Complementary Silicon

High-Power Transistors

. . . PowerBase

complementary transistors designed for high

power audio, stepping motor and other linear applications. These
devices can also be used in power switching circuits such as relay or
solenoid drivers, dc–to–dc converters, inverters, or for inductive loads
requiring higher safe operating area than the 2N3055 and MJ2955.

•

Current–Gain — Bandwidth–Product @ I

C

= 1.0 Adc

f

T

= 0.8 MHz (Min) – NPN
= 2.2 MHz (Min) – PNP

•

Safe Operating Area — Rated to 60 V and 120 V, Respectively

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*MAXIMUM RATINGS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Rating

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

2N3055A

MJ2955A

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

MJ15015
MJ15016

ÎÎÎ

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Voltage

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

V

CEO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

60

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

120

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Base Voltage

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

V

CBO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

100

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

200

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Voltage Base

Reversed Biased

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

V

CEV

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

100

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

200

ÎÎÎ

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter–Base Voltage

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

V

EBO

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

7.0

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Current — Continuous

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

I

C

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

15

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Adc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Base Current

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

I

B

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

7.0

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Adc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Total Device Dissipation @ T

C

= 25

C

Derate above 25

C

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

P

D

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

115

0.65

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

180

1.03

ÎÎÎ

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Watts
W/

C

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Operating and Storage Junction

Temperature Range

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

T

J

, T

stg

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

–65 to +200

ÎÎÎ

Î

Î

Î

ÎÎÎ

C

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

THERMAL CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Thermal Resistance, Junction to Case

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

R

θ

JC

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.52

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.98

ÎÎÎ

Î

Î

Î

ÎÎÎ

C/W

*Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)

Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.

ON Semiconductor



Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

March, 2001 – Rev. 3

1

Publication Order Number:

2N3055A/D

2N3055A
MJ15015

MJ2955A

MJ15016

*ON Semiconductor Preferred Device

15 AMPERE

COMPLEMENTARY

SILICON

POWER TRANSISTORS

60, 120 VOLTS

115, 180 WATTS

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

*

*

NPN

PNP

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

2

200

0

0

25

50

75

100

125

150

175

200

Figure 1. Power Derating

T

C

, CASE TEMPERATURE (

°

C)

MJ15015

MJ15016

P ,

AVERAGE POWER DISSIP

ATION (W)

D(A

V)

150

100

50

2N3055A

MJ2955A

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

3

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T

C

= 25

°

C unless otherwise noted)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

OFF CHARACTERISTICS (1)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*Collector–Emitter Sustaining Voltage

2N3055A, MJ2955A

(I

C

= 200 mAdc, I

B

= 0)

MJ15015, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

V

CEO(sus)

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

60

120

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

—
—

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

(V

CE

= 30 Vdc, V

BE(off)

= 0 Vdc)

2N3055A, MJ2955A

(V

CE

= 60 Vdc, V

BE(off)

= 0 Vdc)

MJ15015, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

I

CEO

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

—
—

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.7
0.1

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*Collector Cutoff Current

2N3055A, MJ2955A

(V

CEV

= Rated Value, V

BE(off)

= 1.5 Vdc)

MJ15015, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

I

CEV

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

—
—

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

5.0
1.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

(V

CEV

= Rated Value, V

BE(off)

= 1.5 Vdc,

2N3055A, MJ2955A

T

C

= 150

C)

MJ15015, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

I

CEV

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

—
—

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

30

6.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter Cutoff Current

2N3055A, MJ2955A

(V

EB

= 7.0 Vdc, I

C

= 0)

MJ15015, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

I

EBO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

—
—

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

5.0
0.2

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*SECOND BREAKDOWN

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased

(t = 0.5 s non–repetitive)

2N3055A, MJ2955A

(V

CE

= 60 Vdc)

MJ15015, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

I

S/b

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.95

3.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

—
—

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Adc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*ON CHARACTERISTICS (1)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Current Gain

(I

C

= 4.0 Adc, V

CE

= 2.0 Vdc)

(I

C

= 4.0 Adc, V

CE

= 4.0 Vdc)

(I

C

= 10 Adc, V

CE

= 4.0 Vdc)

