TRANZYSTOR BIPOLARNY I UNIPOLARNY doc


POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

TEMAT: TRANZYSTOR BIPOLARNY I UNIPOLARNY

Ćwiczenie wykonali:

I. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia było zapoznanie się z właściwościami i charakterystykami tranzystora bipolarnego npn oraz tranzystora unipolarnego z kanałem typu n .

  1. Układ pomiarowy do badania tranzystora bipolarnego BC 147.

Tabele pomiarowe i charakterystyki.

  1. UCE = 6 [V]

  2. UBE [mV]

    100

    200

    400

    635

    656

    674

    676

    IB [μA]

    0

    0

    0

    5

    10

    20

    30

    2. UCE = 10 [V]

    UBE [mV]

    100

    200

    400

    635

    659

    669

    679

    IB [μA]

    0

    0

    1

    5

    10

    20

    30

    0x01 graphic

    3.

    IB= 20[μA]

    UCE [V]

    2

    4

    6

    8

    10

    12

    IC [mA]

    3.6

    4

    4.2

    4.4

    4.55

    4.7

    IB= 40[μA]

    UCE [V]

    2

    4

    6

    8

    10

    12

    IC [mA]

    8.75

    9

    9.25

    9.5

    9.75

    10.25

    1. Układ pomiarowy tranzystora unipolarnego BF 245.

    1. Tabele pomiarowe i wykresy.

    UGS = 0[V]

    UDS [V]

    1

    2

    4

    6

    10

    15

    ID [mA]

    2.4

    3

    3.1

    3.15

    3.2

    3.3

    UGS= -0.5[V]

    UDS [V]

    1

    2

    4

    6

    10

    15

    ID [mA]

    1

    1.125

    1.175

    1.175

    1.2

    1.275

    UGS= -1[V]

    UDS [V]

    1

    2

    4

    6

    10

    15

    ID [mA]

    0.125

    1.125

    1.13

    1.135

    0.145

    0.15

    UGS= -3[V]

    UDS [V]

    1

    2

    4

    6

    10

    15

    ID [mA]

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    0x01 graphic

    Wnioski:

    do opisu stanu tranzystora na ogół wystarczające jest podanie pary charakterystyk, w której jedną jest char. wejściowa lub zwrotna, drugą zaś przejściowa lub wyjściowa.

    Najważniejsze zastosowanie w praktyce mają charakterystyki wejściowe i wyjściowe.

    Z naszej charakterystyki wejściowej wynika , że przy małych wartościach prądu napięcie bardzo zależy od prądu bazy.

    Dochodzimy jednak do wartości nasycenia gdzie napięcie ustala się i zmieniając prąd bazy w dużych przedziałach napięcie zmienia się nieznacznie.

    Dla większych UCE przebieg zależności prądu bazy od napięcia UCE zachodzi szybciej, czyli proces narastania charakterystyki jest szybszy.

    Z charakterystyki wyjściowej wynika, że dla większego prądu bazy przy dowolnym napięciu UCE prąd kolektora ma większą wartość.

    Otrzymane charakterystyki posiadają pewne nachylenie.

    Przyczyną tego nachylenia jest modulacja efektywnej szerokości bazy.

    Mamy teą do czynienia ze zjawiskiem większego wstrzykiwania nośników z emitera.

    Przy badaniu charakterystyki tranzystora unipolarnego możemy wyróżnić zakres nasycenia, gdzie UDS nieznacznie wpływa na prąd drenu.

    Tranzystor sterowany jest poprzez zmiany napięcia ujemnego UGS .

    Dla dwóch przebiegów widoczny jest moment, gdzie tranzystor mógłby przejść w stan powielania lawinowego.

    Jest to jednak stan zakazany, gdyż tranzystor jest narażony na uszkodzenie.



    Wyszukiwarka

    Podobne podstrony:
    Tranzystory bipolarny i unipolarny2 doc
    Tranzystory bipolarny i unipolarny doc
    Tranzystor bipolarny i unipolarny 3 doc
    Badanie tranzystorów bipolarnego i unipolarnego doc
    3 Tranzystory bipolarne i unipolarne
    Tranzystory bipolarne i unipolarne, Księgozbiór, Studia, Elektronika i Elektrotechnika
    Tranzystory bipolarne i unipolarne
    zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych
    Tranzystor bipolarny?135 oraz unipolarny czasy
    Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc
    Rozdział 4 Tranzystory Bipolarne Doc
    F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
    90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
    cw5 Tranzystor bipolarny
    etr2 lab odpowiedzi na pytania do laborek z tranzystora bipolarnego, Mechatronika, 2 Rok
    Układ zasilania tranzystorów bipolarnych
    126 Budowa tranzystora bipolarnego
    Tranzystor bipolarny-gac, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. La

    więcej podobnych podstron