1.Mikrofalowe elementy radiokomunikacyjnego systemu b.w.cz.

Równaie zasiegu: Pr=(Gn Gr*λ^2*Pn) / (16*π^2*d^2); Pr-moc sygnału nadawanego; Pn-moc sygnału odebranego; Gn-zysk anteny nadawczej; Gr-zysk anteny odbiorczej; d-odległość anten. Wlaściwości propagacyjne mikrofal: w ośrodkach niejednorodnych propagacja wzdluż lini krzywych o małej krzywiźnie (np. zmienność εr nad powierzchnia Ziemi w wyniku zmiennej gęstości pary wodnej). W jonosferze dzięki dużej częstotliwości propagacja wzdłuż lini prostych . Właściwości szumowe: Bardzo małe tłumienie do ok.20 GHz. W zakresie fal milimetrowych (powyżej 30 GHz) maksima tłumienia powodowane absorpcją w cząsteczkach tlenu lub wody, podzielone pasmami o znacznie mniejszym tłumieniu . Tłumienie mikrofal przez mgłę i deszcz jest mniejsze niż tłumienie w zakresie fal świetlnych.

2. Przegląd technologii układów B.W.Cz.

Układy B.W.Cz. stanowią połączenia liniowych elementów pasywnych (filtry, układy dopasowujące) z elementami nieliniowymi i aktywnymi służących do wzmacniania sygnałów b.w.cz.

Metody realizacji układów b.w.cz:

Realizacja metodami obróbki mechanicznej: układy wykorzystujące linie współosiowe, symetryczne (kołowy, prostokątny , kwadratowy przekrój przewodu wewnętrznego)falowody prostokątne i cylindryczne. Podstawowe operacje wchodzące w skład tej technologii to: toczenie, wiercenie, szlifowanie, frezowanie, polerowanie, lutowanie, spawanie. Często wykorzystywane są procesy elektromechaniczne mające na celu polepszenie właściwości powierzchni metalicznych lub ich zabezpieczenie przed korozja.

Technologia odlewania lub odlewania wtryskowego: Wykonanie odlewów w formach (obudowy układów, elementy układów współosiowych). Brak strat materiałowych, możliwość powtarzalnej produkcji elementów.

Technologia elektroformowania: polega na elektrochemicznym nanoszeniu warstw metalu na uprzednio przygotowany rdzeń, który jest później usuwany. Umożliwia precyzyjna realizację układów o skomplikowanych kształtach. Czasochłonna dość droga. Do produkcji małoseryjnej, szczególnie elementów i układów na fale milimetrowe.

Technologia hybrydowyh układów scalonych (HUMS lub MUS):

Jest to technologia mieszana (Hybrydowa): znaczna część układu w postaci struktury opartej na wykorzystaniu prowadnicy lub prowadnic pakowych wykonywana jest na podłożu dielektrycznym, a następnie montowane są elementy dyskretne (rezystory, kondensatory, induktory, diody, tranzystory)

3.Diody i tranzystory na zakresie b.w.cz. Diody są w powielaczach częst., układach przemiany cz., madulatorach i demodulatorach. Dioda ostrzowa powstaje przez dociskowe skontaktowanie ostro zakończonego drutu z odpowiednim półprzewodnikem. Powstaje w ten sposób złącze metal-półprzewodnik (m-p) z pewnym potencjałem kontaktowym. Zaleta: brak nośników mniejszościowych, brak pojemności dyfuzyjnej. Wady: uzyskanie wlaściwej wartości potencjału kontaktowego wymaga zastosowania słabo domieszkowanego półprzewodnika. Dioda Schottky'ego Złącze m-p w postaci planarnego kontaktu metalicznego np. w kształcie koła naniesiony na odpowiedni półprzewodnik. Złącze jest mechanicznie i elektrycznie trwałe. Złącze można zabezpieczyc przed wpływami zewnętrznymi, nanosząc odpowiedną dielektryczna warstwę ochronną. Istotnym ulepszeniem jest zastosowanie dwuwarstwowego półprzewodnika, warstwa epitaksjalna jest budowana na grupszej warstwie półprzewodnika zdegenerowanego n+. Maja przez to małą rezystancję szeregową. Kontakt z metalem złacza m-p uzyskuje się poprzez przyspawnie do niego drucika lub taśmy. Konieczne jest tutaj przygotowanie dodatkowego pola kontaktowego na warstwie ochronnej, zwieksza jednak pasożytniczą pojemność diody. Układ zastępczu złącza m-p:

Są dwa elementy nielinowe:Konduktancja wynikająca z wiązku ze związku pomiędzy prądem przewodzenia a napieciem, i pojemność warstwy opróżnionej istniejącej przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym. W zwiazku ztym diody Schottky'ego są wykorzystywane jako nielinowe rezystancje (warystory) i nielinowe kondensatory (waraktory). Różnia się one średnicą złącz i domieszkowaniem i grubościa warstwy epitaksjalnej. Rys1: Rs-rezystancja strat.

Rys2.Kompletny układ zastepczy z elementami reprezuntujące oprawke diody lub doprowadzenia.

Diody p-i-n Dioda składa się z 3 obszarów półprz.: typu p+, samoistny typu i, warstwowy typu n+. RYS:

Dioda spolaryzowana w kierunku zaporowym/przewodzenia. Rs-całkowita szeregowa rezystancja strat, Ci-poj. warstwy opróżnionej.

Dioda działa dla b.w.cz. jak elektronicznie regulowany rezystor z elementami pasożytniczymi. A także jako przełącznik, lub jako regulowany rezystor. Szybkośc przełączani jest orgraniczona, (w najlepszym przypadku czas przełaczania jest ponizej ns).

Można dzieki niej sterować przepłuwem sygnałów b.w.cz. za pośrednictwem prądu sterującego Id. Zastosowanie: do powolnego sterowania przepływem syg. b.w.cz. dużej mocy, do zminaturyzowanych elementów do zastosowań w układach małej mozy.

Diody lawinowe: Zasada pracy tych przyżadów łączy w sobie dwa zjawiska prowadzące do generacji rezystancji ujemnej. Kontrolowaną jonizacje lawinową w obszarze złącza p-n oraz opuźnienie w obszarze o stałej prędkości unoszenia nośników.

Przyrząd Gunna Zjawisko generacji mikrofal oparte jest na procesie generacji ciągu impulsów o duzej częst. powtarzania w próbce GaAs. Poddanej działaniu stałego pola elektrycznego o dużym natężeniu. Wykorzystuje się go do generacji wysokich częst. mikrofalowych.

Tranzystory mikrofalowe: Wymagania materialowe: duża ruchliwość nośników, duza szerokość pasma zabronionego; mała przenikalność elektryczna. Tranzystor bipolarny: stosowany w zakresie nizszych częst. mikrofalowych, we wzmacniaczach o malych szumach do ok.40GHz, wzm. mocy do ok.2GHz, oscylatorach do ok.15GHz. Ze względu na małe szumy 1/f. Heterozłączowe tranzystory bipolarne (HBT) stosowane od niskich f mikrofalowych aż do fal milimetrowych. Wykożystywane sa również w MMUS. Tranzystory polowe: we wzm. o małych szumach i wzm. mocy do ok.20GHz. Również w oscylatorach. Tranzystory z elektronami o wysokiej ruchliwości odmiana tr. polowego umozliwiająca wykorzystani max. ruchliwości elektronów. W zakresie wysokich f mikrofalowych i fal milinetrowych, we wzm. o bardzo małych szumach.

4. Najważniejsze przyrządy próżniowe do generacji mikrofal (klistron refleksowy, magnetron)

Klistron refleksowy

Zasada działania: stałe pole elektryczne pomiędzy anodą a rezonatorem przyspiesz jednorodny strumień elektronów, który dociera do rezonatora cylindrycznego wykonanego częściowo z siatki o b.drobnych oczkach, przez które elektrony przenikają do rezonatora. Elektrony wzbudzają między ściankami rezonatora napięcie zmienne U, które zależnie od chwilowego znaku przyśpiesza lub opóźnia elektrony. Elektrony wybiegające z rezonatora maja więc różne prędkości początkowe. Wpadają one w obszar pola hamującego pomiędzy rezonatorem a reflektorem, są hamowane, zawracane do rezonatora a jednocześnie grupowane. Jeżeli większość zgrupowanych elektronów powraca w obszar rezonatora w czasie, kiedy napięcie U hamuje je, to oddają one swoją energię polu hamującemu. W ten sposób energia pola stałego zostaje przekazana polu mikrofalowemu generowanemu w obszarze rezonatora. W rezultacie dochodzi do samowzbudzenia klistronu przy częstotliwości rezonansowej rezonatora. W celu skorzystania z energii wygenerowanych drgań należy wprowadzić do rezonatora sondę w postaci pętelki stanowiącej zakończenie linii współosiowej. Warunkiem samowzbudzenia jest przewaga liczby elektronów oddających energię rezonatorowi nad elektronami pobierającymi od niego energię (przyśpieszanymi). Osiąga się to m.inn. przez dobór napięcia reflektora, przy którym zachodzi najkorzystniejsze grupowanie elektronów powracających do rezonatora.

Przestrajanie:

-mechaniczne w zakresie +-10% częstotliwości środkowej do oktawowego przez zmianę wymiarów rezonatora

-elektronicznie w dużo mniejszym zakresie przez zmianę napięcia reflektora, dzięki temu możliwa jest modulacja częstotliwości klistronu oraz jego wykorzystanie w układach w utomatycznej regulacji częstotliwości.

Wady: kłopotliwe zasilanie (wysokie napięcie, katoda na wysokim potencjale), ograniczona trwałość

Zalety dobre właściwości szumowe i możliwość wykorzystania urządzenia do częstotliwości przekraczających 150GHz

Moc sygnałów klistronów zależy od przeznaczenia, nie przekracza jednak kilkudziesięciu mW.

Magnetrony synchroniczne

Diody próżniowe przeznaczone do generacji bardzo dużych mocy.

Zasada działania:

Magnetrony są lampami wykorzystującymi skrzyżowane stałe pole elektryczne i magnetyczne. Stałe pole elektryczne przyśpiesza elektrony emitowane przez katodę. Pole magnetyczne skierowane prostopadle powoduje skutek w postaci prostopadle skierowanej siły zakrzywiającej tor elektronu. Elektron wpada jednocześnie w obszar zmiennego pola elektrycznego, które powinno w tym samym momencie mieć zwrot powodujący hamowanie elektronu. To powoduje spadek prędkości elektronu i zapoczątkowanie nowego cyklu: przyśpieszanie przez stałe pole elektryczne - zakrzywianie toru - hamowanie przez pole zmienne elektryczne. Warunkiem samowzbudzenia i dużej sprawności magnetronu jest osiągnięcie synchronizmu zmian kierunku pola wytwarzanego przez rezonatory oraz średniej prędkości kątowej elektronów. Wówczas elektron jest wielokrotnie wykorzystywany jako środek przekazywania energii. Są również elektrony niekorzystne, które są przyspieszane przez pole zmienne. Ich tor ulega dalszemu zakrzywieniu i powracają one do katody. W magnetronie może zaistnieć kilka rodzajów pola. Należy wiec wymusić powstanie pożądanego rodzaju pola. Jest to z reguły rodzaj Π. Wówczas pola w co drugim rezonatorze są w fazie. W celu tłumienia niepożądanych rodzajów pola łączy się więc co drugi rezonator elektrycznie.

Magnetrony są stosowane przede wszystkim w radarach oraz grzejnictwie mikrofalowym.

Zalety: duża moc (średnia rzędu 100W - 1kW, szczytowa przy pracy impulsowej rzędu MW) i sprawność przekraczająca 50%. Wady: niestabilność generowanej częstotliwości, wrażliwość na zmiany obciążenia, znaczne szumy AM i FM.

5. Elementy dyskretne do MUS. Rezystory do montażu powierzchniowego: stosowane w hybrydowych MUS. Powstaje prze naniesienie warstwy materiału o dużej rezystywności na płaskiej prostopadłóściennej bazie ceramicznej, z kontaktami lutowniczymi naniesionymi na krawędziach. Zabezpiecza się lakierem lub szkliwem. Taki rezystor szeregowo wmontowany w NLP tworzy stratny odcinek NLP na niejednorodnym podłożu. Układ zasepczy rezystora do montaży powierzchniowego: RYS:

Elementy Rs, Ls, Cp, Rp, tworzą układ zastępczy warstwy rezystywnej. Odcinki lini transmisyjnej o parametrach l2, Zo2, εeff2 reprezentują doprowadzenia do warstwy rezystywnej.

Rezystory cienkowarstwowe tworzy warstwa metalu o dużej rezystywności naparowana do montażu. Grubość warstwy jest rzędu mikrometra. Parametrem określającym rezystywność warstwy jest wartość R/kwadrat (R/Ÿ). W oparciu o to można realizować rezystory o różnych rezystancjach, łącząc szeregowo i równolegle kwadraty o rezystancji R. Układ zastępczy taki jak wyżej z pominięciem lini transmisyjnej.

Rezystory grubowarstwowe: różnią się od cienkowartwoych technologią wykonania i wynikającą z niej grubościa warstwy stratnej. Stosowane są w grubowarstwowych MUS.

Rezystory pólprzewodnikowe Jeśli się usunie z tranzystora polowego bramkę, pozostaje obszar kanału pomiędzy źródłem a drenem. Dobierając rozmiary i domieszkowanie tego obszaru można uzyskać rezystory z dość szerokim zakresie wartości rezystancji. Małe rozmiary struktór powodują ze z rys w.w. można często usunąć odcinki prowadnicy falowej reprezentujące fizyczną długość rezystora.

Rezystory lub obciążenia o stałych rozłozonych charakteryzuja się one stopniowym wprowadzaniem materiału stratnego w obszarze prowadnicyn np. paska NLP.Dzieki temu struktura materialu absorbującego energię mikrofal nie stanowi gwałtownie wprowadzonej nieciągłości, umożliwiając realizację obciążeń o małym współczynniku odbicia. Rys: Struktura rezystora - obciażenia NLP o stałych rozłożonych.

Podstawową zaletą tych elementów jest mozliwość realizacji w układach planarnych obciążeń szerokopasmowych o małych wartościach współczynnika odbicia czy WFS.

Kondensatory monolityczne do montaży powierzchniowego RYS:

Przekrój ograniczony jest do dwoch warst metalizacji tworzących konensator płaskorównoległy. Dielektryk wypelniający kondesator charakteryzuje się wartościa εr>>1. Rys.Układ zastępczy .

Jego ważną cechą jest równoległe połączenie indukcyjności i pojemności, co przy pewnej wartości f prowadzi do rezonansu równoleglego.

Kondensatory cieńko i grubowarstwowe Rys:

Są to kondensatory płaskie, wykonane na podłożu drogą naniesienia cienkich warstw metalizacji i dielektryka.

Fizyczną długość kondensatora uwzględniono wprowadzając do ukladu zastępczego odcinki prowadnicy o długości Δl/2.

Induktory do montażu powierzchniowego Rys:

C2-pojemność miedzyzwojowa.

Induktory powietrzne solenidowe zawierają od kilku maksymalnie zminiatyryzowanych zojów drutu o malej średnicy. Stosowane są w MUS. RYS:

Połączenia w MUS wykonywane są za pośrednictwem drutu montażowego lub taśm Ich indukcyjność jest parametrem pasożytniczym jednak czasem może być wykorzystywana jako element układu dopasowującego


Spiralne induktory planarne RYS mają one postać spirali o rozmaitych kształtach. Stosowane są czasem w MUS i powszechnie MMUS

6. Prowadnice falowe dla mikrofalowych układów scalonych MUS

Mikrofalowe układy scalone - wykonane na podłożu dielektrycznym, które umożliwia wykonanie połączeń oraz szeregu elementów. Ze względu na płaskość materiałów i płytek podłożowych prowadnice falowe do MUS są również płaskie (planarne).

SLP

Jeżeli obszar między płaszczyznami przewodzącymi i paskiem centralnym wypełniony jest jednorodnym dielektrykiem to podstawowy rodzaj pola - TEM a długość fali określa wzór λ=λo/sqrt(Er). Impedancja charakterystyczna SLP zależy od wymiarów i stałej dielektrycznej podłożaZo=f(b,w,t,Er). Ponieważ fala w SLP rozchodzi się w dielektryku w obecności przewodników, stała tłumienia zależy od parametrów warstw przewodzących jak i od tg δ dielektryka. Parametry warstw przewodzących to głębokość metalizacji (powinna być parokrotnie większa od głębokości wnikania), konduktywność oraz chropowatość.

Ograniczenia wymiarów SLP.

a)szerokość paska nie powinna przekraczać λo/(2sqrt(Er)) przy najwyższej częstotliwości. Eliminuje to możliwość propagacji fal pierwszego wyższego rodzaju pola. Dlatego nie można zrealizować dowolnie niskiej impedancji charakterystycznej. Typowe ograniczenie szerokości pasków to 50-100μm

b)Odległość płaszczyzn przewodzących nie powinna przekraczać λ/(2sqrt(Er)) przy najwyższej częstotliwości. Zabezpiecza to przed propagacją między płytami fali z poziomo spolaryzowaną elektryczną składową pola.

c)Aby uniknąć propagacji fali falowodowej, trzeba przez dobór pometalizowanych otworów, dostosować częstotliwość pracy projektowanego układu SLP

Technologia wykonania SLP jest skomplikowana.

