Tranzystory –

klasyfikacja,porównanie

Piotr Chmura –

2005-

Pytanie
nr 4

Tranzystory możemy podzielić przede wszystkim na
dwie główne grupy, w zależności od ilości (rodzaju)
nośników biorących udział w działaniu elementu :



BIPOLARNE



elektrony i

dziury



UNIPOLARNE

(Polowe, FET)



elektrony

lub dziury

Piotr Chmura 2005

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Klasyfikacja ze względu na strukturę:

 n – p – n

 p – n – p

B

E

C

B

E

C

UWAGA: Nie ma istotnego znaczenia, czy tranzystor bipolarny jest typu n-p-n,
czy p-n-p. Zasada działania jest taka sama. Tranzystory n-p-n ze względu na
trzykrotnie wyższą ruchliwość elektronów niż dziur charakteryzują się wyższymi
częstotliwościami granicznymi.

Piotr Chmura 2005

Klasyfikacja ze względu na częstotliwość pracy:

TRANZYSTORY BIPOLARNE

• tranzystory małej częstotliwości (m.cz.)

• tranzystory średniej częstotliwości (śr.cz.)

• tranzystory wielkiej częstotliwości (w.cz.)

• tranzystory bardzo wielkiej częstotliwości (b.w.cz.)

(mikrofalowe f

T

>1 GHz):

- małej mocy
- dużej mocy

 b.w.cz. ze względu na

moc

Piotr Chmura 2005

TRANZYSTORY UNIPOLARNE

Ze względu na typ przewodnictwa kanału
tranzystory MIS (podobnie jak PNFET) można
podzielić na dwa rodzaje:

• tranzystor MIS z kanałem typu p - (w którym
występuje

przewodnictwo dziurowe)

• tranzystor MIS z kanałem typu n - (w którym
występuje

przewodnictwo

elektronowe)

Piotr Chmura 2005

Tranzystory MOSFET (MISFET) charakteryzują się tymi samymi parametrami co tranzystory JFET.

TRANZYSTORY UNIPOLARNE

Ze względu na sposób sterowania kanałem
tranzystora :

• tranzystor z kanałem zubażanym (ang. depletion mode),
inaczej mówiąc tranzystor normalnie włączony (ang.
normally on);

• tranzystor z kanałem wzbogacanym (ang. enhancement
mode), inaczej mówiąc tranzystor normalnie wyłączony
(ang. normally of);

Piotr Chmura 2005

PODZIAŁ TRANZYSTORÓW

TRANZYSTOR

TRANZYSTOR

Y

Y

BIPOLARN
E

UNIPOLARN

E (Polowe,

FET)

BJT (Bipolar
Junction
Transistor)

HBT
(Heterojuncti
on Bipolar
Transistor)

ZŁĄCZOWE

(JFET)

Z IZOLOWANĄ

BRAMKĄ (IGFET)

Z KANAŁEM
TYPU „N”

Z KANAŁEM
TYPU „P”

MIS,
MISFET,
MOS,MOSFE
T

CIENKOWARSTWO

WY

(TFT)

Z KANAŁEM
TYPU „N”

Z KANAŁEM
TYPU „P”

Z KANAŁEM
WZBOGACANY
M

Z
KANAŁEM
ZUBOŻANY
M

Z KANAŁEM
TYPU „N”

Z KANAŁEM
TYPU „P”

ZE ZŁĄCZEM

p-n (PNFET)

ZE ZŁĄCZEM m-

s BARIERĄ

SCHOTTKY’EGO

(MESFET)

Piotr Chmura 2005

Źródło: W.Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i

układy scalone. WNT 1979 W-wa

a)

bardzo duża rezystancja wejściowa (rzędu setek i tysięcy M ;

b)

brak szumów śrutowych, a więc możliwość zmniejszania szumów poprzez chłodzenie;

c)

tranzystory polowe w strukturach CMOS spełniają funkcje elementów
czynnych i biernych, są więc jedynymi elementami układów;

d)

prostota technologii wytworzenia (technologia planarna);

e)

większa gęstość upakowania (tranzystor MOS zajmuje mniejszą
powierzchnię niż tranzystor bipolarny – duży stopień scalenia;

f)

mniejszy pobór mocy (kilka rzędów);

Właściwości tranzystorów unipolarnych w stosunku do bipolarnych: