Politechnika Częstochowska
Laboratorium Elektroniki
Ćwiczenie 4
Temat: Diody półprzewodnikowe
Sprawozdanie
Schemat układu pomiarowego
1. Pomiary w kierunku przewodzenia:
a) dioda germanowa
313 K |
IF [mA] |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
30 |
40 |
60 |
80 |
100 |
|
UF [mV] |
160 |
173 |
188 |
198 |
200 |
235 |
269 |
293 |
309 |
324 |
333 K |
IF [mA] |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
30 |
40 |
60 |
80 |
100 |
|
UF [mV] |
114 |
131 |
144 |
157 |
192 |
217 |
231 |
262 |
283 |
302 |
b) dioda krzemowa
313 K |
IF [mA] |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
30 |
40 |
60 |
80 |
100 |
|
UF [mV] |
520 |
535 |
550 |
560 |
595 |
617 |
628 |
649 |
663 |
676 |
333 K |
IF [mA] |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
30 |
40 |
60 |
80 |
100 |
|
UF [mV] |
454 |
477 |
493 |
503 |
540 |
555 |
577 |
598 |
612 |
625 |
2. Pomiary w kierunku zaporowym dla diody germanowej
313 K |
UR [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
16 |
|
IR [μA] |
85 |
110 |
130 |
150 |
170 |
190 |
240 |
350 |
550 |
900 |
1250 |
333 K |
UR [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
16 |
|
IR [μA] |
500 |
640 |
750 |
850 |
900 |
975 |
1100 |
1250 |
1500 |
1900 |
2350 |
3. Pomiary w kierunku zaporowym dla diody Zenera BZP620-C11
313 K |
UR [V] |
2 |
4 |
6 |
8 |
9 |
UR [V] |
11,15 |
11,19 |
11,21 |
11,30 |
11,32 |
|
IR [mA] |
0 |
0,007 |
0,04 |
0,135 |
0,265 |
IR [mA] |
5 |
10 |
25 |
40 |
70 |
333 K |
UR [V] |
2 |
4 |
6 |
8 |
9 |
UR [V] |
11,27 |
11,33 |
11,4 |
11,5 |
11,5 |
|
IR [mA] |
0,003 |
0,007 |
0,05 |
0,3 |
0,57 |
IR [mA] |
5 |
10 |
25 |
40 |
70 |
Charakterystyki
1. Charakterystyki diody germanowej
Dla temperatury 313 K
Dla temperatury 333 K
2. Charakterystyki dla diody krzemowej
Dla temperatury 313 K
Dla temperatury 333 K
3. Charakterystyki dla diody Zenera BZP620-C11 w kierunku zaporowym
Dla temperatury 313 K
Dla temperatury 333 K
Wnioski
Pomiary przeprowadziliśmy dla trzech rodzajów diod półprzewodnikowych: diody germanowej, diody krzemowej i diody Zenera BZP620-C11. Pomiary były prowadzone przy dwóch różnych temperaturach pracy tych elementów: 313 K oraz 333 K. Z pomiarów przeprowadzonych w kierunku przewodzenia dla diody krzemowej i germanowej wynika, że zwiększenie temperatury pracy obniża w efekcie wartości napięć na diodzie przy tych samych prądach, czyli powoduje zmniejszenie rezystancji diody.
W kierunku zaporowym dioda zachowywała się mniej więcej podobnie. Różnica była tylko taka, że wielkością nastawianą było tutaj napięcie, a odczytywaną prąd. Widać, że dla temperatury wyższej wartości prądów znacznie wzrastają - niekiedy nawet pięciokrotnie.
W przypadku diody Zenera zmiana temperatury nie miała aż takiego wpływu na zmianę rezystancji tego elementu półprzewodnikowego. Z tego też powodu wyniki uzyskane z pomiarów dla temperatury 313 K niewiele się różnią od wyników uzyskanych dla 333 K.
4