el1011 wyk07 technologia krzemowa

2010-12-07

Podstawy elektroniki

i energoelektroniki

Wykład 7

Technologia krzemowa

dr in

. Andrzej Kociubi

ski

dr in

. Andrzej Kociubi

ski

grudzie

2010

grudzie

2010

Literatura

•• wykład

wykład

•• Technologia krzemowa

Technologia krzemowa

–

– Romuald B. Beck

Romuald B. Beck

•• Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej

Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej

–

– praca zbiorowa

praca zbiorowa

•• literatura angloj

zyczna

literatura angloj

zyczna

•• internet

internet

DEFINICJA „idealistyczna”

Pró

nia:

Pró

nia:

przestrze

wolna od jakiejkolwiek materii

przestrze

wolna od jakiejkolwiek materii

Co to jest próżnia?

DEFINICJA „techniczna”

Próżnia:

przestrzeń, w której koncentracja bądź ciśnienie gazu

są

są niższe

niższe od koncentracji lub ciśnienia powietrza

od koncentracji lub ciśnienia powietrza

atmosferycznego na poziomie morza (0 m n.p.m.)

Środowisko próżni

plazm

składa

składa si

ze swobodnych

swobodnych jonów

jonów (a

(a dokładniej

dokładniej

der

der atomowych)

atomowych) ii elektronów

elektronów

sto

ść

sto

ść

plazmy

plazmy jest

jest mała

mała w

w porównaniu

porównaniu z

z g

sto

ciał

stałych,

stałych, cieczy

cieczy a

a nawet

nawet gazów

gazów

jako

jako cało

ść

cało

ść

plazma

plazma jest

jest elektrycznie

elektrycznie oboj

tna

oboj

tna

głównymi

głównymi parametrami

parametrami plazmy

plazmy s

jej

jej temperatura

temperatura oraz

oraz

koncentracja

koncentracja cz

stek

stek naładowanych

naładowanych

Plazma idealna

przynajmniej

przynajmniej 99

99%

% widzialnej

widzialnej materii

materii we

wszech

wiecie

wszech

wiecie

istnieje

postaci

plazmy

przestrze

pozaziemska

pozaziemska::

gwiazdy,

materia

dzygwiazdowa,

pasy

radiacyjne

radiacyjne promieniowania

promieniowania wokół

wokół Ziemi

Ziemi

Ziemia

Ziemia:: jonosfera,

jonosfera, zorza

zorza polarna,

polarna, słup

słup

wyładowania

atmosferycznego,

płomie

, wyładowania

wyładowania w

w gazach,

gazach, łuk

łuk

elektryczny,

wyładowanie

koronowe,

ognie

w..

Elma,

front

silnych

fal

uderzeniowych

uderzeniowych (szczeg

(szczeg..,, detonacje

detonacje w

rozrzedzonych

rozrzedzonych gazach)

gazach)

Występowanie plazmy

2010-12-07

nanoszenie warstw

- rozpylanie (ang. sputtering)

- synteza PECVD

(ang. Plasma-enhanced chemical vapor deposition)

suche trawienie

płytkie domieszkowanie

inne – czyszczenie oraz obróbka (amorfizacja, planaryzacja)
powierzchni,

ródła promieniowania X oraz gł

bokiego UV w

litografii, wywoływanie fotorezystu...

Występowanie plazmy w technologii

atomy

atomy plazmy

plazmy rzeczywistej

rzeczywistej s

zazwyczaj

zazwyczaj zjonizowane

zjonizowane w

ró

nym

ró

nym stopniu

stopniu (pojedynczo,

(pojedynczo, podwójnie

podwójnie itd

itd..))

plazma

plazma taka

taka jest

jest tylko

tylko cz

ęś

ciowo

ęś

ciowo zjonizowana,

zjonizowana, tj

tj.. oprócz

oprócz

swobodnych

swobodnych jonów

jonów ii elektronów

elektronów zawiera

zawiera równie

równie

stki

neutralne

neutralne b

wzbudzone

wzbudzone oraz

oraz fotony

fotony

plazma

bardzo

sta,

tj..

wyst

powa

wyst

powa

pod

nieniem

atmosferycznym

czy

nawet

przy

nieniach/g

sto

ciach

nieniach/g

sto

ciach bardzo

bardzo ekstremalnych

ekstremalnych (j

dro

dro sło

ca,

sło

ca,

biały

biały karzeł,

karzeł, gwiazda

gwiazda neutronowa)

neutronowa)

Plazma rzeczywista

Czystość jest najważniejsza

włos ludzki

~80 µm

►

zakłócenia we wzro

cie warstw epitaksjalnych (dyslokacje

zakłócenia we wzro

cie warstw epitaksjalnych (dyslokacje

i defekty),

►

pogorszenie parametrów warstw dielektrycznych:

−−

upływno

ść

upływno

ść

−−

wytrzymało

ść

elektryczna

wytrzymało

ść

elektryczna

−−

niezawodno

ść

niezawodno

ść

►

zakłócenia w wierno

ci odwzorowywania kształtów

zakłócenia w wierno

ci odwzorowywania kształtów

metodami litograficznymi,

►

zakłócenia ci

gło

ci warstw i struktur.

zakłócenia ci

gło

ci warstw i struktur.

Czystość

Zagro

enia

Zagro

enia wynikaj

wynikaj

ce z

z obecno

obecno

ci drobin

drobin pyłów

pyłów dla

dla

jako

ci procesów

procesów technologicznych

technologicznych

Budowa układów scalonych wymaga

ultraczystych, bardzo precyzyjnych fabryk

Process Area

Equipment Area

Class 1000

Equipment Area

Class 1000

Raised Floor with Grid Panels

Return Air

HEPA Filter

Fans

Pump, RF and etc.

Process Tool

Makeup Air

Class 1

Cleanroom

2010-12-07

Wytwarzanie monokryształu krzemu

Cięcie monokryształu krzemu

na pojedyncze płytki

Schemat procesu wytwarzania

układu scalonego

Wytwarzanie nowej warstwy

(utlenianie, osadzanie, naparowywanie, domieszkowanie, implantacja)

Odwzorowanie wzorów obszarów

Usuwanie zb

dnych fragmentów

Usuwanie zb

dnych fragmentów

(trawienie)

Wytwarzanie masek

Litografia

Epitaksja

Utlenianie

Osadzanie i nakładanie warstw

Trawienie

Dyfuzja

Implantacja

Polerowanie

Pakowanie

Diagnostyka

Podstawowe procesy technologiczne

Procesy technologiczne

2010-12-07

Procesy technologiczne

2010-12-07

Epitaksja

e nast

powa

z fazy

e nast

powa

z fazy

gazowej, ciekłej i stałej.

Uporz

dkowany wzrost na podło

u krystalicznym warstwy

Uporz

dkowany wzrost na podło

u krystalicznym warstwy

krystalicznej, zachowuj

cej struktur

podło

krystalicznej, zachowuj

cej struktur

podło

Homoepitaksja

–

– identyczny skład chemiczny podło

a i

identyczny skład chemiczny podło

a i

warstwy;

Heteroepitaksja

–

– ró

ró

skład chemiczny

skład chemiczny
podło

a i warstwy

podło

a i warstwy

Po co?

modyfikacja

modyfikacja własno

własno

ci elektrycznych

elektrycznych materiału,

materiału,

liwo

ść

liwo

ść

wytwarzania

wytwarzania „ostrych”

„ostrych” przej

ść

przej

ść

pomi

dzy

pomi

dzy

ró

nymi

ró

nymi materiałami,

materiałami, np

np.. struktury

struktury wielowarstwowe

wielowarstwowe

(tzw

(tzw.. studnie

studnie kwantowe)

kwantowe)

Epitaksja

Advanced Micro Devices

Stanowiska procesu metalizacji

Passivation layer

Bonding pad

metal

Silicon substrate

oxide

well

ILD-

M-

Poly
gate

Epitaxial layer

ILD-6

metal

Via

Przekrój inwertera CMOS (

Przekrój inwertera CMOS (0

0,,18

18 µ

µm)

Metalizacja wielopoziomowa

Maj

one

one charakter

charakter::

homogeniczny

–

– przebiegaj

przebiegaj

w obj

obj

gazu

heterogeniczny

–

zachodz

lub

bezpo

rednim

bezpo

rednim

siedztwie

(zazwyczaj

grzanego)

grzanego) podło

podło

a..

CVD

CVD -- Chemical Vapor Deposition

Chemical Vapor Deposition

Technika CVD

Technika CVD –

– chemiczne osadzanie

chemiczne osadzanie

z fazy gazowej

Proces

Proces syntezy

syntezy materiału

materiału w

w wyniku

wyniku reakcji/procesów

reakcji/procesów chemicznych

chemicznych

zachodz

cych

zachodz

cych

pomi

dzy

pomi

dzy

lotnymi

prekursorami

prekursorami..

Reakcje

te,

dysocjacja

i/lub

reakcje

chemiczne

aktywowane

termicznie,

promieniowaniem

promieniowaniem elektromagnetycznym,

elektromagnetycznym, b

rodowisku

rodowisku plazmy

plazmy..

2010-12-07

Capacitive-coupled

RF input

Susceptor

Heat lamps

Wafer

Gas inlet

Exhaust

Chemical vapor deposition

Process chamber

CVD cluster tool

Technika CVD

SiH

(gas) + O

(gas)

SiO

(solid)

+ 2H

(gas)

SiH

(gas) + H

(gas) +SiH

(gas

)

(gas) +

PolySilicon (solid)

Continuous gas flow

Deposited film

Silicon substrate

Boundary layer

Diffusion of reactants

Osadzanie plazmowe

Proces

Proces syntezy

syntezy materiału

materiału bez

bez udziału

udziału reakcji

reakcji chemicznych,

chemicznych,

w wyniku

wyniku kondensacji

kondensacji tworz

cych

tworz

cych go

go atomów

atomów z

z fazy

fazy lotnej

lotnej..

one

one uwalniane

uwalniane ze

ródła/

ródeł

ródła/

ródeł termicznie

termicznie (grzanie,

(grzanie,

ablacja

ablacja wi

laserow

)

laserow

) b

wskutek

wskutek bombardowania

bombardowania

wysokoenergetycznymi

stkami,

nast

pnie

nast

pnie

transportowane

transportowane poprzez

poprzez obszar

obszar o

o obni

onym

obni

onym ci

nieniu

nieniu do

podło

a, na

na którym

którym ulegaj

ulegaj

adsorpcji

adsorpcji..

PVD

PVD -- Physical Vapor Deposition

Physical Vapor Deposition

Technika PVD

Technika PVD –

– fizycznie osadzanie

fizycznie osadzanie

z fazy gazowej

PVD

CVD

Bird's baek

LOCOS

–

– Local Oxidation of Silicon

Local Oxidation of Silicon

Utlenianie krzemu

Advanced Micro Devices

Stanowiska procesu fotolitografii

Metody odwzorowania kształtów

Metody odwzorowania kształtów

Wzór przenoszony na płytk

za po

rednictwem emulsji

za po

rednictwem emulsji

Wzór przenoszony na płytk

bez po

rednictwa emulsji

bez po

rednictwa emulsji

Metoda addytywna

(litografia + odrywanie)

Metoda substraktywna

(litografia + trawienie)

Bezpo

rednie trawienie

Bezpo

rednie trawienie

skanuj

jonow

skanuj

jonow

2010-12-07

Proces fotolitografii

wyspa

okno

Wystawiony na działanie ultrafioletu fotorezyst (emulsja

wiatłoczuła

Wystawiony na działanie ultrafioletu fotorezyst (emulsja

wiatłoczuła

negatywowa) polimeryzuje i staje si

odporny na działanie chemikaliów.

negatywowa) polimeryzuje i staje si

odporny na działanie chemikaliów.

Przeniesiony z maski wzór na

powierzchni półprzewodnika po

wytrawieniu fotorezystu

Podło

e krzemowe

Podło

e krzemowe

Cie

fotorezy

cie

fotorezyst

wietlona

powierzchnia

fotorezystu

Pokryta chromem
maska szklana

Ultrafiolet

tlenek

fotorezyst

tlenek

Litografia negatywowa

Exposed area
of photoresist

Podło

e krzemowe

Podło

e krzemowe

tlenek

wyspa

okno

Cie

fotorezy

cie

fotorezyst

wietlona

powierzchnia

fotorezystu

Pokryta chromem
maska szklana

Ultrafiolet

fotorezyst

tlenek

Promieniowanie ultrafioletowe na

wietla fotorezyst (emulsj

wiatłoczuł

) poprzez

Promieniowanie ultrafioletowe na

wietla fotorezyst (emulsj

wiatłoczuł

) poprzez

okna w szklanej masce pokrytej chromem. Na

wietlony fotorezyst (emulsja

okna w szklanej masce pokrytej chromem. Na

wietlony fotorezyst (emulsja

pozytywowa) jest łatwo usuwany podczas obróbki chemicznej.

Litografia pozytywowa

Przeniesiony z maski wzór na

powierzchni półprzewodnika po

wytrawieniu fotorezystu

Nakładanie fotorezystu

Naświetlanie

formowanie się porów,

formowanie się porów,
wtrąceń (tzw.„pinholes”),

wtrąceń (tzw.„pinholes”),

przewężenia ścieżek,

zwarcia.

