XXXV
OLIMPIAD
A
WIEDZY
TECHNICZNEJ
Za
w
o
dy
I
I
I
stopnia
Rozwi¡zania zada« dla grupy elektryczno-elektronicznej
Rozwi¡zanie zadania 1
Analizuj¡c cykl pracy urz¡dzenia przebiegi czasowe sygnaªów wyj±ciowych czujników po-
miarowych
S
1 i
S
2 oraz sygnaªów zaª¡czaj¡cych zespoªy nap¦dowe
M
O T
1 i
M
O T
2 b¦d¡ jak
na rys.1.
S2
S1
MOT2
MOT1
t
t
t
t
S1 S2 MOT1 MOT2
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
Tabela prawdy
Rys.1. Przebiegi czasowe i tabela prawdy
Wypeªniaj¡c tabel¦ prawdy otrzymuje si¦ rozwi¡zanie w postaci:
M
O T
2 =
S
1 +
S
2 =
S
1 +
S
2 =
S
1
S
2
;
M
O T
1 =
M
O T
2
:
Schemat logiczny realizuj¡ce obie funkcje przedstawiono na rys.2.
S1
S2
MOT 1
MOT 2
Rys.2. Realizacja ukªadu przy u»yciu bramek NAND
1
Sygnaª blokady
B
= 0, który w razie awarii b¦dzie natychmiast wyª¡czaª oba ukªady nap¦-
dowe, uwzgl¦dniono na rys.3.
S1
S2
B
S1
S2
MOT 2
MOT 1
Rys.3. Realizacja ukªadu sterowania przy u»yciu bramek NAND z uwzgl¦dnieniem sygnaªu
blokady
B
= 0
Rozwi¡zanie zadania 2
Na rys.1a. przedstawiono diagram impulsów steruj¡cych ª¡cznikami
S
1,
S
2,
S
3,
S
4. Na
diagramie zaznaczono stany pracy falownika. Poniewa» na zaciskach odbiornika
R
0 napi¦cie
wyst¡pi tylko w stanach aktywnych
A
to chwilowe napi¦cie
u
0 b¦dzie miaªo przebieg jak na
rys.1.b.
Rys.1. Przebiegi sygnaªów w falowniku,
a) Diagram impulsów steruj¡cych ª¡cznikami
S
1,
S
2,
S
3,
S
4 i stany pracy falownika,
b) Przebieg chwilowego napi¦cia wyj±ciowego falownika
2
Warto±¢ maksymaln¡
U
M
napi¦cia
u
0 mo»na obliczy¢ wyznaczaj¡c wspóªczynnik
D
.
W czasie
t
=
T
(
T
= 200
s) wystepuj¡ 4 stany zwarcia
t
Z
= 20
s, rys.1.a
.
Caªkowity czas zwarcia za okres
T
jest równy:
t
Z
C
= 4
t
Z
= 4
20 = 80
s,
D
=
t
Z
C
T
= 80
200 = 0
;
4
;
U
M
= 2
E
1
D
1 2
D
= 2
100 1 0
;
4
1 2
0
;
4 = 600 V.
Warto±¢ ±redni¡ napi¦cia
u
0 za okres 2
T
mo»na obliczy¢ z zale»no±ci:
U
AV
(2
T
)
2
T
= 4
U
M
t
A
;
gdzie
t
A
= 20
s,
U
AV
(2
T
) =
2
U
M
t
A
T
= 2
600
20
200
= 120 V.
Warto±¢ ±redni¡ napi¦cia
u
0 za okres 4
T
jest równa 0 V.
Warto±¢ skuteczn¡ (±redni¡ kwadratow¡)
U
napi¦cia wyj±ciowego
u
0 falownika mo»na obli-
czy¢ z zale»no±ci:
U
2
T
= 2
U
2
M
t
A
;
U
=
U
M
v
u
u
t
2
t
A
T
= 600
s
2
20
200 = 268 V.
Z rys.1b. wynika, »e okres pierwszej harmonicznej napi¦cia wyj±ciowego falownika
u
0 jest
równy
T
f
= 800
s. Zatem cz¦stotliwo±¢
f
f
mo»na obliczy¢ ze wzoru:
f
f
= 1
T
f
=
1
800
10 6
= 1250 Hz.
3
Rozwi¡zanie zadania 3
Z danych zadania wynika, »e
U
p
1 = 5000 V,
U
p
2 = 400 V.
Moc znamionowa
S
N
transformatora to moc pozorna dostarczona do odbiornika.
S
N
=
S
2 = 3
U
f
2
I
f
2
;
U
f
2 =
U
p
2
p
3 =
400
p
3
230 V,
I
f
2 =
S
2
3
U
f
2
= 4000
3
230
5
;
8 A.
Moc czynna dostarczana do odbiornika jest równa:
P
2 =
S
2 cos
'
2 = 4000
0
;
8 = 3200 W.
