el0809 wyk13 id 157339 Nieznany

background image

Elektronika

Elektronika

wyk

wyk

ł

ł

ad 13

ad 13

-

-

POWT

POWT

Ó

Ó

RZENIE

RZENIE

Lublin, stycze

Lublin, stycze

ń

ń

2009

2009

Instytut Elektrotechniki i Informatyki

Instytut Elektrotechniki i Informatyki

Politechnika Lubelska

Politechnika Lubelska

background image

Elektronika

Elektronika

ZASADY ZALICZANIA !!!

ZASADY ZALICZANIA !!!

Egzamin pisemny za 100 punkt

Egzamin pisemny za 100 punkt

ó

ó

w

w

Zaliczenie od 51 punkt

Zaliczenie od 51 punkt

ó

ó

w

w

Egzamin

Egzamin

zerowy

zerowy

29.01.2009 godz. 14.15 (s. 201)

29.01.2009 godz. 14.15 (s. 201)

Egzamin

Egzamin

02.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)

02.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)

Egzamin poprawkowy I

Egzamin poprawkowy I

09.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)

09.02.2009 godz. 10.00 (s. 301)

Egzamin poprawkowy II

Egzamin poprawkowy II

13.02.2009 godz. 10.00 (s. 402)

13.02.2009 godz. 10.00 (s. 402)

background image

Elektronika

Elektronika

-

-

materia

materia

ł

ł

y

y

http://

http://

student.semiconductor.pl

student.semiconductor.pl

U

U

ż

ż

ytkownik:

ytkownik:

student

student

Has

Has

ł

ł

o:

o:

NADBYSTRZYCKA38A

NADBYSTRZYCKA38A

background image

wyk

wyk

ł

ł

ad 1

ad 1

1. WST

1. WST

Ę

Ę

P DO ELEKTRONIKI

P DO ELEKTRONIKI

zagadnienia:

zagadnienia:





Prawo Moore'a, konsekwencje Prawa

Prawo Moore'a, konsekwencje Prawa

Moore

Moore

a

a

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 2

AD 2

P

P

Ó

Ó

Ł

Ł

PRZEWODNIKI, Z

PRZEWODNIKI, Z

Ł

Ą

Ł

Ą

CZE

CZE

P

P

-

-

N

N

Prawo dzia

Prawo dzia

ł

ł

ania mas

ania mas

model pasmowy p

model pasmowy p

ó

ó

ł

ł

przewodnika (poziom Fermiego!)

przewodnika (poziom Fermiego!)

generacja / rekombinacja

generacja / rekombinacja

pr

pr

ą

ą

d unoszenia i pr

d unoszenia i pr

ą

ą

d dyfuzyjny w p

d dyfuzyjny w p

ó

ó

ł

ł

przewodniku

przewodniku

pole wbudowane

pole wbudowane

przebicie

przebicie

Zenera

Zenera

(model pasmowy, dlaczego?), przebicie

(model pasmowy, dlaczego?), przebicie

lawinowe, dioda

lawinowe, dioda

Zenera

Zenera

model pasmowy z

model pasmowy z

ł

ą

ł

ą

cza

cza

p

p

-

-

n

n

kontakt m

kontakt m

-

-

s (kontakt omowy, dioda z barier

s (kontakt omowy, dioda z barier

ą

ą

Schottky'ego

Schottky'ego

,

,

praca wyj

praca wyj

ś

ś

cia)

cia)

polaryzacja z

polaryzacja z

ł

ą

ł

ą

cza

cza

p

p

-

-

n

n

i m

i m

-

-

s w kierunku przewodzenia /

s w kierunku przewodzenia /

zaporowym (przep

zaporowym (przep

ł

ł

yw pr

yw pr

ą

ą

du, model pasmowy)

du, model pasmowy)

definicje

definicje

p

p

ó

ó

ł

ł

przewodnik, pp. samoistny / niesamoistny,

przewodnik, pp. samoistny / niesamoistny,

napi

napi

ę

ę

cie dyfuzyjne, pojemno

cie dyfuzyjne, pojemno

ść

ść

z

z

ł

ą

ł

ą

cza, pr

cza, pr

ą

ą

d nasycenia, warstwa

d nasycenia, warstwa

zubo

zubo

ż

ż

ona

ona

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 3

AD 3

TRANZYSTOR BIPOLARNY

TRANZYSTOR BIPOLARNY

zagadnienia:

zagadnienia:





tranzystor

tranzystor

co to jest? jak dzia

co to jest? jak dzia

ł

ł

a? do czego s

a? do czego s

ł

ł

u

u

ż

ż

y?

y?





uk

uk

ł

ł

ady po

ady po

ł

ą

ł

ą

cze

cze

ń

ń

(WE, WK, WB)