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

h

FE

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

10
20

5.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

70
70

—

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

—

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Saturation Voltage

(I

C

= 4.0 Adc, I

B

= 400 mAdc)

(I

C

= 10 Adc, I

B

= 3.3 Adc)

(I

C

= 15 Adc, I

B

= 7.0 Adc)

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

V

CE(sat)

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

—
—
—

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.1
3.0
5.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Base–Emitter On Voltage

(I

C

= 4.0 Adc, V

CE

= 4.0 Vdc)

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

V

BE(on)

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.7

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.8

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*DYNAMIC CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Current–Gain — Bandwidth Product

2N3055A, MJ15015

(I

C

= 1.0 Adc, V

CE

= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)

MJ2955A, MJ15016

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

f

T

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.8
2.2

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

6.0

18

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

MHz

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Output Capacitance

(V

CB

= 10 Vdc, I

E

= 0, f = 1.0 MHz)

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

C

ob

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

60

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

600

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

pF

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

*SWITCHING CHARACTERISTICS (2N3055A only)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

RESISTIVE LOAD

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Delay Time

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

t

d

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

—

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

0.5

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

µ

s

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Rise Time

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

(V

CC

= 30 Vdc, I

C

= 4.0 Adc,

I

B1

= I

B2

= 0 4 Adc

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

t

r

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

—

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

4.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

µ

s

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

I

B1

= I

B2

= 0.4 Adc,

t

p

= 25

µ

s Duty Cycle

2%

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

t

s

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

—

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

3.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

µ

s

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

µ

y

y

ÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ

t

f

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

—

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

6.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

µ

s

(1) Pulse Test: Pulse Width = 300

µ

s, Duty Cycle

2%.

*Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

4

V CE

, COLLECT

OR-EMITTER VOL

TAGE (VOL

TS)

Figure 2. DC Current Gain

200

0.2

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

2

0.3 0.5 0.7

1

2

3

5

7

15

70

30

10

5

100

50

h FE

, DC CURRENT

GAIN

T

J

= 150

°

C

25

°

C

-55

°

C

V

CE

= 4.0 V

20

7

3

10

Figure 3. Collector Saturation Region

2.8

0.005

I

B

, BASE CURRENT (AMP)

0

0.01 0.02

0.05 0.1

0.2

0.5

1

2

5

2

1.6

0.8

0.4

I

C

= 1 A

T

J

= 25

°

C

4 A

2.4

1.2

8 A

f, CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT

(MHz)

T

3.5

0.2

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

20

2.5

1.5

1

0.5

0

T

C

= 25

°

C

V

BE(sat)

@ I

C

/I

B

= 10

V

CE(sat)

@ I

C

/I

B

= 10

V,

VOL

TAGE (VOL

TS)

Figure 4. “On” Voltages

3

2

10

V

BE(on)

@ V

CE

= 4 V

10

0.1

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

5.0

2.0

1.0

MJ2955A

MJ15016

Figure 5. Current–Gain — Bandwidth Product

2N3055A

MJ15015

Figure 6. Switching Times Test Circuit

(Circuit shown is for NPN)

+13 V

25

µ

s

0

-11 V

30

Ω

-5 V

1N6073

SCOPE

V

CC

+30 V

7.5

Ω

t

r

, t

f

≤

10 ns

DUTY CYCLE = 1.0%

10

0.2

Figure 7. Turn–On Time

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

t, TIME

(s)

µ

7
5
3
2

1

0.7
0.5

0.1

0.3

0.5 0.7 1

2

3

7

15

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25

°

C

0.3
0.2

5

10

t

r

t

d

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

5

10

0.2

Figure 8. Turn–Off Times

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

7
5
3
2

0.1

0.5

0.1

0.3

0.5 0.7

1

3

5

15

V

CC

= 30

I

C

/I

B

= 10

I

B

1 = I

B

2

T

J

= 25

°

C

0.3

t, TIME

(s)

µ

t

f

t

s

2

0.7

0.2

7 10

400

1.0

Figure 9. Capacitances

V

R

, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

20

20

50

100 200

500 1000

2.0

5.0

10

C, CAP

ACIT

ANCE (pF)

