POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
TEMAT: TRANZYSTOR BIPOLARNY I UNIPOLARNY
Ćwiczenie wykonali:
I. Cel ćwiczenia.
Celem ćwiczenia było zapoznanie się z właściwościami i charakterystykami tranzystora bipolarnego npn oraz tranzystora unipolarnego z kanałem typu n .
Układ pomiarowy do badania tranzystora bipolarnego BC 147.
Tabele pomiarowe i charakterystyki.
UCE = 6 [V]
UBE [mV] |
100 |
200 |
400 |
635 |
656 |
674 |
676 |
IB [μA] |
0 |
0 |
0 |
5 |
10 |
20 |
30 |
2. UCE = 10 [V]
UBE [mV] |
100 |
200 |
400 |
635 |
659 |
669 |
679 |
IB [μA] |
0 |
0 |
1 |
5 |
10 |
20 |
30 |
3.
|
|
|
IB= 20[μA] |
|
|
|
UCE [V] |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
IC [mA] |
3.6 |
4 |
4.2 |
4.4 |
4.55 |
4.7 |
|
|
|
IB= 40[μA] |
|
|
|
UCE [V] |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
IC [mA] |
8.75 |
9 |
9.25 |
9.5 |
9.75 |
10.25 |
Układ pomiarowy tranzystora unipolarnego BF 245.
1. Tabele pomiarowe i wykresy.
|
|
|
UGS = 0[V] |
|
|
|
UDS [V] |
1 |
2 |
4 |
6 |
10 |
15 |
ID [mA] |
2.4 |
3 |
3.1 |
3.15 |
3.2 |
3.3 |
|
|
|
UGS= -0.5[V] |
|
|
|
UDS [V] |
1 |
2 |
4 |
6 |
10 |
15 |
ID [mA] |
1 |
1.125 |
1.175 |
1.175 |
1.2 |
1.275 |
|
|
|
UGS= -1[V] |
|
|
|
UDS [V] |
1 |
2 |
4 |
6 |
10 |
15 |
ID [mA] |
0.125 |
1.125 |
1.13 |
1.135 |
0.145 |
0.15 |
|
|
|
UGS= -3[V] |
|
|
|
UDS [V] |
1 |
2 |
4 |
6 |
10 |
15 |
ID [mA] |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
Wnioski:
do opisu stanu tranzystora na ogół wystarczające jest podanie pary charakterystyk, w której jedną jest char. wejściowa lub zwrotna, drugą zaś przejściowa lub wyjściowa.
Najważniejsze zastosowanie w praktyce mają charakterystyki wejściowe i wyjściowe.
Z naszej charakterystyki wejściowej wynika , że przy małych wartościach prądu napięcie bardzo zależy od prądu bazy.
Dochodzimy jednak do wartości nasycenia gdzie napięcie ustala się i zmieniając prąd bazy w dużych przedziałach napięcie zmienia się nieznacznie.
Dla większych UCE przebieg zależności prądu bazy od napięcia UCE zachodzi szybciej, czyli proces narastania charakterystyki jest szybszy.
Z charakterystyki wyjściowej wynika, że dla większego prądu bazy przy dowolnym napięciu UCE prąd kolektora ma większą wartość.
Otrzymane charakterystyki posiadają pewne nachylenie.
Przyczyną tego nachylenia jest modulacja efektywnej szerokości bazy.
Mamy teą do czynienia ze zjawiskiem większego wstrzykiwania nośników z emitera.
Przy badaniu charakterystyki tranzystora unipolarnego możemy wyróżnić zakres nasycenia, gdzie UDS nieznacznie wpływa na prąd drenu.
Tranzystor sterowany jest poprzez zmiany napięcia ujemnego UGS .
Dla dwóch przebiegów widoczny jest moment, gdzie tranzystor mógłby przejść w stan powielania lawinowego.
Jest to jednak stan zakazany, gdyż tranzystor jest narażony na uszkodzenie.