Materiały wykorzystywane do budowy anten mikropaskowych

S

TRONA

25

bardzo gwałtownie w wyższych temperaturach. Przy dużym nasłonecznieniu antena może
osiągnąć temperaturę dochodzącą do 60 °C. Ze względu na dwukrotny wzrost stałej
dielektrycznej antena utraci całkowicie swoje własności obwodowe oraz polowe.

Należy również zwrócić uwagę, że przenikalność elektryczna tego laminatu wykazuje

duży rozrzut wartości w kolejnych partiach produkcyjnych.

4. Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy

anten mikropaskowych

Jednym z najprostszych sposobów poszerzenia częstotliwościowego pasma pracy

anteny mikropaskowej jest zwiększenie grubości podłoża pod łatą promieniującą. Metoda ta
ma jednak wady. Grube podłoże sprzyja powstawaniu fal powierzchniowych, powodujących
niepożądane efekty w charakterystyce promieniowania anteny oraz obniżenie sprawność
promieniowania [6]. Wraz ze wzrostem grubości podłoża pojawiają się również problemy z
zasilaniem łaty promieniującej za pomocą sondy współosiowej. Duża indukcyjność długiej
sondy uniemożliwia dobre dopasowanie impedancyjne anteny.

Dlatego też opracowane zostały inne metody poszerzania częstotliwościowego pasma

pracy anten mikropaskowych [13, 14]. Krótki przegląd stosowanych technik zestawiono na
rys. 4.1. Typowa szerokość częstotliwościowego pasma pracy anteny mikropaskowej
(rys. 4.1.b) jest prawie zawsze zbyt mała. W większości przypadków zastosowanie elementu
promieniującego o poszerzonym paśmie pracy (rys. 4.1c) rozwiązuje problem. Jednak
czasami uzyskanie pożądanej szerokości pasma jest niemożliwe, wówczas jedynym
rozwiązaniem jest zastosowanie przestrajanych lub wieloczęstotliwościowych struktur
promieniujących (rys. 4.1d, e i f).

ρ

[dB]

f [Hz]

ρ

[dB]

f [Hz]

ρ

[dB]

f [Hz]

ρ

[dB]

f [Hz]

ρ

[dB]

f [Hz]

ρ

[dB]

f [Hz]

f

0

f

0

f

0

f

1

f

2

f

1

f

2

f

1

f

2

f

3

a)

b)

c)

d)

e)

f)

Rys. 4.1. Szerokość częstotliwościowego pasma pracy anteny mikropaskowej: a) "idealna" - pożądana szerokość

pasma, b) typowa szerokość pasma jednowarstwowego elementu promieniującego, c) poszerzone pasmo pracy,

d) przestrajana częstotliwość pracy, e) dwa pasma pracy, f) dwa pasma pracy z możliwością przestrajania

4.1. Mikropaskowe elementy promieniujące o przestrajanej częstotliwości

pracy

Elementy promieniujące o przestrajanej częstotliwości pracy są stosowane najczęściej

w systemach, w których jest pożądane, aby ta sama antena mogła być stosowana w różnych,

S

TRONA

26

Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych

sąsiadujących kanałach częstotliwościowych. Wśród najpopularniejszych metod przestrajania
można wymienić struktury wykorzystujące reaktancyjne elementy zwierające oraz dodatkowe
szczeliny powietrzne.

4.1.1. Przestrajanie częstotliwości pracy za pomocą diod waraktorowych

Przy ustalonych rozmiarach elementu promieniującego jego częstotliwość

rezonansowa zależy głównie od wartości wypadkowej przenikalności elektrycznej

ε

r

podłoża.

Poprzez wprowadzenie diod waraktorowych (rys. 4.2) można zmieniać

ε

r

podłoża, a tym

samym można regulować częstotliwość rezonansową elementu.

Zasilanie

Diody

waraktorowe

f [Hz]

U

diody

[V]

f

0

D1

D2

Z

r

ε

r

Rys. 4.2. Przestrajanie częstotliwości pracy mikropaskowego elementu promieniującego

za pomocą diod waraktorowych

Typowy zakres przestrajania wynosi 20% dla napięcia zasilającego diody 10 V

i 30% dla napięcia 30 V. Zmiana częstotliwości rezonansowej nie jest liniowa względem
zmian napięcia polaryzacji diod. Dużą zaletą przedstawionej metod jest możliwość
elektronicznego przestrajania częstotliwości rezonansowej anteny mikropaskowej.

4.1.2. Przestrajanie częstotliwości pracy za pomocą kołków zwierających

Wartość względnej przenikalności dielektrycznej podłoża

ε

r

może być również

zmieniana poprzez wprowadzanie kołków zwierających w różnych punktach elementu
promieniującego, między łatą promieniującą a metalizowanym podłożem (rys. 4.3).

Zasilanie

zwierające

f [Hz]

f

0

K1

K2

Z

r

ε

r

Kołki

d

d

d [mm]

Rys. 4.3. Przestrajanie częstotliwości pracy mikropaskowego elementu promieniującego

za pomocą kołków zwierających

Kołki zwierające przedstawiają pewną indukcyjność co powoduje zmianę efektywnej
wartości

ε

r

. Dla układu dwóch kołków zwierających częstotliwość rezonansowa zależy od

odległości d między nimi, a możliwy do osiągnięcia zakres przestrajania wynosi około 18%.

4.1.3. Przestrajanie częstotliwości pracy za pomocą dodatkowej szczeliny

powietrznej

Omawiana metoda przestrajania częstotliwości jest nieco inna niż poprzednie i polega

na wprowadzaniu szczeliny powietrznej między dielektryk a metalizowane podłoże (rys. 4.4).

Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych

S

TRONA

27

Zastosowanie dodatkowej szczeliny powietrznej powoduje obniżenie efektywnej
przenikalności elektrycznej podłoża

ε

eff

, a w wyniku tego zwiększenie częstotliwości

rezonansowej.

Zasilanie

powietrzna

ε

r

Szczelina

Dielektryk

d

Rys. 4.4. Element z dodatkową szczeliną powietrzną

Element promieniujący ze szczeliną powietrzną umożliwia przestrajanie częstotliwości pracy
anteny mikropaskowej nawet do 20%, przy zmianie grubości d szczeliny powietrznej od
0 mm do 1-2 mm. Niestety szerokość szczeliny może być zmieniana tylko mechanicznie,
co bardzo utrudnia elektroniczne przestrajanie częstotliwości pracy anteny mikropaskowej.

4.2. Dwuczęstotliwościowe mikropaskowe elementy promieniujące

Dwuczęstotliwościowe elementy promieniujące są stosowane do transmisji

wąskopasmowych sygnałów na dwóch, znacznie oddalonych od siebie, częstotliwościach.
Jako przykład może posłużyć antena do odbioru sygnałów systemu GPS. Transmisja
informacji odbywa się tu w dwóch stosunkowo wąskich pasmach o częstotliwościach
środkowych 1.225 GHz i 1.575 GHz.

4.2.1. Dwuwarstwowe elementy promieniujące

Budowę dwuwarstwowego elementu promieniującego przedstawiono na rys. 4.5.

Konfiguracja z rys. 4.5.a) dotyczy przypadku szczególnego z kołowymi łatami
promieniującymi, natomiast na rys. 4.5.b) przedstawiono częściej stosowaną strukturę
dwuczęstotliwościowego elementu promieniującego.

W przypadku konfiguracji z kołowymi łatami promieniującymi wybór częstotliwości

rezonansowych odbywa się poprzez dobór promieni dolnego i górnego dysku. Na wartość
częstotliwości rezonansowej najniższych modów ma wpływ tylko efektywna (wypadkowa)
średnica

dysków.

Dolna

częstotliwość

rezonansowa

dwuwarstwowego

elementu

promieniującego zmienia się tylko nieznacznie wraz ze zmianą promienia a

1

górnego dysku.

Natomiast górna częstotliwość zależy silnie od a

1

i maleje wraz ze wzrostem wartości a

1

.

Wypadkowa charakterystyka promieniowania elementu jest zbliżona do charakterystyki
jednowarstwowego elementu promieniującego.

Konfiguracja z rys. 4.5.b) umożliwia uzyskanie dwóch różnych częstotliwości pracy

elementu promieniującego, praktycznie dla wszystkich podstawowych kształtów łat
promieniujących. Warunkiem poprawnej pracy elementu jest dostatecznie duże wzajemne
oddalenie częstotliwości roboczych, tak że dla danej częstotliwości pracuje praktycznie tylko
jedna łata. Wartość mniejszej częstotliwości pracy elementu promieniującego odpowiada
częstotliwości rezonansowej dolnej łaty, natomiast większej - górnej łaty.

Parametry elektryczne dolnej łaty zależą tylko w niewielkim stopniu od rozmiarów

górnej łaty. Szerokości pasm wokół częstotliwości rezonansowych są porównywalne
z otrzymywanymi dla jednowarstwowego elementu promieniującego i rzadko przekraczają
wartość kilku procent.

S

TRONA

28

Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych

Zasilanie

ε

r

2

ε

r

1

t2

t1

a1

a 2

ε

r

2

ε

r

1

t2

t1

a)

b)

Rys. 4.5. Element dwuwarstwowy

4.2.2. Pojedynczy element promieniujący pracujący w dwóch pasmach

Podstawowym warunkiem na budowę elementu pracującego w dwóch pasmach

częstotliwości jest znalezienie dwóch modów pola wytwarzających podobną charakterystykę
promieniowania oraz te samą polaryzację. Jako przykład posłużyć może prostokątny element
promieniujący pracujący z modami TM

01

i TM

03

. Odpowiedni stosunek częstotliwości

rezonansowych modu pierwszego f

01

i trzeciego f

03

osiąga się poprzez zastosowanie kołków

zwierających w odpowiednich punktach elementu. Wartość stosunku można zmieniać
w granicach od 2 do 3.

4.2.3. Element dwuczęstotliwościowy z reaktancyjnym obciążeniem

Struktura mikropaskowa zapewniająca pracę w dwóch pasmach częstotliwości może

być również zrealizowana poprzez zastosowanie reaktancyjnego obciążenia (rys. 4.6).

W

L

L

W

S

G

Zasilanie

Metalizowane podłoże

Dielektryk

Łata

promieniująca

Rys. 4.6. Elementy dwuczęstotliwościowe

Obciążenie reaktancyjne jest wytwarzane poprzez niskoprofilową, zwartą na końcu, linię
mikropaskową o długości L. Zmiana długości umożliwia regulację stopnia separacji
częstotliwości pierwszego i drugiego pasma. Regulację tę możemy przeprowadzać również
poprzez regulację głębokości S wcięć. Opisana metoda zapewnia rozsunięcie częstotliwości
obu pasm w granicach od 10 do 20%.

4.3. Mikropaskowe elementy promieniujące o poszerzonym pasmie pracy

Opisane wcześniej mikropaskowe elementy promieniujące charakteryzuje możliwość

równoczesnej pracy na dwóch różnych częstotliwościach. W wielu systemach
telekomunikacyjnych wymaga się jednak, aby antena pracowała w jednym, szerokim pasmie
częstotliwości. Jako przykład mogą tu posłużyć anteny pracujące w systemach telefonii

Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych

S

TRONA

29

komórkowej: GSM - w pasmie częstotliwości od 890 MHz do 960 MHz lub DCS - od
1710 MHz do 1880 MHz.

Poszerzenie częstotliwościowego pasma pracy anteny mikropaskowej można osiągnąć

stosując następujące metody:
•

zwiększenie grubości podłoża pod łatą promieniującą,

•

zastosowanie struktur wykorzystujących sprzężenie elektromagnetyczne z dodatkową łatą

promieniującą lub elementami pasożytniczymi,

•

zasilanie przez sprzężenie z aperturą,

•

wprowadzenie elementów dopasowujących w układzie zasilania łaty promieniującej,

np. zasilanie przez pojemność.

Wymienione metody zapewniają znaczne poszerzenie częstotliwościowego pasma pracy
anten mikropaskowych. Uzyskiwane typowo wartości mieszczą się w przedziale od 10% do
25%. Elementy promieniujące o poszerzonym pasmie pracy są realizowane najczęściej
w strukturach wielowarstwowych.

4.3.1. Dwuwarstwowy element promieniujący ze sprzężeniem

elektromagnetycznym

Struktura elementu, przedstawiona na rys. 4.7, przypomina opisany wcześniej element

ze szczeliną powietrzną oraz element dwuwarstwowy, pracujący w dwóch pasmach
częstotliwości. W budowie tego elementu istnieją jednak różnice. Grubość szczeliny
powietrznej jest kilka razy większa od grubości zastosowanego podłoża dielektrycznego.
Dolny element promieniujący umieszczony jest możliwie blisko metalizowanego podłoża
i zasilany jest sondą, natomiast górny - promieniujący, sprzęga się z nim poprzez pole
elektromagnetyczne.

Zasilanie

ε

r

2

ε

r

1

Szczelina

powietrzna

Łata sprzężona

Łata zasilana

Rys. 4.7. Element ze sprzężeniem elektromagnetycznym

Elementy o podstawowych kształtach na podłożu o grubości 0,01λ umożliwiają uzyskanie
pasma o szerokości od 9% do 15% (20%). W przypadku konfiguracji bez szczeliny
powietrznej szerokość pasma nie przekracza 10%. Charakterystyki promieniowania takiej
struktury są węższe w porównaniu do pojedynczego elementu promieniującego.
Na uwagę zasługuje element z łatą promieniującą o kształcie trójkąta równobocznego.
Powyżej pewnej progowej wartości grubości szczeliny powietrznej (rzędu kilku mm) zanika
pierwszy rezonans, co powoduje poszerzenie pasma częstotliwości wokół częstotliwości
drugiego rezonansu z około 3% do 17%.
Dwuwarstwowy element promieniujący ze szczeliną powietrzną posiada interesujące
własności. Dla grubości szczeliny powietrznej z przedziału od 0 do 0.31λ

ο

uzyskuje

się poszerzenie częstotliwościowego pasma pracy, natomiast dla grubości powyżej 0.31λ

ο

szerokość pasma pracy wynosi około 1%, natomiast znacznie wzrasta zysk elementu,
osiągając nawet wartość 10 dB.
Z punktu widzenia technologii wykonania anten mikropaskowych bardzo ciekawy jest
element zbudowany w konfiguracji odwróconej (rys. 4.8).

S

TRONA

30

Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych

Zasilanie

ε

r

2

ε

r

1

Pianka

dielektryczna

ε

r

2

ε

r

1

Konfiguracja normalna

Konfiguracja odwrócona

Rys. 4.8. Konfiguracja normalna i odwrócona mikropaskowego dwuwarstwowego

elementu promieniującego

Jego główna zaleta polega na ochronie górnego elementu promieniującego przed działaniem
czynników zewnętrznych poprzez warstwę dielektryczną stanowiącą podłoże łaty
promieniującej.

4.3.2. Elementy promieniujące zasilane przez pojemność

Jedną z najprostszych metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anteny

mikropaskowej jest zwiększenie grubości podłoża pod łatą promieniującą. W celu
ograniczenia wzbudzania się niepożądanych fal powierzchniowych wykorzystuje się do tego
celu podłoża o jak najmniejszych stałych dielektrycznych. Zwykle składają się one z warstwy
laminatu mikrofalowego i pianki dielektrycznej o grubości nie przekraczającej 0,12λ

ο

.

Elementy takie są zasilane z reguły sondą współosiową, której indukcyjność znacząco rośnie
wraz ze wzrostem grubości podłoża. Zjawisko to uniemożliwia impedancyjne dopasowanie
anteny i osiągnięcie pożądanego częstotliwościowego pasma pracy.
Jednym ze sposobów kompensacji indukcyjności długiej sondy zasilającej jest wprowadzenie
pojemności włączonej szeregowo do układu zasilania łaty [15, 16]. Pojemność taka może być
zintegrowana bezpośrednio z łatą promieniującą wewnątrz anteny lub dołączona na zewnątrz.
W pierwszym przypadku istnieją dwa rozwiązania, a ich struktura pokazana jest na rys. 4.9.

Zasilanie

ε

r

Pianka

dielektryczna

a)

ε

r

b)

Rys. 4.9. Mikropaskowy element promieniujący zasilany przez pojemność: a) konfiguracja z kondensatorem

koplanarnym, b) konfiguracja z kondensatorem mikropaskowym

W konfiguracji pokazanej na rys. 4.9.a) zastosowano pojemność w postaci kondensatora
"planarnego". Powstaje on w wyniku wytrawienia kołowej lub prostokątnej szczeliny wokół
punktu połączenia sondy zasilającej z łatą promieniującą. W przypadku konfiguracji
z rys. 4.9.b) szeregowa pojemność jest uzyskiwana w postaci kondensatora płaskiego, którego
dodatkowa okładka jest wytrawiona na dolnej powierzchni podłoża łaty promieniującej.
Skuteczność poszerzenia częstotliwościowego pasma pracy anteny mikropaskowej jest taka
sama w przypadku jednej i drugiej konfiguracji, a osiągana względna szerokość pasma
wynosi nawet do 30% (dla WFS ≤ 2).

Przegląd metod poszerzania częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych

S

TRONA

31

4.3.3. Wielowarstwowe elementy promieniujące zasilane przez pojemność

Struktury wielowarstwowe, zasilane przez pojemność, zapewniają znaczne

poszerzenie szerokości częstotliwościowego pasma pracy anten mikropaskowych [17, 13].
Typowe jego wartości mieszczą się w przedziale od 15% do 30%
Konstrukcja omawianego elementu promieniującego jest pokazana na rys. 4.10. Stanowi ona
połączenie dwuwarstwowego elementu ze sprzężeniem elektromagnetycznym oraz elementu
na grubym podłożu zasilanego przez pojemność.

Zasilanie

ε

r

2

ε

r

1

Pianka

dielektryczna

d1

d2

Rys. 4.10. Wielowarstwowy element promieniujący zasilany przez pojemność

Częstotliwość środkowa pasma pracy elementu zależy głównie od rozmiarów dolnej łaty
promieniującej oraz grubości d2 dolnej pianki. Poprzez odpowiedni dobór grubości d1 górnej
pianki można w pewnym zakresie prowadzić regulację szerokości pasma pracy elementu.

4.3.4. Elementy promieniujące sprzężone z aperturą

Metoda zasilania łaty mikropaskowej przez sprzężenie z aperturą została po raz

pierwszy zaproponowana przez D. M. Pozara w 1985 roku [18].

Moc mikrofalowa doprowadzana linią mikropaskową, znajdującą się pod ekranem,

sprzęgana jest poprzez szczelinę do łaty lub też łat umieszczonych nad ekranem, rys. 4.11.

Ekran z wyciętą
aperturą

Linia
mikropaskowa

Przekładka
dystansująca
łatę

Laminat z
wytrawioną łatą

Rys. 4.11. Promiennik zasilany przez sprzężenie z aperturą

Taki sposób zasilania łaty umożliwia osiągnięcie dopasowania impedancyjnego
w paśmie około 15 % w konfiguracji z łatą pojedynczą, a nawet do 50 % w strukturach
z kilkoma łatami kolejno umieszczonymi na sobą [19].

Do dalszych badań nad elementami szerokopasmowymi autorzy projektu wytypowali anteny
na grubym podłożu zasilane sondą współosiową oraz elementy wielowarstwowe zasilane
sondą oraz przez sprzężenie z aperturą.

S

TRONA

32

Mikropaskowy element promieniujący na grubym podłożu

5. Mikropaskowy element promieniujący na grubym podłożu.

Głównym ograniczeniem w zastosowaniu jednowarstwowych mikropaskowych

elementów promieniujących jest ich wąskie częstotliwościowe pasmo pracy [3, 6, 13]. Dla
anten budowanych na cienkich podłożach, których grubość spełnia warunki h/

λ

o

< 0,07 dla

ε

r

≈2,3 i h/

λ

o

< 0,023 dla

ε

r

≈10, osiąga ono typowo wartość jednego procenta, a sporadycznie

wartość kilku procent. Dla porównania pasmo dipola półfalowego o smukłości 0,01 wynosi
około 16%.
Prawie zawsze czynnikiem ograniczającym pasmo pracy anteny mikropaskowej jest zmiana
jej impedancji wejściowej w funkcji częstotliwości. Dlatego też pojęcie szerokości pasma
elementu promieniującego jest utożsamiane z szerokością pasma odnoszoną do impedancji
wejściowej, reprezentowanej poprzez współczynnik odbicia lub związany z nim
współczynnik fali stojącej (WFS). Zagadnienie to zostało dokładniej przedyskutowane w
punkcie 2.2.

Zmianę

względnej

szerokości

pasma

pracy

mikropaskowego

elementu

promieniującego można osiągnąć poprzez zmianę grubości i przenikalności elektrycznej
podłoża. Niestety dla elementów jednowarstwowych parametry te są ze sobą związane
odwrotnie proporcjonalnie. Oznacza to, że wszelkie próby poszerzenia pasma pracy powodują
obniżenie sprawności i na odwrót. Typowy przebieg wartości szerokości pasma i sprawności
w zależności od grubości podłoża (przy przyjętym modelu wnęki rezonansowej) o różnych
stałych dielektrycznych przedstawiono na rys. 5.1. Pokazany na rysunku przebieg sprawności
definiowany jest jako:

Q

Q

r

1

1

=

η

,

(5.1)

w którym:

Q

r

- dobroć wnęki dla strat promieniowania,

Q

.

- całkowita dobroć wnęki rezonansowej.

Sprawność

Pasmo pracy

B [%]

1.00

0.80

0.60

0.40

0.00

16

12

8

4

0

0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

1.00

Grubość podłoża

h/λ

o

ε

r

=2.2

ε

r

=10

ε

r

=2.2

ε

r

=10

η

Sprawność

Pasmo pracy

Rys. 5.1. Sprawność promieniowania i pasmo pracy prostokątnego elementu promieniującego

w zależności od rodzaju i grubości podłoża [20]

W następnych rozdziałach przedstawiono różne konfiguracje mikropaskowych

wielowarstwowych elementów promieniujących oraz omówiono ich parametry. Opisano
również zasady projektowania, tj. określenie częstotliwości pracy, impedancji wejściowej

Mikropaskowy element promieniujący na grubym podłożu

S

TRONA

33

i szerokości częstotliwościowego pasma pracy. Określone zostały ponadto parametry polowe
elementów promieniujących takie jak zysk energetyczny i charakterystyki promieniowania.

5.1. Element promieniujący na grubym podłożu zasilany sondą

współosiową

Zwiększenie grubości podłoża pod łatą promieniującą jest praktycznie najprostszym

sposobem

poszerzenia

częstotliwościowego

pasma

pracy

jednowarstwowego

mikropaskowego elementu promieniującego. Konfiguracja taka posiada jednak wady,
o których już wspomniano w rozdziale 2.

W celu zmniejszenia niepożądanego efektu fali powierzchniowej grube podłoże

elementu promieniującego jest wykonane z dielektryka o małej względnej przenikalności
elektrycznej. Najczęściej stosowana jest tu pianka dielektryczna lub kompozytowy
wypełniacz komórkowy. Budowę takiego elementu pokazano na rys. 5.2.

Mikropaskowy element promieniujący na grubym podłożu zaliczono w niniejszej

raporcie do grupy wielowarstwowych elementów promieniujących. Grube podłoże elementu
jest zbudowane w postaci dwóch warstw dielektryka.

Zasilanie

ε

r

2

Pianka

dielektryczna

h2

h1

ε

r

1

Łata

promieniująca

Laminat

dielektryczny

Rys. 5.2. Konstrukcja mikropaskowego elementu promieniującego na grubym podłożu

Pierwsza warstwa, umieszczona bezpośrednio na metalowym ekranie, jest wykonana
z materiału o małej względnej przenikalności elektrycznej

ε

r1

, której wartość powinna się

mieść w granicach od 1 do 1,5. Grubość h

1

warstwy jest głównym parametrem omawianego

elementu promieniującego. Jej wartość decyduje o częstotliwości rezonansowej anteny,
impedancji wejściowej, szerokości częstotliwościowego pasma pracy oraz o parametrach
polowych.
Druga warstwa jest wykonana z laminatu mikrofalowego o przenikalności elektrycznej

ε

r2

,

przyjmującej wartości z przedziału od 2 do 4,5. Warstwa ta stanowi bezpośrednie podłoże dla
metalowej łaty promieniującej i ma znaczący wpływ na parametry całego elementu
promieniującego. Jej grubość h

2

typowo mieści się w granicach od 0,3 mm do 1,8 mm.

W kolejnych rozdziałach przedstawiono wyniki badań mikropaskowego elementu

promieniującego na grubym podłożu. Oceniono ilościowy i jakościowy wpływ grubości
podłoża na parametry anteny ze szczególnym uwzględnieniem efektu poszerzenia
częstotliwościowego pasma pracy oraz zmiany zysku energetycznego.
W celu uproszczenia zagadnień teoretycznych badania przeprowadzono na antenie
mikropaskowej z prostokątna łatą promieniującą. Podejście takie nie zawęża ogólności
przeprowadzonych rozważań, a otrzymane wyniki można przenieść na inne podstawowe
kształty łat promieniujących [21].