Moc czynna
P
1 dostarczona do transformatora jest wi¦ksza od mocy
P
2 o moc strat
P
.
P
1 =
P
2 +
P
=
P
2
= 3200
0
;
93 = 3440 W.
P
=
P
1
P
2 =
P
2
1
1
!
= 3200
1
0
;
93 1
!
240 W.
Moc pozorna
S
1 po stronie pierwotnej transformatora jest równa:
S
1 =
P
1
cos
'
1
= 3440
0
;
83 = 4145 VA.
Poniewa»
S
1 = 3
U
f
1
I
f
1
;
U
f
1 =
U
p
1
p
3 =
5000
p
3
2887 V,
to
I
f
1 =
S
1
3
U
f
1
= 4145
3
2887
0
;
48 A.
Maj¡c do dyspozycji dwa transformatory o grupie poª¡cze«
Yy0
i
Yd0
mo»na zbudowa¢:
prostownik trójpulsowy i sze±ciopulsowy, dwa niezale»ne prostowniki sze±ciopulsowe lub jeden
prostownik dwunastopulsowy.
4
Rozwi¡zanie problemu technicznego
NAND
+5V
+5V
4k7
AD7
A
A7
0
Zatrzask
8282
STB
CE
A10
A11
A12
A13
A14
A15
XTAL1
XTAL2
EA
RESET
P1 P1.7/RD
P1.6/WR
AD0
A
B
C
E3
E1
E2
Dekoder
74LS
138
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
AND
AND
D0
D7
EPROM
2kx8
A0
A9
CS
OE
OE
CS
R W
4k7
74LS
244
4k7
+5V
74LS
373
EN
1G
2G
OC
RAM
1kx8
D0
D7
D0
D7
D0
D7
D0
D7
D0
D7
4k7
1
3
4
12
13
8
P3
P0
P2
6
7
PSEN
ALE
14
5
A0
A9
2
9
11
WY
WE
10
Mikroprocesor
80C51
Rys.1. Bª¦dy wyst¦puj¡ce na schemacie z zadania
5
Na rys.1 zaznaczono wyst¦puj¡ce na schemacie bª¦dy:
1. Pin CE ÿzatrzasku" 8282 powinien by¢ poª¡czony z mas¡.
2. EPROM wymaga bitu adresowego A10.
3. Do bramki powinny dochodzi¢ sygnaªy wyj±ciowe dekodera Y0 i Y1.
4. Bit A15 ma by¢ równy 0, wi¦c na wej±ciu E3 potrzebny jest negator.
5. Do sterowania ÿzatrzaskiem" sªu»y sygnaª ALE, a nie sygnaª PSEN.
6. Zamieniono miejscami oznaczenia bram P0 i P2.
7. Zamieniono miejscami bramy P1 i P3.
8. Pin EA powinien by¢ poª¡czony z mas¡.
9. Pin OE pami¦ci RAM powinien by¢ sterowany sygnaªem RD.
10. Zamieniono miejscami symbole bram WE i WY oraz kierunki przepªywu danych.
11. Pin OC ukªadu 74LS373 powinien by¢ poª¡czony z mas¡.
12. Sygnaªy Y3 i RD s¡ aktywne w stanie zero, wi¦c ich iloczyn nale»y uformowa¢ bramk¡
OR.
13. Sygnaªy Y3 i WR s¡ aktywne w stanie zero, wi¦c negacj¦ ich iloczynu nale»y uformowa¢
bramk¡ NOR.
14. Do sterowania zewn¦trznej pami¦ci programu sªu»y sygnaª PSEN a nie sygnaª ALE.
Prawidªowy schemat zaprojektowanego bloku pami¦ci zewn¦trznych z bram¡ wej±ciow¡
i bram¡ wyj±ciow¡ przedstawiono na rys.2.
6
AD7
A
A7
0
Zatrzask
8282
STB
CE
A10
A11
A12
A13
A14
A15
XTAL1
XTAL2
EA
RESET
P3
AD0
A
B
C
E3
E1
E2
Dekoder
74LS
138
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
AND
D0
D7
EPROM
2kx8
A0
A9
CS
OE
OE
CS
R W
74LS
244
74LS
373
EN
1G
2G
OC
RAM
1kx8
D0
D7
D0
D7
D0
D7
D0
D7
D0
D7
P1
P0
PSEN
ALE
A0
WY
WE
A10
OR
NOR
P2
P3.7/RD
P3.6/WR
AD0
AD7
Mikroprocesor
80C51
Rys.2. Prawidªowy schemat bloku pami¦ci zewn¦trznych z bram¡ wej±ciow¡ i bram¡ wyj±ciow¡
7