(WE, WK, WB)

w

w

ł

ł

a

a

ś

ś

ciwo

ciwo

ś

ś

ci

ci





obszary pracy tranzystora

obszary pracy tranzystora





transport

transport

ł

ł

adunk

adunk

ó

ó

w (pr

w (pr

ą

ą

d)

d)





cha

cha

-

-

ki statyczne

ki statyczne





model

model

Ebersa

Ebersa

-

-

Molla

Molla





praca dynamiczna (prze

praca dynamiczna (prze

ł

ą

ł

ą

cznik)

cznik)

definicje

definicje

efekt

efekt

Early'ego

Early'ego

, punkt pracy, parametry

, punkt pracy, parametry

graniczne tranzystora, parametry mieszane, czasy

graniczne tranzystora, parametry mieszane, czasy

prze

prze

ł

ą

ł

ą

czania, wsp

czania, wsp

ó

ó

ł

ł

czynnik przesterowania

czynnik przesterowania

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 4

AD 4

TRANZYSTOR POLOWY

TRANZYSTOR POLOWY

zagadnienia:

zagadnienia:





tranzystor

tranzystor

co to jest? jak dzia

co to jest? jak dzia

ł

ł

a? do czego s

a? do czego s

ł

ł

u

u

ż

ż

y?

y?





parametry tranzystora polowego

parametry tranzystora polowego





r

r

ó

ó

ż

ż

nice mi

nice mi

ę

ę

dzy

dzy

tr

tr

. bipolarnym a polowym

. bipolarnym a polowym





JFET

JFET

budowa, zasada dzia

budowa, zasada dzia

ł

ł

ania,

ania,

ch

ch

-

-

ki

ki

statyczne

statyczne





MISFET

MISFET

budowa, zasada dzia

budowa, zasada dzia

ł

ł

ania,

ania,

ch

ch

-

-

ki

ki

statyczne

statyczne

skr

skr

ó

ó

ty

ty

FET, MOS, NMOS, PMOS, CMOS, SOI,

FET, MOS, NMOS, PMOS, CMOS, SOI,

BiCMOS

BiCMOS

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 5

AD 5

TECHNOLOGIA KRZEMOWA

TECHNOLOGIA KRZEMOWA

zagadnienia:

zagadnienia:





Wyci

Wyci

ą

ą

ganie monokryszta

ganie monokryszta

ł

ł

ó

ó

w (metoda

w (metoda

Czochralskiego

Czochralskiego

,

,

defekty w krysztale)

defekty w krysztale)





Podstawowe procesy technologiczne

Podstawowe procesy technologiczne





Podstawowe technologie: CMOS, MOS SOI, MEMS,

Podstawowe technologie: CMOS, MOS SOI, MEMS,

SiGe

SiGe

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 6

AD 6

GENERATORY

GENERATORY

zagadnienia:

zagadnienia:





generatory

generatory

zasada dzia

zasada dzia

ł

ł

ania, podzia

ania, podzia

ł

ł

, parametry

, parametry

definicje

definicje

warunek generacji

warunek generacji

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 7

AD 7

TECHNIKI CYFROWE

TECHNIKI CYFROWE

zagadnienia:

zagadnienia:





parametry uk

parametry uk

ł

ł

ad

ad

ó

ó

w logicznych

w logicznych





przerzutniki

przerzutniki

zasada dzia

zasada dzia

ł

ł

ania, podzia

ania, podzia

ł

ł





bramka CMOS

bramka CMOS

zasada dzia

zasada dzia

ł

ł

ania

ania

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 8

AD 8

PRZETWORNIKI AC I CA

PRZETWORNIKI AC I CA

zagadnienia:

zagadnienia:





przetworniki AC i CA

przetworniki AC i CA

zasada dzia

zasada dzia

ł

ł

ania, tor

ania, tor

przetwarzania (podst. bloki), parametry

przetwarzania (podst. bloki), parametry

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 9

AD 9

ZASILACZE, FILTRY

ZASILACZE, FILTRY

zagadnienia:

zagadnienia:





zasilacze

zasilacze

zasada dzia

zasada dzia

ł

ł

ania (poszczeg

ania (poszczeg

ó

ó

lne elementy

lne elementy

schematu blokowego)

schematu blokowego)





filtry

filtry

podzia

podzia

ł

ł

y, parametry, budowa, zastosowanie

y, parametry, budowa, zastosowanie

definicje

definicje

transformator, prostownik, stabilizator

transformator, prostownik, stabilizator

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 10

AD 10

CZUJNIKI P

CZUJNIKI P

Ó

Ó

Ł

Ł

PRZEWODNIKOWE

PRZEWODNIKOWE

zagadnienia:

zagadnienia:





cele i rodzaje pomiar

cele i rodzaje pomiar

ó

ó

w

w





podzia

podzia

ł

ł

czujnik

czujnik

ó

ó

w (klasyfikacja wg White), parametry,

w (klasyfikacja wg White), parametry,

zastosowanie

zastosowanie

definicje

definicje

czujnik,

czujnik,

aktuator

aktuator

, fotorezystor, termistor,

, fotorezystor, termistor,

piezorezystor

piezorezystor

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 11

AD 11

MIKROSYSTEMY

MIKROSYSTEMY

zagadnienia:

zagadnienia:





typowe elementy stosowane do budowy mikrosystem

typowe elementy stosowane do budowy mikrosystem

ó

ó

w,

w,

przyk

przyk

ł

ł

ady zastosowa

ady zastosowa

ń

ń

, zalety w stosunku do

, zalety w stosunku do

makrosystem

makrosystem

ó

ó

w,

w,





skalowanie

skalowanie

co to jest? konsekwencje (podobie

co to jest? konsekwencje (podobie

ń

ń

stwa),

stwa),

problemy z redukcj

problemy z redukcj

ą

ą

wymiar

wymiar

ó

ó

w

w





technologia obj

technologia obj

ę

ę

to

to

ś

ś

ciowa / powierzchniowa,

ciowa / powierzchniowa,





przyk

przyk

ł

ł

ady

ady

podgl

podgl

ą

ą

dania Natury

dania Natury

w mikrosystemach

w mikrosystemach

definicje

definicje

mikrosystem,

mikrosystem,

BioMEMS

BioMEMS

, MEMS

, MEMS

background image

WYK

WYK

Ł

Ł

AD 12

AD 12

NANOTECHNOLOGIA

NANOTECHNOLOGIA

zagadnienia:

zagadnienia:





nanotechnologia (budowa

nanotechnologia (budowa

atom

atom

-

-

po

po

-

-

atomie

atomie

), narz

), narz

ę

ę

dzia

dzia

nanotechnologii (STM), ograniczenia klasyczne i

nanotechnologii (STM), ograniczenia klasyczne i

fundamentalne

fundamentalne

definicje

definicje

spintronika, nanoelektronika,

spintronika, nanoelektronika,

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Narysuj charakterystyki wyj

Narysuj charakterystyki wyj

ś

ś

ciowe tranzystora NMOS i

ciowe tranzystora NMOS i

oznacz odpowiednio osie uk

oznacz odpowiednio osie uk

ł

ł

adu.

adu.

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Podaj definicj

Podaj definicj

ę

ę

nast

nast

ę

ę

puj

puj

ą

ą

cych poj

cych poj

ęć

ęć

:

:

warunek amplitudy

warunek amplitudy

-

-

punkt pracy

punkt pracy

-

-

warstwa zubo

warstwa zubo

ż

ż

ona

ona

-

-

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Rozwi

Rozwi

ń

ń

skr

skr

ó

ó

t:

t:

MEMS

MEMS

-

-

MOS SOI

MOS SOI

-

-

JFET

JFET

-

-

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Wymie

Wymie

ń

ń

r

r

ó

ó

ż

ż

nice pomi

nice pomi

ę

ę

dzy tranzystorem

dzy tranzystorem

bipolarnym a tranzystorem unipolarnym

bipolarnym a tranzystorem unipolarnym

Wymie

Wymie

ń

ń

parametry wzmacniaczy operacyjnych

parametry wzmacniaczy operacyjnych

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Narysuj model pasmowy p

Narysuj model pasmowy p

ó

ó

ł

ł

przewodnika.

przewodnika.

Narysuj schemat blokowy zasilacza.

Narysuj schemat blokowy zasilacza.

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Co oznaczaj

Co oznaczaj

ą

ą

parametry mieszane tranzystora:

parametry mieszane tranzystora:

h

h

11

11

-

-

h

h

12

12

-

-

h

h

21

21

-

-

h

h

22

22

-

-

background image

Przyk

Przyk

ł

ł

adowe pytania na egzaminie

adowe pytania na egzaminie

Podaj 2 przyk

Podaj 2 przyk

ł

ł

ady zastosowania mikrosystemu w

ady zastosowania mikrosystemu w

medycynie

medycynie

background image

Elektronika

Elektronika

Prowadz

Prowadz

ą

ą

cy:

cy:

dr in

dr in

ż

ż

. Andrzej Kociubi

. Andrzej Kociubi

ń

ń

ski

ski

pok. 308

pok. 308

tel. 081 5384 312

tel. 081 5384 312

e

e

-

-

mail:

mail:

akociub@semiconductor.pl

akociub@semiconductor.pl


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
materialy wykladowe wyk13 d id Nieznany
Abolicja podatkowa id 50334 Nieznany (2)
4 LIDER MENEDZER id 37733 Nieznany (2)
katechezy MB id 233498 Nieznany
metro sciaga id 296943 Nieznany
perf id 354744 Nieznany
interbase id 92028 Nieznany
Mbaku id 289860 Nieznany
Probiotyki antybiotyki id 66316 Nieznany
miedziowanie cz 2 id 113259 Nieznany
LTC1729 id 273494 Nieznany
D11B7AOver0400 id 130434 Nieznany
analiza ryzyka bio id 61320 Nieznany
pedagogika ogolna id 353595 Nieznany
Misc3 id 302777 Nieznany
cw med 5 id 122239 Nieznany

więcej podobnych podstron