię kinetyczną i tam ulegają rekombinacji. Natomiast dziury, które nie przeszły

powiększają nieskompensowany ładunek dodatni, obniżając barierę energetyczną

złącza emiterowego. W wyniku czego elektrony z obszaru n pokonują barierę zwięk-

szając strumień elektronów przechodzących z emitera do bazy, a potem do kolekto-

ra. Elektrony te zwiększają prąd kolektora w znacznie większym stopniu, niż elektro-

ny, które powstały w wyniku generacji par elektron-dziura bezpośrednio w obszarze

bazy pod wpływem oświetlenia. W ten sposób zachodzi wewnętrzne wzmocnienie

prądu fotoelektrycznego I

P

. Przez fototranzystor nie oświetlony płynie niewielki prąd

ciemny I

CE0

. Natomiast prąd jasny kolektor-emiter fototranzystora w układzie WE z

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

11

rozwartą bazą opisany jest zależnością:

p

CE

e

CE

I

I

I

β

+

=

0

)

(

W fototranzystorach końcówka może być wyprowadzona na zewnątrz obudo-

wy lub nie, dlatego też fototranzystor może pracować jako:

• fotoogniwo, wykorzystuje się tu złącze kolektor-baza (rys. 1.12 a),

• fotodioda, wykorzystane jest tu złącze kolektor-baza przy polaryzacji zaporowej (rys.

1.12 b),

• fototranzystor bez wyprowadzonej końcówki bazy w tym przypadku pracuje jako nor-

malny Fototranzystor (rys. 1.12 c),

• fototranzystor z wyprowadzoną końcówką bazy – można go niezależnie sterować

optycznie i elektrycznie (rys. 1.12 d).

a) b) c) d)

Rys. 1.12. Fo-

totranzystor

Charakterystyka prądowo – napięciowa. Jest ona identyczna z kształtem kon-

wencjonalnego tranzystora. Ze wzrostem temperatury złącza zwiększa się prąd

ciemny i prąd fotoelektryczny. Wartość prądu ciemnego zależy od napięcia U

CE

.

Fototranzystory mają znacznie większą czułość dzięki wzmocnieniu we-

wnętrznemu pierwotnego prądu fotoelektrycznego oraz możliwość jednoczesnego

sterowania prądu kolektora za pomocą sygnałów elektrycznych i świetlnych. Wadą

fototranzystorów jest ich mała prędkość działania. Częstotliwość graniczna f

T

jest

rzędu kilkudziesięciu kiloherców.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

12

Rys. 1.13. Fototranzystor:: a) charakterystyka prądowo – napięciowa,

b)charakterystyka czułości widmowej.

Fototranzystory znalazły duże zastosowanie. Głównymi obszarami zastoso-

wania są układy automatyki i zdalnego sterowania, układy pomiarowe wielkości elek-

trycznych i nieelektrycznych, przetworniki analogowo – cyfrowe, układy łączy opto-

elektronicznych, czytniki taśm i kart kodowych itp.

1.2.4. Transoptory

Fotoodbiorniki możemy sprzęgać z diodami elektroluminescencyjnymi, w celu

przesłania sygnałów na drodze optycznej. W ten sposób uzyskujemy przekazywanie

sygnałów z jednego układu do drugiego, przy galwanicznym odseparowaniu tych

układów. Tak powstały przyrząd nazywamy transoptorem (dioda i fotodetektor w róż-

nych obudowach) lub łączem optoelektronicznym (dioda i fotodetektor w jednej obu-

dowie).

Transoptor jest półprzewodnikowym elementem optoelektronicznym, składają-

cym się z co najmniej jednego fotoemitera i co najmniej jednego fotodetektora,

umieszczonych we wspólnej obudowie (rys. 1.14.).

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

13

Rys. 1.14. Budowa transoptora

1 – fotoemiter, 2 – fotodetektor, 3 – światłowód, 4 – obudowa.

Transoptor może być:

• zamknięty – transmisja promieniowania między diodą i fotodetektorem nastę-

puje za pomocą światłowodu,

• otwarty – transmisja promieniowania między diodą i fotodetektorem następuje

w powietrzu.

Transoptor pozwala przesyłać sygnały elektryczne z wejścia na wyjście bez

połączeń galwanicznych obwodów wejściowego i wyjściowego. W transoptorze rolę

fotoemitera w obwodzie wejściowym spełnia zwykle dioda elektroluminescencyjna z

arsenku galu GaAs. Na wyjściu transoptora może znajdować się fotodioda lub foto-

tranzystor.

a)

b)

Rys. 1.15. Schemat transoptorów. a) z fotodiodą, b) z fototranzystorem.

Transoptor pracuje w zakresie podczerwieni. Parametry transoptora charakte-

ryzują właściwości jego elementów składowych, tzn. diody elektroluminescencyjnej i

fotodetektora.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

14

Rys. 1.16. Charakterystyka przejściowa transoptora:

Dioda elektroluminescencyjna – fototranzystor.

Charakterystyka przejściowa (rys. 1.16) przedstawia zależność prądu wyj-

ściowego I

0

(np. prądu kolektor-emiter I

CE

fototranzystora) od prądu wejściowego I

I

(np. prądu przewodzenia I

F

fotodiody). Z nachylenia tej charakterystyki możemy wy-

znaczyć wzmocnienie transoptora, nazywane również przekładnią prądową CTR

.

Wartość CTR zależy przede wszystkim od fotodetektora.

Ważnym parametrem jest napięcie stałe izolacji U

IO

(lub napięcie zmienne

U

io

), tj. dopuszczalna wartość napięcia przyłożonego pomiędzy zwarte końcówki wej-

ściowe i wyjściowe, nie powodująca przebicia elektrycznego izolacji transoptora. Na-

pięcie to wynosi od kilkuset woltów do kilku, a nawet kilkudziesięciu kilowoltów.

W produkcji są także transoptory otwarte: refleksyjne i szczelinowe, w których obwód

wejściowy jest sprzężony optycznie z obwodem wyjściowym za pośrednictwem

przedmiotów zewnętrznych. W transoptorach refleksyjnych promieniowanie wysyłane

przez fotemiter ulega odbiciu od przedmiotu zewnętrznego i powraca do fotodetekto-

ra. W transoptorach szczelinowych strumień promieniowania może być przerwany

mechanicznie przez przedmiot wkładany w szczelinę między fotodetektorem a foto-

emiterem.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

15

Rys. 1.17. Schematycznie przedstawiona budowa transoptora scalonego:

a) transoptor w obudowie; b) schemat struktury; c) symbol graficzny.

Rys. 1.18. Schematycznie przedstawiona budowa transoptora otwartego:

a) szczelinowego; b) odbiciowego

1 - LED; 2 - fototranzystor; 3 - obudowa;

4 - element przerywający (przesłona) lub odbijający (zwierciadło) strumień świetlny

Rys. 1.19. Transoptor jak klucz elektroniczny

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

16

Transoptory stosuje się:

• do galwanicznego rozdzielania obwodów, - np. w technice wysokich napięć,

• w technice pomiarowej i automatyce,

• w sprzęcie komputerowym,

• w sprzęcie telekomunikacyjnym.

Spełniają one również rolę potencjometrów bezstykowych oraz przekaźników

optoelektronicznych, wykorzystywanych do budowy klawiatury kalkulatorów i kompu-

terów.

W układach sygnalizacyjnych i zabezpieczających są stosowane jako:

• wyłączniki krańcowe,

• czujniki otworów,

• czujniki położenia,

• wskaźniki poziomu cieczy.

1.3 Schemat ideowy układu pomiarowego

Rys. 1.20. Schemat ideowy układu.

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

17

1.4. REALIZACJA PRAKTYCZNA ĆWICZENIA – POMIARY.

W ćwiczeniu zastosowano układ pomiarowy (rys. 1.20.) wykonany w ramach

pracy dyplomowej oraz woltomierze cyfrowe i luksomierz Lx105

1.4.1 Dokonać pomiaru napięcia fotorezystora i natężenia oświetlenia dla oprawy ze

źródłem żarówkowym.

1.4.2 Dokonać pomiaru napięcia fototranzystora i natężenia oświetlenia dla oprawy

ze źródłem żarówkowym.

1.4.3 Dokonać pomiaru napięcia fotorezystora i natężenia oświetlenia dla oprawy ze

źródłem halogenowym.

1.4.4 Dokonać pomiaru napięcia fototranzystora i natężenia oświetlenia dla oprawy

ze źródłem halogenowym.

1.4.5 Dokonać pomiaru napięcia fotorezystora i natężenia oświetlenia dla oprawy ze

źródłem LED.

1.4.6 Dokonać pomiaru napięcia fototranzystora i natężenia oświetlenia dla oprawy

ze źródłem LED.

Tematy do opracowania

1. Narysować charakterystyki U = f (E) dla pomiarów z punktów 1.4.1 – 1.1.6.

2. Dla każdej charakterystyki obliczyć względny błąd pomiaru (dla dowolnego

punktu pomiaru).

%

100

x

d

L

L

L

±

=

δ

gdzie:

L

x

- wartość mierzona, ∆L

d

- błąd dyskretyzacji (rozdzielczość).

UWAGA

Konieczność przygotowania przed zajęciami informacji na temat przetwornika, dokładno-
ści i rozdzielczości luxomierza Lx105 (strony WWW na podstawie symboli przyrządów).

background image

LABORATORIUM

Pomiary elektryczne wielkości nieelektrycznych

Pomiary optoelektroniczne


przedstawione materiały zostały użyte wyłącznie w celach dydaktycznych

dr inż. Marek KURKOWSKI

18

1.5. PYTANIA SPRAWDZAJĄCE

1. Natężenie oświetlenia – metodyka pomiarów.

2. Rodzaje przetworników fotoelektrycznych.

3. Transoptor – budowa i zastosowanie.

4. Pomiar natężenia oświetlenia luksomierzem - istota działania, właściwości metro-

logiczne i eksploatacyjne.

LITERATURA

1. Wykład

2. J. Piotrowski: Pomiary czujniki i metody pomiarowe wybranych wielkości fi-

zycznych i składu chemicznego WNT Warszawa 2009

3. M. Miłek: Metrologia elektryczna wielkości nieelektrycznych

Uniwersytet Zielonogórski 2006

4. A. Chwaleba, J. Czajewski: Przetworniki pomiarowe i defektoskopowe, Wy-

dawnictwo Politechniki Warszawskiej 1998

5. L. Michalski, K. Eckersdorf, J. Kucharski: Termometria – przyrządy i metody,

wyd. Politechniki Łódzkiej, Łódź 2004.

6. A. Michalski, S. Tumański, B. Żyła: Laboratorium miernictwa wielkości nieelek-

trycznych, Wydawnictwo Politechniki Warszawskiej 1999

7. Strony www firm:

INTROL
LUMEL
LABEL
NDN
DACPOL
I INNE


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
INS LAB PEWN 4 12 13 id 214856 Nieznany
INS LAB PEWN 5 12 13
INS LAB PEWN 3 12 13
INS LAB PEWN 6 12 13
INS LAB PEWN 2 12 13
INS LAB PEWN 7 12 13
piae wyklad3 12 13 id 356381 Nieznany
piae wyklad3 12 13 id 356381 Nieznany
Lab 13 id 257441 Nieznany
Lab 13 id 99126 Nieznany
c3 19 12 2010 id 97134 Nieznany
cw 13 id 121763 Nieznany

więcej podobnych podstron