NLP

Najczęściej stosowana w układach scalonych. Prowadnica niejednorodna wypełniona dielektrykiem. W zakresie niezbyt dużych częstotliwości jest prowadnicą TEM. Prowadnica dyspersyjna, czyli efektywna stała dielektryczna jak i impedancja charakterystyczna staje się funkcją częstotliwości. Zarówno Zo jak i Eeff są funkcjami parametrów podłoża oraz szerokości mikropaska. Poza obszarem mikropaska podłoże stanowi płytę dielektryczną spoczywającą na dobrym przewodniku.

Ograniczenia:

a) w NLP mogą rozchodzić się fale powierzchniowe. Nie zachodzi to tak długo jak stałe fazowe rodzajów pól się różnią. A więc fmaks<<fc, gdzie fc jest częstotliwością dla której obie stałe fazowe osiągają taką samą wartość. fc[GHz]=75/(hsqrt(Er-1))

b) ograniczona szerokość paska od góry zabezpiecza przed możliwością propagacji fali odpowiadającej pierwszemu wyższemu rozkładowi pola. Szerokość paska nie powinna przekraczać weff<λo/(2sqrt(Er)), gdzie weff to efektywna szerokość paska.

SSLP i SNLP

Struktury te znalazły liczne zastosowania w sprzęgaczach kierunkowych i filtrach.

Dwa typy rozkładu pola w prowadnicach typu SNLP (parzysty i nieparzysty) powodują występowanie dwóch wartości stałej fazowej βe,βo oraz impedancji charakterystycznej Zoe, Zoo (e - even o - odd)

Para linii sprzężonych tworzy czterowrotnik, dla którego można obliczyć macierz współczynników rozproszenia. Przy założeniu że ZoeZoo=Zo^2 i βe=βo czterowrotnik staje się idealnie dopasowany i ma właściwości kierunkowe. Dzięki temu linie sprzężone można wykorzystywać przy konstrukcji sprzęgaczy kierunkowych. Warunek ten będzie spełniony dla SSLP ponieważ wypełnia je dielektryk. W strukturze SNLP różnica w rozkładach pola pozwala przewidywać różne wartości odpowiadających im stałych fazowych. W tym przypadku będziemy mieli również do czynienia z dyspersją efektywnych stałych dielektrycznych oraz impedancji charakterystycznych SNLP

9.Filtry tworza wazna grupe ukladow wykorzystywanych w urzadzeniach i stystemach wielkich czest. W zaleznosci od wymagan ukladowo systemowych elementy te mogą być filtrami DP, PP, PZ, oraz filtrami GP. Filtr W.CZ wykonywane sa z elementow o parametrach skupionych LC oraz linii transmisyjnych roznych rodzajow. Filtyry mogą być wykonywane z linii mikropaskowych linii szczelinowych linii koncentrycznych, falowodow metalowych. Niezaleznie od fizycznej konstr i struktury procedura projektowania filtrow w.cz sklada się najczesciej z trzech krokow. 1. Projekt prototypowego filtru dolnoprzep. o wy\maganych parametrach charakterystyki przenoszenia. 2.Transformacja obwodu prototypowego filtru dolnoprzep na obwod filtru zadanego typu (DP, PP, PZ, GP) o zadanych czest granicznych pasma przenoszenia lub zadanej czest srodkowej 3. Realizacja obwodu filtru w postaci uklkadu ficzycznego o parametrach rozlozonych za pomoca danego typu linii transmisyjnych (falowod , linia mikropasmowa, linia szczelinowa itd.)

FDP - projektowanie - charakt maksymalnie plaska

charakt rownom falista

Struktury prototypu rys na str 50.

Realizacja FDP przy uzyciu elementow o stalych rozlozonych - korzystamy z wprowadzonych na wykladach o MUS ukladow zastepczych odcinka linii transmisyjnej, kondensatory zastepujemy przy pomocy odcinkow linii o jak najmniejszej impedancji charakterystycznej, induktory - odcinek - odcinek linii o jak najwiekszej imep charakt.

FGP - Aby umozliwic projektowanie FGP w oparciu o tablice przygotowane dla FDP wprowadzono odpowiednią transformacje czestotliwosci
-wzor1

Rys. charakt FDP - rownowazna charakt FGP - str 53 - struktura prototypu tesz na tej str.

Projekt FGP - 1. Należy ustalic wymagania na charakt FGP okreslona paramtrami liczb ω₁^' A₁^', ω₂^', A₂^'; 2. Należy okreslic dane rownowaznego FDP stosujac przeliczenia

(fdp)->
<- (fgp) 3. Na tej podstawie oblicza się ilosc elementow filtru. 4. Po odczytaniu z tablic znormalizowanych wartosci elementow fdp obliczamy rownowazne warotsci elem fgp korzystajac ze wzoru1.

FPP - transformacja czest -
-(wzor1)

1. Ustalic wymagania : rodzaj charakterystyki ω₁^'ω₁^''ω₂^''ω₂^'A₁ A₂ . 2.Przeliczamy na rownowazny fdp , przeliczyc ilosc elementow filtru (wybrac wieksze n), skorzystac z tablic elementow fdp 3. korzystajac z wzor1 przeliczyc wartosci elementow prototyp fdp na wart elementow fpp. 4.w rezultacie tego przeliczenia polegajacego na podstawieniu ω do ind. szeregowe L_n=g_nR₀/ω₁ do prototypu fdp staja się szeregowymi obw rezonansowymi a rownolegle wlaczone pojemnosci rownoleglymi obwod. rezonansowymi. rys prot. fpp z elem o stal. skupionych str. 53.

Inwertery - impedancji i admitancji - zasada dzialania rys 9.25 str 53 - inwert imped Za=K²/Zb - inwert admitancji Ya=J²/Yb. Stałe K,J nosza nazwe wsp inwersji . Przyczyna stos. inwert w fpp jest oczywista : patrzac od strony wejscia inwertera przeksztalcaja one szeregowe obwody rezonansowe w rownolegle obwody rezonansowe. Jeżeli wiec dysponujemy rezonatorem rownowaznym rownolegle wlaczonemu rownoleglemu obwodowi rezonansowemu o admitancji Yb=1/Zb to po zastosowaniu inwertera admit otrzymamy admitancje wejsciowa Ya=J²*Zb . Wlaczajac taki obwod miedzy dwa inwertery otrzymujemy potrzebny nam rownowaznik szeregowo wlaczonego szereg. obw rezon, Przyklady inwerterow - rys z 54 str

10.Idealne rozgalezienie Y - rys u Malego w not - Uklad posiada trzy wrota - idealne Y polega na tym ze niezalenie które wrota były pobudzone fala po przesciu przez rozgalezienie widzialaby impedancje Z₀

Dzielnik Wilkinsona - celem jego jest dopasowanie trzech wrot izolacja wrot 2 i 3 . rys9.41 Dzieki temu ze polpierscienie mają identyczna dlugosc to fale w punktach a i b sa takie same otrzymalibysmy napiecia Va i Vb gdzie Va=Vb tzn przezz rezystor nie plynie prad bo nie ma roznicy potencjalow z punktu widzenia pierwszych wrot jego nie ma. Żeby prowadnica 1 widziala dopasowanie to musi widziec rownolegle polaczenie 2Z₀ i 2Z₀ z tego wynika ze dlugosc pierscienia musi być λ/4. Z²₁=2*Z₀ a R=2*Z₀ .W tak zaprojektowanym ukladzie moc dzielona jest na polowe. Teraz wprowadzamy fale od wrot trzecich, fala rozdziela się na fale biegnace przez pierscien i przez rezystor. Ta co biegnie przez piercien rozdziela się na dwie do wrot pierwszych i do drugich ta z rezystora do drugich i do wrot drugich znosza się polowa mocy doprowadzana jest do wrot pierwszych a druga polowa jest tracona w rezystorze. Taki rozgal .pracuje do czest ok. 2GHz . Aby zwiekszyc pasmo laczymy pierscienie szeregowo,aby zwiekszyc ilosc wrot laczymy pierscienie rownolegle. Zastosowanie : ??

Sprzegacz kierunkowy - jest to czterowrotnik który sklada się z najczesciej dwoch linii transmis, sprzezonych ze soba w taki sposób ,ze moc fali elektromagnetycznej rozchodzacej się w jendej linii jest czesciowo przekazywana do drugiej linii przy zachowaniu pewnych szczegolnych wlasciwosci kierunkowych. Fala elektromag w falowodzie sprzezonym porusza się w kier. zgodnym a w drugim w kierunku przeciwnym do kier poruszania się fali w torze glownym Parametry - kierunkowosc , sprzezenie i izolacja.

---