Elektronika
Elektronika
wyk
wyk
ł
ł
ad 13
ad 13
-
-
POWT
POWT
Ó
Ó
RZENIE
RZENIE
Lublin, stycze
Lublin, stycze
ń
ń
2009
2009
Instytut Elektrotechniki i Informatyki
Instytut Elektrotechniki i Informatyki
Politechnika Lubelska
Politechnika Lubelska
Elektronika
Elektronika
wyk
wyk
ł
ł
ad 13
ad 13
-
-
POWT
POWT
Ó
Ó
RZENIE
RZENIE
Lublin, stycze
Lublin, stycze
ń
ń
2009
2009
Instytut Elektrotechniki i Informatyki
Instytut Elektrotechniki i Informatyki
Politechnika Lubelska
Politechnika Lubelska
Elektronika
Elektronika
ZASADY ZALICZANIA !!!
ZASADY ZALICZANIA !!!
Egzamin pisemny za 100 punkt
Egzamin pisemny za 100 punkt
ó
ó
w
w
Zaliczenie od 51 punkt
Zaliczenie od 51 punkt
ó
ó
w
w
Egzamin
Egzamin
„
„
zerowy
zerowy
”
”
–
–
29.01.2009 godz. 14.15 (s. 201)
29.01.2009 godz. 14.15 (s. 201)
Egzamin
Egzamin
–
–
02.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)
02.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)
Egzamin poprawkowy I
Egzamin poprawkowy I
–
–
09.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)
09.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)
Egzamin poprawkowy II
Egzamin poprawkowy II
–
–
13.02.2009 godz. 10.00 (s. 402)
13.02.2009 godz. 10.00 (s. 402)
Elektronika
Elektronika
-
-
materia
materia
ł
ł
y
y
http://
http://
student.semiconductor.pl
student.semiconductor.pl
U
U
Ŝ
Ŝ
ytkownik:
ytkownik:
student
student
Has
Has
ł
ł
o:
o:
NADBYSTRZYCKA38A
NADBYSTRZYCKA38A
wyk
wyk
ł
ł
ad 1
ad 1
1. WST
1. WST
Ę
Ę
P DO ELEKTRONIKI
P DO ELEKTRONIKI
zagadnienia:
zagadnienia:
Prawo Moore'a, konsekwencje Prawa
Prawo Moore'a, konsekwencje Prawa
Moore
Moore
’
’
a
a
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 2
AD 2
P
P
Ó
Ó
Ł
Ł
PRZEWODNIKI, Z
PRZEWODNIKI, Z
Ł
Ą
Ł
Ą
CZE
CZE
P
P
-
-
N
N
•
•
Prawo dzia
Prawo dzia
ł
ł
ania mas
ania mas
•
•
model pasmowy p
model pasmowy p
ó
ó
ł
ł
przewodnika (poziom Fermiego!)
przewodnika (poziom Fermiego!)
•
•
generacja / rekombinacja
generacja / rekombinacja
•
•
pr
pr
ą
ą
d unoszenia i pr
d unoszenia i pr
ą
ą
d dyfuzyjny w p
d dyfuzyjny w p
ó
ó
ł
ł
przewodniku
przewodniku
•
•
pole wbudowane
pole wbudowane
•
•
przebicie
przebicie
Zenera
Zenera
(model pasmowy, dlaczego?), przebicie
(model pasmowy, dlaczego?), przebicie
lawinowe, dioda
lawinowe, dioda
Zenera
Zenera
•
•
model pasmowy z
model pasmowy z
ł
ą
ł
ą
cza
cza
p
p
-
-
n
n
•
•
kontakt m
kontakt m
-
-
s (kontakt omowy, dioda z barier
s (kontakt omowy, dioda z barier
ą
ą
Schottky'ego
Schottky'ego
,
,
praca wyj
praca wyj
ś
ś
cia)
cia)
•
•
polaryzacja z
polaryzacja z
ł
ą
ł
ą
cza
cza
p
p
-
-
n
n
i m
i m
-
-
s w kierunku przewodzenia /
s w kierunku przewodzenia /
zaporowym (przep
zaporowym (przep
ł
ł
yw pr
yw pr
ą
ą
du, model pasmowy)
du, model pasmowy)
definicje
definicje
–
–
p
p
ó
ó
ł
ł
przewodnik, pp. samoistny / niesamoistny,
przewodnik, pp. samoistny / niesamoistny,
napi
napi
ę
ę
cie dyfuzyjne, pojemno
cie dyfuzyjne, pojemno
ść
ść
z
z
ł
ą
ł
ą
cza, pr
cza, pr
ą
ą
d nasycenia, warstwa
d nasycenia, warstwa
zubo
zubo
Ŝ
Ŝ
ona
ona
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 3
AD 3
TRANZYSTOR BIPOLARNY
TRANZYSTOR BIPOLARNY
zagadnienia:
zagadnienia:
tranzystor
tranzystor
–
–
co to jest? jak dzia
co to jest? jak dzia
ł
ł
a? do czego s
a? do czego s
ł
ł
u
u
Ŝ
Ŝ
y?
y?
uk
uk
ł
ł
ady po
ady po
ł
ą
ł
ą
cze
cze
ń
ń
(WE, WK, WB)
(WE, WK, WB)
–
–
w
w
ł
ł
a
a
ś
ś
ciwo
ciwo
ś
ś
ci
ci
obszary pracy tranzystora
obszary pracy tranzystora
transport
transport
ł
ł
adunk
adunk
ó
ó
w (pr
w (pr
ą
ą
d)
d)
cha
cha
-
-
ki statyczne
ki statyczne
model
model
Ebersa
Ebersa
-
-
Molla
Molla
praca dynamiczna (prze
praca dynamiczna (prze
ł
ą
ł
ą
cznik)
cznik)
definicje
definicje
–
–
efekt
efekt
Early'ego
Early'ego
, punkt pracy, parametry
, punkt pracy, parametry
graniczne tranzystora, parametry mieszane, czasy
graniczne tranzystora, parametry mieszane, czasy
prze
prze
ł
ą
ł
ą
czania, wsp
czania, wsp
ó
ó
ł
ł
czynnik przesterowania
czynnik przesterowania
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 4
AD 4
TRANZYSTOR POLOWY
TRANZYSTOR POLOWY
zagadnienia:
zagadnienia:
tranzystor
tranzystor
–
–
co to jest? jak dzia
co to jest? jak dzia
ł
ł
a? do czego s
a? do czego s
ł
ł
u
u
Ŝ
Ŝ
y?
y?
parametry tranzystora polowego
parametry tranzystora polowego
r
r
ó
ó
Ŝ
Ŝ
nice mi
nice mi
ę
ę
dzy
dzy
tr
tr
. bipolarnym a polowym
. bipolarnym a polowym
JFET
JFET
–
–
budowa, zasada dzia
budowa, zasada dzia
ł
ł
ania,
ania,
ch
ch
-
-
ki
ki
statyczne
statyczne
MISFET
MISFET
–
–
budowa, zasada dzia
budowa, zasada dzia
ł
ł
ania,
ania,
ch
ch
-
-
ki
ki
statyczne
statyczne
skr
skr
ó
ó
ty
ty
–
–
FET, MOS, NMOS, PMOS, CMOS, SOI,
FET, MOS, NMOS, PMOS, CMOS, SOI,
BiCMOS
BiCMOS
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 5
AD 5
TECHNOLOGIA KRZEMOWA
TECHNOLOGIA KRZEMOWA
zagadnienia:
zagadnienia:
Wyci
Wyci
ą
ą
ganie monokryszta
ganie monokryszta
ł
ł
ó
ó
w (metoda
w (metoda
Czochralskiego
Czochralskiego
,
,
defekty w krysztale)
defekty w krysztale)
Podstawowe procesy technologiczne
Podstawowe procesy technologiczne
Podstawowe technologie: CMOS, MOS SOI, MEMS,
Podstawowe technologie: CMOS, MOS SOI, MEMS,
SiGe
SiGe
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 6
AD 6
GENERATORY
GENERATORY
zagadnienia:
zagadnienia:
generatory
generatory
–
–
zasada dzia
zasada dzia
ł
ł
ania, podzia
ania, podzia
ł
ł
, parametry
, parametry
definicje
definicje
–
–
warunek generacji
warunek generacji
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 7
AD 7
TECHNIKI CYFROWE
TECHNIKI CYFROWE
zagadnienia:
zagadnienia:
parametry uk
parametry uk
ł
ł
ad
ad
ó
ó
w logicznych
w logicznych
przerzutniki
przerzutniki
–
–
zasada dzia
zasada dzia
ł
ł
ania, podzia
ania, podzia
ł
ł
bramka CMOS
bramka CMOS
–
–
zasada dzia
zasada dzia
ł
ł
ania
ania
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 8
AD 8
PRZETWORNIKI AC I CA
PRZETWORNIKI AC I CA
zagadnienia:
zagadnienia:
przetworniki AC i CA
przetworniki AC i CA
–
–
zasada dzia
zasada dzia
ł
ł
ania, tor
ania, tor
przetwarzania (podst. bloki), parametry
przetwarzania (podst. bloki), parametry
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 9
AD 9
ZASILACZE, FILTRY
ZASILACZE, FILTRY
zagadnienia:
zagadnienia:
zasilacze
zasilacze
–
–
zasada dzia
zasada dzia
ł
ł
ania (poszczeg
ania (poszczeg
ó
ó
lne elementy
lne elementy
schematu blokowego)
schematu blokowego)
filtry
filtry
–
–
podzia
podzia
ł
ł
y, parametry, budowa, zastosowanie
y, parametry, budowa, zastosowanie
definicje
definicje
–
–
transformator, prostownik, stabilizator
transformator, prostownik, stabilizator
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 10
AD 10
CZUJNIKI P
CZUJNIKI P
Ó
Ó
Ł
Ł
PRZEWODNIKOWE
PRZEWODNIKOWE
zagadnienia:
zagadnienia:
cele i rodzaje pomiar
cele i rodzaje pomiar
ó
ó
w
w
podzia
podzia
ł
ł
czujnik
czujnik
ó
ó
w (klasyfikacja wg White), parametry,
w (klasyfikacja wg White), parametry,
zastosowanie
zastosowanie
definicje
definicje
–
–
czujnik,
czujnik,
aktuator
aktuator
, fotorezystor, termistor,
, fotorezystor, termistor,
piezorezystor
piezorezystor
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 11
AD 11
MIKROSYSTEMY
MIKROSYSTEMY
zagadnienia:
zagadnienia:
typowe elementy stosowane do budowy mikrosystem
typowe elementy stosowane do budowy mikrosystem
ó
ó
w,
w,
przyk
przyk
ł
ł
ady zastosowa
ady zastosowa
ń
ń
, zalety w stosunku do
, zalety w stosunku do
makrosystem
makrosystem
ó
ó
w,
w,
skalowanie
skalowanie
–
–
co to jest? konsekwencje (podobie
co to jest? konsekwencje (podobie
ń
ń
stwa),
stwa),
problemy z redukcj
problemy z redukcj
ą
ą
wymiar
wymiar
ó
ó
w
w
technologia obj
technologia obj
ę
ę
to
to
ś
ś
ciowa / powierzchniowa,
ciowa / powierzchniowa,
przyk
przyk
ł
ł
ady
ady
“
“
podgl
podgl
ą
ą
dania Natury
dania Natury
”
”
w mikrosystemach
w mikrosystemach
definicje
definicje
–
–
mikrosystem,
mikrosystem,
BioMEMS
BioMEMS
, MEMS
, MEMS
WYK
WYK
Ł
Ł
AD 12
AD 12
NANOTECHNOLOGIA
NANOTECHNOLOGIA
zagadnienia:
zagadnienia:
nanotechnologia (budowa
nanotechnologia (budowa
atom
atom
-
-
po
po
-
-
atomie
atomie
), narz
), narz
ę
ę
dzia
dzia
nanotechnologii (STM), ograniczenia klasyczne i
nanotechnologii (STM), ograniczenia klasyczne i
fundamentalne
fundamentalne
definicje
definicje
–
–
spintronika, nanoelektronika,
spintronika, nanoelektronika,
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Narysuj charakterystyki wyj
Narysuj charakterystyki wyj
ś
ś
ciowe tranzystora NMOS i
ciowe tranzystora NMOS i
oznacz odpowiednio osie uk
oznacz odpowiednio osie uk
ł
ł
adu.
adu.
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Podaj definicj
Podaj definicj
ę
ę
nast
nast
ę
ę
puj
puj
ą
ą
cych poj
cych poj
ęć
ęć
:
:
warunek amplitudy
warunek amplitudy
-
-
punkt pracy
punkt pracy
-
-
warstwa zubo
warstwa zubo
Ŝ
Ŝ
ona
ona
-
-
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Rozwi
Rozwi
ń
ń
skr
skr
ó
ó
t:
t:
MEMS
MEMS
-
-
MOS SOI
MOS SOI
-
-
JFET
JFET
-
-
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Wymie
Wymie
ń
ń
r
r
ó
ó
Ŝ
Ŝ
nice pomi
nice pomi
ę
ę
dzy tranzystorem
dzy tranzystorem
bipolarnym a tranzystorem unipolarnym
bipolarnym a tranzystorem unipolarnym
Wymie
Wymie
ń
ń
parametry wzmacniaczy operacyjnych
parametry wzmacniaczy operacyjnych
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Narysuj model pasmowy p
Narysuj model pasmowy p
ó
ó
ł
ł
przewodnika.
przewodnika.
Narysuj schemat blokowy zasilacza.
Narysuj schemat blokowy zasilacza.
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Co oznaczaj
Co oznaczaj
ą
ą
parametry mieszane tranzystora:
parametry mieszane tranzystora:
h
h
11
11
-
-
h
h
12
12
-
-
h
h
21
21
-
-
h
h
22
22
-
-
Przyk
Przyk
ł
ł
adowe pytania na egzaminie
adowe pytania na egzaminie
Podaj 2 przyk
Podaj 2 przyk
ł
ł
ady zastosowania mikrosystemu w
ady zastosowania mikrosystemu w
medycynie
medycynie
Elektronika
Elektronika
Prowadz
Prowadz
ą
ą
cy:
cy:
dr in
dr in
Ŝ
Ŝ
. Andrzej Kociubi
. Andrzej Kociubi
ń
ń
ski
ski
pok. 308
pok. 308
tel. 081 5384 312
tel. 081 5384 312
e
e
-
-
mail:
mail:
akociub@semiconductor.pl
akociub@semiconductor.pl