200

100

50

30

T

J

= 25

°

C

C

ib

C

ob

2N3055A

MJ15015
MJ2955A

MJ15016

COLLECTOR CUT–OFF REGION

10,000

+0.2

Figure 10. 2N3055A, MJ15015

V

BE

, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

1000

100

10

1.0

, COLLECT

OR CURRENT

(A)

µ

I C 0.1

0.01

+0.1

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

V

CE

= 30 V

T

J

= 150

°

C

100

°

C

25

°

C

REVERSE

FORWARD

I

C

= I

CES

NPN

1000

-0.2

Figure 11. MJ2955A, MJ15016

V

BE

, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

100

10

1.0

0.1

, COLLECT

OR CURRENT

(A)

µ

I C 0.01

0.001

-0.1

0

+0.1

+0.2

+0.3

V

CE

= 30 V

T

J

= 150

°

C

100

°

C

25

°

C

REVERSE

FORWARD

I

C

= I

CES

PNP

+0.4

+0.5

20

Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area

2N3055A, MJ2955A

V

CE

, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

10

5

1

10

20

100

60

2

I C

, COLLECT

OR CURRENT

(AMPS)

dc

30

µ

s

1 ms

100

µ

s

100 ms

20

Figure 13. Forward Bias Safe Operating Area

MJ15015, MJ15016

V

CE

, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

10

5.0

0.2

15

20

100

60

2.0

I C

, COLLECT

OR CURRENT

(AMP)

dc

0.1ms

100ms

BONDING WIRE LIMIT

THERMAL LIMIT @ T

C

= 25

°

C

(SINGLE PULSE)

SECOND BREAKDOWN LIMIT

1.0

0.5

30

120

1.0ms

BONDING WIRE LIMIT

THERMAL LIMIT @ T

C

= 25

°

C

(SINGLE PULSE)

SECOND BREAKDOWN LIMIT

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

6

7

There are two limitations on the power handling ability

of a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe Operating area curves indicate I

C

– V

CE

limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.

The data of Figures 12 and 13 is based on T

C

= 25

C;

T

J(pk)

is variable depending on power level. Second

breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but
must be derated for temperature according to Figure 1.

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

7

PACKAGE DIMENSIONS

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH

REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.

STYLE 1:

PIN 1. BASE

2. EMITTER

CASE: COLLECTOR

DIM

MIN

MAX

MIN

MAX

MILLIMETERS

INCHES

A

1.550 REF

39.37 REF

B

---

1.050

---

26.67

C

0.250

0.335

6.35

8.51

D

0.038

0.043

0.97

1.09

E

0.055

0.070

1.40

1.77

G

0.430 BSC

10.92 BSC

H

0.215 BSC

5.46 BSC

K

0.440

0.480

11.18

12.19

L

0.665 BSC

16.89 BSC

N

---

0.830

---

21.08

Q

0.151

0.165

3.84

4.19

U

1.187 BSC

30.15 BSC

V

0.131

0.188

3.33

4.77

A

N

E

C

K

–T–

SEATING

PLANE

2 PL

D

M

Q

M

0.13 (0.005)

Y

M

T

M

Y

M

0.13 (0.005)

T

–Q–

–Y–

2

1

U

L

G

B

V

H

CASE 1–07

TO–204AA (TO–3)

ISSUE Z

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

http://onsemi.com

8

ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

CENTRAL/SOUTH AMERICA:

Spanish Phone: [phone] (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)

Email: ONlit–[e-mail]

Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –

then Dial 866–297–9322

ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support

Phone: [phone] (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)

Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781

Email: ONlit–[e-mail]

JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center

4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: [phone]
Email: [e-mail]

ON Semiconductor Website: http://onsemi.com

For additional information, please contact your local
Sales Representative.

2N3055A/D

PowerBase is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC.

NORTH AMERICA Literature Fulfillment:

Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: [phone] or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: [phone] or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: [e-mail]
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada

N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada

EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support

German Phone: [phone] (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)

Email: ONlit–[e-mail]

French Phone: [phone] (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)

Email: ONlit–[e-mail]

English Phone: [phone] (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)

Email: [e-mail]

EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781

*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland