I.
G
RAFICZNE PRZEDSTAWI
E
NIE PUNKTU PRACY
.
Na rys. 1 przedstawiono wzmacniacz w konfiguracji wspólnego emitera oraz jego schemat
stałoprądowy i zmiennoprądowy.
a)
b)
rys. 1. Wzmacniacz w konfiguracji OE i jego schemat stałoprądowy (a) oraz
zmiennoprądowy (b).
Pojemności sprzęgające C
S1
, C
S2
oraz pojemność blokująca C
E
zostały tak dobrane, że dla
częstotliwości sygnałów wzmacnianych przez układ ich impedancje są bliskie zeru.
W układzie występują wartości chwilowe napięć i prądów:
c
CQ
C
i
I
i
+
=
(1)
ce
CEQ
CE
u
U
u
+
=
(2)
Są one superpozycją składowych stałych I
CQ
, U
CEQ
i składowych zmiennych i
c
, u
ce
. Składowe
stałe prądu i napięcia są związane zależnością:
CEQ
E
E
C
CQ
CC
U
)
R
R
R
(
I
U
+
+
+
=
2
1
(3)
Jest to równanie statycznej prostej pracy w polu charakterystyk wyjściowych i
C
(u
CE
)
tranzystora (rys. 2a).
rys. 2.
Statyczna (a) i dynamiczna (b) prosta pracy w polu charakterystyk wyjściowych
i
C
(u
CE
)
tranzystora.
Punkt pracy Q leży w przecięciu statycznej prostej pracy z charakterystyką wyjściową
tranzystora określoną prądem bazy I
BQ
:
)
)(
1
(
2
1
12
2
1
2
E
E
BQ
BEQ
BQ
CC
R
R
I
U
R
I
R
R
R
U
+
+
+
+
=
+
β
(4)
Związek pomiędzy składową zmienną prądu kolektora i napięcia kolektor-emiter przedstawia
zależność opisującą schemat z rys. 1b.
1
E
CO
ce
c
R
R
u
i
+
−
=
(5)
Na podstawie zależności (1), (2), (5) otrzymujemy
1
1
E
CO
CEQ
CQ
E
CO
CE
C
R
R
U
I
R
R
u
i
+
+
+
+
−
=
(6)
Jest to równanie dynamicznej prostej pracy w polu charakterystyk wyjściowych i
C
(u
CE
)
tranzystora (rys. 2b). Dynamiczna prosta pracy przechodzi przez punkt pracy Q. Chwilowy
punkt pracy, który jest wyznaczony chwilowymi wartościami prądu i napięcia porusza się po
dynamicznej prostej pracy w takt zmian sygnału wejściowego powodującego zmianę prądu
bazy i
B
oraz napięcia baza-emiter u
BE
. Zatem chwilowa wartość prądu kolektora i
C
może
maksymalnie wzrosnąć do wartości (pomijając dla uproszczenia obszar nasycenia tranzystora)
1
max
)
0
(
E
CO
CEQ
CQ
CE
C
C
R
R
U
I
u
i
i
+
+
=
=
=
(7)
oraz zmaleć do wartości (pomijając dla uproszczenia obszar zatkania tranzystora)
0
min
=
C
i
(8)
Chwilowa wartość potencjału kolektora u
C
jest superpozycją składowej stałej (rys. 1a)
C
CQ
CC
C
R
I
U
U
−
=
(9)
i składowej zmiennej (rys. 1b)
CO
c
c
R
i
u
−
=
(10)
c
C
C
u
U
u
+
=
(11)
Korzystając z zależności (11), (9), (10), (1) otrzymujemy wartość chwilową potencjału
kolektora u
C
w funkcji wartości chwilowej prądu kolektora i
C
CO
C
CO
CQ
C
CQ
CC
C
R
i
R
I
R
I
U
u
−
+
−
=
(12)
Wartość chwilowa potencjału kolektora u
C
może osiągnąć wartość maksymalną
CO
CQ
C
CQ
CC
C
C
C
R
I
R
I
U
i
u
u
+
−
=
=
)
(
min
max
(13)
i analogicznie minimalną
1
max
min
)
(
E
CO
CO
CEQ
C
CQ
CC
C
C
C
R
R
R
U
R
I
U
i
u
u
+
−
−
=
=
(14)
Przebieg potencjału kolektora dla wzmacniacza pracującego w punkcie pracy Q (
rys. 2)
dobranym bliżej stanu zatkania w pełni wysterowanego przebiegiem sinusoidalnym tak, aby
nie występowały zniekształcenia przedstawiono na
rys. 3.
rys. 3. Przebieg potencjału kolektora z jego ograniczeniami
Maksymalna amplituda przebiegu niezniekształconego potencjału kolektora
U
c
, a zatem
i napięcia wyjściowego
U
wy
(napięcie wyjściowe jest równe potencjałowi kolektora
pozbawionemu przez kondensator
C
S2
składowej stałej) jest mniejszą z wartości:
}
,
min{
1
E
CO
CO
CEQ
CO
CQ
wy
c
R
R
R
U
R
I
U
U
+
=
=
(15)
Zatem punkt pracy jest dobrany optymalnie, gdy
1
E
CO
CO
CEQ
CO
CQ
R
R
R
U
R
I
+
=
(16)
czyli, gdy leży on w połowie dynamicznej prostej pracy (
rys. 2). Prąd kolektora optymalnego
punktu pracy wyznaczony zależności (3) i (16) wynosi:
CO
E
E
C
CC
CQopt
R
R
R
R
U
I
+
+
+
=
2
1
2
(17)
Wtedy maksymalną amplitudę przebiegu niezniekształconego potencjału kolektora
U
c opt
i napięcia wyjściowego
U
wy opt
określa zależność:
CO
E
E
C
CO
CC
opt
wy
opt
c
R
R
R
R
R
U
U
U
+
+
+
=
=
2
1
2
(18)
Ekstremalne wartości chwilowe potencjału kolektora
u
Cmin
, u
Cmax
można wyznaczyć
inną metodą analizując układ wzmacniacza przedstawiony na
rys. 4. Na rys. 4a zaznaczono
wartości napięć stałych na pojemnościach
C
S2
, C
E
. Rysunki
4b i 4c przestawiają układ z rys.
4a, w którym zgodnie z zasadą kompensacji (w sieci skupionej o jednoznacznie określonych
prądach i napięciach, w której na wyróżnionym dwójniku występuje napięcie
u oraz prąd i,
dowolne napięcia i prądy nie ulegną zmianie, jeśli wyróżniony dwójnik zastąpimy idealnym
źródłem napięciowym kompensującym o sile elektromotorycznej e = u albo idealnym
źródłem prądowym kompensującym o wydajności j = i.) kondensatory zastąpimy idealnymi
źródłami napięcia. Układ z rys. 4b pozwala wyznaczyć maksymalną wartość chwilową
potencjału kolektora (tranzystor zatkany w największym przybliżeniu stanowi rozwarcie)
Można wykazać, że zależność (19) jest równoważna zależności (13). Analogicznie
rozważając
rys. 4c można wyznaczyć u
Cmin
(tranzystor nasycony w największym przybliżeniu
stanowi zwarcie)
1
2
1
1
2
min
)
(
E
CO
CO
E
CQ
E
CO
E
O
C
C
CQ
CC
C
R
R
R
R
I
R
R
R
R
R
R
I
U
u
+
+
+
+
−
=
(20)
O
C
C
C
CQ
CC
O
C
O
CC
C
R
R
R
R
I
U
R
R
R
U
u
+
−
+
+
=
)
(
max
(19)
Zależność (20) jest równoważna zależności (14). W analogiczny sposób można rozważyć
wzmacniacz w konfiguracji OC i OB.
a)
b)
≡
c)
≡
rys. 4. Układy do wyznaczania ekstremalnych wartości potencjału kolektora.
II.
O
BLICZANIE WZMACNIACZA Z ZAPEWNIENIEM OKREŚLONEGO
PUNKTU PRACY TRANZYSTORA
.
1)
Wyznaczanie rezystorów R
C
, R
E
Składowe stałe prądu kolektora I
CQ
i napięcia kolektor-emiter U
CEQ
są związane zależnością
(statyczna prosta pracy):
CEQ
E
C
CQ
EE
CC
U
R
R
I
U
U
+
+
=
−
)
(
Wykorzystując praktyczną zależność:
C
E
R
R
1
,
0
=
pozwalającą osiągnąć dobrą stabilizację punktu pracy i jednocześnie stosunkowo dużą
amplitudę sygnału wyjściowego niezniekształconego otrzymujemy:
CQ
CEQ
EE
CC
C
I
U
U
U
R
1
,
1
−
−
=
2)
Wyznaczanie rezystorów R
1
, R
2
Potencjał bazy wynosi:
BE
E
CQ
EE
B
U
R
I
U
U
+
+
=
Zakładając, że wystarczającym warunkiem „sztywności” dzielnika zasilającego bazę jest
10-krotnie większy prąd dzielnika od prądu bazy I
BQ
otrzymujemy zależności pozwalające
wyznaczyć R
1
, R
2
:
CQ
BB
B
CQ
BQ
BB
B
I
U
U
R
R
I
R
I
U
U
10
10
10
2
0
2
2
0
2
2
−
=
⇒
=
=
−
β
β
CQ
B
BB
CQ
BQ
BB
BB
I
U
U
R
R
I
R
I
U
U
11
11
11
1
0
1
1
0
1
1
−
=
⇒
=
=
−
β
β
3)
Wyznaczanie niezbędnych parametrów małosygnałowych.
transkonduktancja tranzystora
mV
U
U
I
U
I
g
T
T
CQ
T
EQ
m
26
,
=
≈
=
rezystancja
m
e
b
g
r
0
'
β
=
rezystancja wejściowa wzmacniacza
e
b
e
b
e
b
e
b
b
r
R
r
R
R
R
r
R
R
r
R
R
R
'
2
'
1
2
1
'
2
1
'
2
1
+
+
=
=
rezystancja obciążenia tranzystora
O
C
O
C
CO
O
C
L
R
R
R
R
R
R
R
R
+
=
=
=
skuteczne wzmocnienie napięciowe
L
m
g
b
b
uso
R
g
R
R
R
k
+
−
=
R
g
– zadana rezystancja generatora
i
W
G
g
R
R
R
R
+
+
=
(R
G
– rezystor dołączany
zewnętrznie,
Ω
=
200
W
R
- rezystancja wyjściowa generatora sygnału SGS1,
Ω
=
51
i
R
rezystancja rezystora przeciwwzbudzeniowego w układzie).
Jeżeli wartość wzmocnienia nie zgadza się z wartością zadaną, cykl obliczeń należy
powtórzyć rozsądnie zmieniając proporcje pomiędzy prądem dzielnika R
1
, R
2
a prądem bazy
(zwracając jednakże uwagę, aby rezystancja wejściowa wzmacniacza ograniczona była
głównie przez rezystancję r
b’e
, tzn. aby rezystory R
1
, R
2
znacznie jej nie zmniejszały). Jeśli
mimo tego nie osiągnięto pożądanego rezultatu należy rozsądnie zmienić warunek
C
E
R
R
1
,
0
=
, a przedtem sprawdzić obliczenia.
III. O
BLICZANIE WZMACNIACZA O MAKSYMALNEJ AMPLITUDZIE
NIEZNIEKSZTAŁCONEGO SYGNAŁU WYJŚCIOWEGO I OKREŚLONYM
WZMOCNIENIU
.
1)
Dobór
punktu
pracy
umożliwiającego
uzyskanie
maksymalnej
amplitudy
niezniekształconego sygnału wyjściowego.
Korzystając z rozważań ujętych w „graficznym przedstawieniu punktu pracy”
i adaptując je do poniższego układu otrzymujemy kolejno zależności:
a)
b)
+
=
+
=
ce
CEQ
CE
c
CQ
C
u
U
u
i
I
i
(1)
(2)
CEQ
E
C
CQ
EE
CC
U
R
R
I
U
U
+
+
=
−
)
(
(3)
EE
E
BQ
BEQ
BQ
BB
BB
U
R
I
U
R
I
R
R
R
U
R
R
R
U
+
+
+
+
=
+
+
+
)
1
(
12
2
1
1
2
2
1
2
1
β
(4)
CO
ce
c
R
u
i
−
=
(5)
CO
CEQ
CQ
CO
CE
C
R
U
I
R
u
i
+
+
−
=
(6)
CO
CEQ
CQ
CE
C
C
R
U
I
u
i
i
+
=
=
=
)
0
(
max
(7)
0
min
=
C
i
(8)
C
CQ
CC
C
R
I
U
U
−
=
(9)
CO
c
c
R
i
u
−
=
(10)
c
C
C
u
U
u
+
=
(11)
CO
C
CO
CQ
C
CQ
CC
C
R
i
R
I
R
I
U
u
−
+
−
=
(12)
CO
CQ
C
CQ
CC
C
C
C
R
I
R
I
U
i
u
u
+
−
=
=
)
(
min
max
(13)
CEQ
C
CQ
CC
C
C
C
U
R
I
U
i
u
u
−
−
=
=
)
(
max
min
(14)
{
}
CEQ
CO
CQ
wy
c
U
R
I
U
U
,
min
=
=
(15)
CEQ
CO
CQ
U
R
I
=
(16)
CO
E
C
EE
CC
CQopt
R
R
R
U
U
I
+
+
−
=
(17)
CO
E
C
CO
EE
CC
opt
wy
opt
c
R
R
R
R
U
U
U
U
+
+
−
=
=
)
(
(18)
Zależność (17) określa optymalną, pod względem wielkości amplitudy niezniekształconego
sygnału wyjściowego, wartość prądu kolektora.
2)
Zapewnienie wymaganego wzmocnienia skutecznego.
Napięciowe wzmocnienie skuteczne badanego układu wynosi:
CO
m
g
b
b
us
R
g
R
R
R
k
+
−
=
Załóżmy, że rezystory dzielnika polaryzującego bazę
R
1
, R
2
mają znikomy wpływ na
rezystancję wejściową:
e
b
e
b
b
r
r
R
R
'
'
12
≈
=
Wtedy wzmocnienie określa zależność:
g
e
'
b
CO
CO
m
g
e
'
b
e
'
b
us
R
r
R
R
g
R
r
r
k
+
−
≈
+
−
≈
0
β
0
'
26
β
CQ
e
b
I
mV
r
=
Stąd
g
CQ
CO
us
R
I
mV
R
k
+
−
=
0
0
26
β
β
Uwaga: rezystory R
1
, R
2
powodują zmniejszenie skutecznego wzmocnienia napięciowego.
Aby to uwzględnić możemy wymaganą wartość wzmocnienia zwiększyć np. o 10%.
3)
Obliczanie rezystorów R
C
, R
E
, współrzędnych punktu pracy I
CQ
, U
CEQ
oraz maksymalnej
amplitudy napięcia wyjściowego U
wy opt .
Korzystając z wcześniej wyprowadzonych zależności określających I
CQ opt
(17), k
us
oraz
z praktycznej zależności R
E
=0,1 R
C
z układu równań:
OPT
CQ
I
=
CO
E
C
EE
CC
R
R
R
U
U
+
+
−
(17)
us
k =
g
O
CQ
CO
O
R
I
mV
R
OPT
+
−
β
β
26
E
R
=0,1
C
R
możemy wyznaczyć po pracochłonnych obliczeniach dla zadanych
g
R ,
O
R ,
O
β
,
us
k i napięć
zasilających
C
R ,
OPT
CQ
I
,
E
R
.
us
k =
g
EE
CC
CO
C
O
CO
O
R
U
U
R
R
,
V
,
R
+
−
+
−
1
1
026
0
β
β
us
k =
)
U
U
(
R
)
R
R
,
(
V
,
)
U
U
(
R
EE
CC
g
CO
C
O
EE
CC
CO
O
−
+
+
−
−
1
1
026
0
β
β
us
k =
)
R
R
)(
U
U
(
R
)
R
R
)
R
R
(
R
,
(
V
,
)
U
U
(
R
R
O
C
EE
CC
g
O
C
O
C
C
O
EE
CC
O
C
O
+
−
+
+
+
−
−
1
1
026
0
β
β
0
1
2
026
0
1
1
026
0
2
=
−
+
+
−
+
−
+
+
)
U
U
(
R
R
R
k
)
U
U
(
R
R
k
)
U
U
(
R
R
R
k
,
V
,
R
k
,
V
,
EE
CC
C
O
O
O
us
EE
CC
g
C
us
EE
CC
g
C
O
us
O
C
us
O
β
β
β
0
1
2
026
0
1
1
026
0
2
=
−
+
+
−
+
−
+
+
O
us
EE
CC
g
C
EE
CC
O
O
us
EE
CC
g
O
us
O
C
us
O
R
k
)
U
U
(
R
R
)]
U
U
(
R
k
)
U
U
(
R
R
k
,
V
,
[
R
k
,
V
,
β
β
β
Rozwiązując powyższe równanie np. dla następujących danych :
U
CC
= 15 V
U
EE
= -15 V
R
g
= 3,55 k
R
0
= 10 k
β
0
= 240
k
us
= -110*1,1 (zgodnie z poprzednią uwagą)
i korzystając z zależności (17) otrzymujemy rozwiązania :
(
R
C
=3,17 k ,
R
CO
=2,41 k ,
I
CQ opt
=5,09mA ,
U
CEQ
=12,3V) oraz
(
R
C
=48,9 k ,
R
CO
=8,3 k ,
I
CQ opt
=0,48mA ,
U
CEQ
=4,0V).
Zatem istnieją dwa takie punkty pracy , dla których jest spełniona zależność (16). Jako
optymalny punkt pracy należy uznać ten, dla którego zgodnie z zależnością (18) maksymalna
amplituda niezniekształconego napięcia wyjściowego jest większa czyli dla rozważanych
danych
I
CQ opt
=5,09mA. Wtedy
U
wy opt
=12,3 V.
Należy zastanowić się czy obliczona wartość prądu kolektora nie spowoduje
wydzielania się zbyt dużej mocy strat w tranzystorze (
P
t
= I
C
U
CE
).
4)
Obliczanie rezystorów
R
1
, R
2
Rezystory
R
1
, R
2
można wyznaczyć wg algorytmu przedstawionego przy obliczaniu
wzmacniacza z zapewnieniem określonego punktu pracy tranzystora.
BEQ
E
CQ
EE
B
U
R
I
U
U
OPT
+
+
=
OPT
CQ
B
BB
O
I
U
U
R
11
1
1
−
=
β
OPT
CQ
BB
B
O
I
U
U
R
10
2
2
−
=
β
Dla rozważanego przykładu:
U
BB1
= 15 V, U
BB2
= -15 V, U
BEQ
= 0,7 V, R
E
=0,1 R
C
= 0,317 k
Otrzymujemy:
U
B
=-12,69 V
R
1
= 119 k
R
2
= 10,9 k
5)
Sprawdzenie wartości napięciowego wzmocnienia skutecznego.
Obliczenia wzmocnienia należy przeprowadzić wg algorytmu przedstawionego przy
obliczaniu wzmacniacza z zapewnieniem określonego punktu pracy tranzystora.
Ograniczając się do naszego przykładu otrzymujemy:
g
m
= 0,196 S
r
b’e
= 1,23 k
R
b
= 1,095 k
R
CO
= 2,41 k
k
us
= -111
IV. GRAFICZNE PRZEDSTAWIENIE PUNKTU PRACY WTÓRNIKA
Ź
RÓDŁOWEGO
Z
TRANZYSTOREM
MOS
Z
KANAŁEM
WZBOGACANYM TYPU N
Na rys.1 przedstawiono wzmacniacz w konfiguracji wspólnego drenu oraz jego schemat
stałoprądowy i zmienno prądowy.
a)
U
DSQ
R
S
+U
DD
I
DQ
-U
SS
U
GSQ
I
SQ
=I
DQ
b)
Rys.1. Wzmacniacz w konfiguracji OD i jego schemat stałoprądowy (a) oraz
zmiennoprądowy (b)
Pojemność sprzęgająca
C
S2
została tak dobrana, że dla częstotliwości sygnałów
wzmacnianych przez układ jej impedancja jest bliska zeru. W układzie występują wartości
chwilowe napięć i prądów:
D
DQ
d
DS
DSQ
ds
i
I
i
u
U
u
=
+
=
+
(1)
(2)
Są one superpozycją składowych stałych
I
DQ
,
U
DSQ
i składowych zmiennych i
d
,
u
ds
. Składowe
stałe prądu i napięcia są związane zależnością:
DSQ
S
DQ
SS
DD
U
R
I
U
U
+
=
+
(3)
Jest to równanie statycznej prostej pracy w polu charakterystyk wyjściowych
i
D
(u
DS
)
tranzystora (rys.2a).
Rys.2. Statyczna (a) i dynamiczna (b) prosta pracy w polu charakterystyk
i
D
(u
DS
) tranzystora.
Punkt pracy
Q leży w przecięciu statycznej prostej pracy z charakterystyką wyjściową
tranzystora określoną napięciem bramka-źródło
U
GSQ
:
S
DQ
GSQ
SS
R
I
U
U
+
=
(4)
Związek pomiędzy składową zmienną prądu drenu i napięcia dren-źródło przedstawia
zależność (5) opisująca schemat z rys.1b.
SO
ds
d
R
u
i
−
=
(5)
Na postawie zależności (1), (2), (5) otrzymujemy:
SO
DSQ
DQ
SO
DS
D
R
U
I
R
u
i
+
+
−
=
(6)
Jest to równanie dynamicznej prostej pracy w polu charakterystyk wyjściowych
i
D
(u
DS
)
tranzystora (rys.2b). Dynamiczna prosta pracy przechodzi przez punkt pracy
Q. Chwilowy
punkt pracy, który jest wyznaczony chwilowymi wartościami prądu i napięcia porusza się po
dynamicznej prostej pracy w takt zmian sygnału wejściowego powodującego zmianę napięcia
bramka-źródło
u
GS
. Zatem chwilowa wartość prądu drenu
i
D
może maksymalnie wzrosnąć
(zakładając, że tranzystor pracuje tylko w obszarze nasycenia) do wartości
)
(
max
DSP
D
DP
D
U
i
I
i
=
=
(7)
oraz zmaleć do wartości
0
min
=
D
i
(8)
Chwilowa wartość potencjału źródła
u
S
jest superpozycją składowej stałej (rys.1a)
S
DQ
SS
S
R
I
U
U
+
−
=
(9)
i składowej zmiennej (rys.1b)
s
S
S
SO
d
s
u
U
u
R
i
u
+
=
=
(10)
(11)
Korzystając z zależności (11), (9), (10), (1) otrzymujemy wartość chwilową potencjału źródła
u
S
w funkcji wartości chwilowej prądu drenu
i
D
SO
D
SO
DQ
S
DQ
SS
S
R
i
R
I
R
I
U
u
+
−
+
−
=
(12)
Wartość chwilowa potencjału źródła
u
S
może osiągnąć wartość maksymalną
SO
DP
SO
DQ
S
DQ
SS
DP
D
S
D
S
S
R
I
R
I
R
I
U
I
i
u
i
u
u
+
−
+
−
=
=
=
=
)
(
)
(
max
max
(13)
i analogicznie minimalną
SO
DQ
S
DQ
SS
D
S
D
S
S
R
I
R
I
U
i
u
i
u
u
−
+
−
=
=
=
=
)
0
(
)
(
min
min
(14)
Przebieg potencjału źródła dla wzmacniacza pracującego w punkcie pracy
Q (rys.2) w pełni
wysterowanego przebiegiem sinusoidalnym tak, aby nie wystąpiły zniekształcenia,
przedstawiono na rys.3.
Rys.3. Przebieg potencjału źródła z jego ograniczeniami
Maksymalna amplituda przebiegu niezniekształconego potencjału źródła
U
s
, a zatem i
napięcia wyjściowego
U
wy
(napięcie wyjściowe jest równe potencjałowi źródła
pozbawionemu przez kondensator
C
S2
składowej stałej) jest równa
SO
DQ
wy
s
R
I
U
U
=
=
(15)
Wynika to z analizy wzajemnego położenia punktów
P i Q.
Równanie charakterystyki tranzystora w obszarze nasycenia dane jest zależnością
2
)
(
2
'
T
GS
D
U
u
L
W
K
i
−
=
(16)
Stałą
L
W
K
2
'
można wyznaczyć znając wartość prądu drenu dla napięcia bramka-źródło
równego 2U
T
.
2
2
'
)
2
(
)
2
(
T
T
D
T
GS
D
U
L
W
K
U
i
U
u
i
=
=
=
(17)
zatem
(
)
2
GS
D
D
T
T
u
i
i
2U
1
U
=
−
(18)
Punkt P leży na paraboli
T
GS
DS
U
u
u
−
=
rozgraniczającej obszary nasycenia i liniowy
(
)
2
DSP
DP
D
T
T
U
I
i
2U
U
=
(19)
Punkt P spełnia także równanie dynamicznej prostej pracy.
SO
DSQ
DQ
SO
DSP
DP
R
U
I
R
U
I
+
+
−
=
(20)
Korzystając z tych zależności [(19), (20)] można pokazać, że spełniona jest nierówność
SO
DQ
DSQ
DSP
R
I
U
U
−
<
(21)
1) Obliczenie rezystancji R
S
rozpatrywanego wtórnika źródłowego zapewniającej uzyskanie
zadanej amplitudy sygnału wyjściowego U
wy
.
Korzystając z zależności (4) i (18) otrzymujemy równanie pozwalające obliczyć
napięcie U
GSQ
.
(22)
Stąd
(23)
Korzystając z zależności (18) i (23) obliczamy prąd I
DQ
.
(24)
Na podstawie zależności (15) amplituda sygnału wyjściowego wynosi
(25)
Gdy spełniona jest nierówność
(26)
zależności (24) i (25) można przybliżyć do następującej postaci
(27)
(28)
Z zależności (28) obliczamy rezystancję R
S
(29)
zapewniającą uzyskanie zadanej amplitudy sygnału wyjściowego. Po obliczeniu rezystancji
R
S
należy sprawdzić czy spełniona jest nierówność (26). W razie jej niespełnienia obliczenia
należy powtórzyć w oparciu o wzory nieprzybliżone.
(
)
2
2
1
GSQ
SS
GSQ
S D
T
T
U
U
U
R i
U
U
=
+
−
(
)
(
)
2
4
2
1
1
1
2
2
S D
T
SS
T
GSQ
T
S D
T
T
T
R i
U
U
U
U
U
R i
U
U
U
=
+
+
− −
(
)
(
)
2
2
2
1
4
(2
)
2
1
1
1
2
(2
)
GSQ
DQ
D
T
T
S D
T
SS
T
D
T
S D
T
T
T
U
I
i
U
U
R i
U
U
U
i
U
R i
U
U
U
=
−
=
=
+
− −
s
wy
DQ
SO
U
U
I
R
=
=
(2
)
S D
T
T
R i
U
U
SS
T
DQ
S
U
U
I
R
−
≈
(
)
O
s
wy
SS
T
S
O
R
U
U
U
U
R
R
=
≈
−
+
1
SS
T
S
O
wy
U
U
R
R
U
−
=
−
2) Dolna częstotliwość graniczna wzmocnienia napięciowego k
u
i skutecznego wzmocnienia
napięciowego k
us
.
Dolną częstotliwość graniczną badanego wtórnika wyznaczamy korzystając ze schematu
zastępczego przedstawionego na rys.4.
Rys.4. Schemat zastępczy wtórnika źródłowego w zakresie m. cz.
Korzystając z metody rozwarciowych stałych czasu
(30)
3) Górna częstotliwość graniczna skutecznego wzmocnienia napięcowego k
us
.
Górną częstotliwość graniczną wzmocnienia k
us
można wyznaczyć posługując się schematem
zastępczym badanego wtórnika pokazanym na rys.5.
Rys.5. Schemat zastępczy badanego wtórnika źródłowego do wyznaczania k
us
(jω)
Schemat ten opisują następujące zależności
(31)
(32)
1
1
1
1
1
d
S
O
O
m
ds
m
C
R
R
C
R
g
g
g
ω
=
≈
+
+
(
)(
)
gs
gs
m
gs
wy
wy
gs
G
gd
gs
gs
g
gs
wy
g
j C U
g U
GU
U
U
G
j C
j C U
R
U
U
E
ω
ω
ω
+
=
+
+
+
+
+
=
Stąd
(33)
Gdy pomiędzy elementami układu spełnione są zależności
(34)
(35)
Zależność opisującą k
us
można przybliżyć do następującej postaci:
(36)
(37)
Górną pulsacją graniczną można było wyznaczyć szybciej korzystając z metody
rozwarciowych stałych czasu. Rezystancja
g
G
R
R
jest rezystancją widzianą z zacisków
pojemności
gd
C
. Pojemność
gs
C
wprowadza do transmitancji zero. Jednakże wpływ tego zera
pojawia się dla dużo wyższych częstotliwości jak wpływ bieguna wprowadzanego przez
pojemność
gd
C
.
Z tej racji, że obie rezystancje
g
R
i
G
R
są stosunkowo duże górna częstotliwość graniczna
gs
ω
ma stosunkowo małą wartość.
4) Górna częstotliwość graniczna wzmocnienia napięciowego k
u
Ponieważ pojemność
gd
C
nie wpływa na wzmocnienie napięciowe k
u
, a pojemność
gs
C
wprowadza do transmitancji układu zero, więc aby określić górną częstotliwość graniczną
schemat zastępczy należy uzupełnić o pojemność
ds
C
. Wzmocnienie napięciowe k
u
można
uzyskać poprzez modyfikację zależności opisującej k
us
przyjmując w niej
0
g
R
=
oraz zamiast G wpisując
ds
G
j C
ω
+
. Wtedy otrzymujemy
(38)
(
)
(
)
(
)
(
)
{
}
2
1
1
m
gs
us
G
g
m
gd
g
gs
G
g
gs
g
m
gd
g
j C
k
G R
g
G
C R C
j
G
G R
C
R
g
G C
ω
ω
ω
+
=
+
+
−
+
+
+
+
+
1
,
G
g
S
O
m
R
R
R
R
g
1
1
1
,
gd
gs
m
C
C
g
ω
ω
1
1
G
us
g
G
gs
R
k
j
R
R
ω
ω
=
+
+
(
)
1
gs
gd
g
G
C
R
R
ω
=
(
)
m
gs
u
m
gs
ds
g
j C
k
g
G
j
C
C
ω
ω
+
=
+ +
+
Korzystając z poprzedniego przybliżenia
(39)
(40)
(41)
Stąd
(42)
Górna częstotliwość graniczna k
u
badanego układu jest dużo większa od górnej częstotliwości
granicznej wzmocnienia skutecznego k
us
.
1
m
S
O
g
G
R
R
=
(
)
m
gs
u
m
gs
ds
g
j C
k
g
j
C
C
ω
ω
+
≈
+
+
1
1
gs
m
u
gs
ds
m
C
j
g
k
C
C
j
g
ω
ω
+
≈
+
+
(
)
2
2
2
m
g
gs
ds
gs
g
C
C
C
ω
=
+
−