Problemy przy procesie fotolitografii

2010-12-07

Wierna reprodukcja wzoru maski

anizotropowe

izotropowe

Trawienie

Trawienie a orientacja krystalograficzna

Selektywno

ść

Selektywno

ść

wzgl

dem

wzgl

dem materiału

materiału maski,

maski,

Selektywno

ść

Selektywno

ść

wzgl

dem

wzgl

dem materiału

materiału znajduj

cego

znajduj

cego si

pod

pod materiałem

materiałem trawionym,

trawionym,

Odpowiednie

Odpowiednie tempo

tempo procesu,

procesu,

Jednorodno

ść

Jednorodno

ść

(zarówno

całej

trawionej

powierzchni,

jak

powtarzalno

ść

powtarzalno

ść

przy

trawieniu

kolejnych

kolejnych podło

y),

podło

y),

Trawienie

Trawienie –

– pożądane cechy procesu

pożądane cechy procesu

bezpiecze

stwo,

bezpiecze

stwo,

redukcja

redukcja uszkodze

uszkodze

podło

y do

do minimum,

minimum,

łatwo

ść

łatwo

ść

usuwania

maskuj

cego

maskuj

cego

materiału

zako

czeniu

zako

czeniu trawienia,

trawienia,

czysto

ść

czysto

ść

(czyli

(czyli minimalizacja

minimalizacja ilo

ilo

ci wprowadzanych

wprowadzanych

zanieczyszcze

liwo

ść

liwo

ść

automatyzacji

automatyzacji..

Trawienie

Trawienie –

– pożądane cechy procesu

pożądane cechy procesu

Trawienie

2010-12-07

(rozpylanie)

(rozpylanie) fizyczne

fizyczne czyli

czyli „sputtering”

„sputtering”

(w plazmie,

plazmie, ale

ale tak

tak

e wi

jonów)

reaktywne

reaktywne trawienie

trawienie jonowe,

jonowe,

czyli

czyli „reactive

„reactive ion

ion etching”

etching” (RIE)

(RIE)

((precyzyjniej

precyzyjniej:: trawienie

trawienie wspomagane

wspomagane jonami)

jonami)

(chemiczne)

(chemiczne) trawienie

trawienie plazmowe

plazmowe

Energia

nienie

< 0,1 Pa

0,1…10 Pa

> 10 Pa

Trawienie suche

proces

proces fizyczny

fizyczny (przekazywanie

(przekazywanie p

du jonów),

jonów),

silna

silna kierunkowo

ść

kierunkowo

ść

(anizotropia)

(anizotropia) procesu,

procesu,

niska

niska selektywno

ść

selektywno

ść

(stosunek

(stosunek warto

warto

ci współczynników

współczynników

rozpylania

rozpylania dla

dla wi

kszo

ci materiałów

materiałów max

max ~

~ 3

3),

defekty

defekty radiacyjne

radiacyjne..

Rozpylanie

kombinacja

kombinacja procesu

procesu fizycznego

fizycznego (przekazywanie

(przekazywanie p

jonów)

jonów) ii chemicznego,

chemicznego,

kierunkowo

ść

kierunkowo

ść

ksza

ksza selektywno

ść

selektywno

ść

rozpylania

rozpylania..

Reaktywne trawienie jonowe (RIE)

proces chemiczny,

proces izotropowy (brak kierunkowo

ci),

proces izotropowy (brak kierunkowo

ci),

najlepsza selektywno

ść

najlepsza selektywno

ść

najni

szy poziom defektów radiacyjnych.

najni

szy poziom defektów radiacyjnych.

Trawienie plazmowe

Glow discharge
(plasma)

Gas distribution baffle

High-frequency energy

Flow of byproducts and process gases

Anode electrode

Electromagnetic field

(confines plasma)

Free electron

Ion sheath

Chamber wall

Positive ion

Etchant gas (e.g.HF) entering gas inlet

RF coax cable

Photon

Wafer

Cathode electrode

Radical chemical

Vacuum line

Exhaust to vacuum pump

Vacuum gauge

Trawienie plazmowe

LI metal

LI oxide

Polerowanie

2010-12-07

Advanced Micro Devices

Stanowiska procesu polerowania

Procesy modyfikujące właściwości warstw

Zmiana typu przewodnictwa i rozkładu

domieszek za pomoc

procesów:

domieszek za pomoc

procesów:

•• dyfuzjii

dyfuzjii

•• implantacji

implantacji

Poly Si

P-type Silicon

SiO

Implantacja jonów

Ion source

Analyzing magnet

Acceleration column

Beamline tube

Ion beam

Plasma

Graphite

Process chamber

Scanning disk

Mass resolving slit

Heavy ions

Gas cabinet

Filament

Extraction assembly

Lighter ions

Ground Potential

+20 to +250 kV

Insulator

+70 to

+300 kV

Implantacja jonów

2010-12-07

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

2010-12-07

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

Implantacja jonów

Implantacja jonów –

– wygrzewanie (~1000

wygrzewanie (~1000°°C)

podło

e Si

SiO

osadzany silnie domieszkowany tlenek krzemu

Dyfuzja

podło

e Si

SiO

Dyfuzja

podło

e Si

SiO

domieszkowane zł

cze

Dyfuzja

SiO

Dyfuzja

podło

e Si

domieszkowane zł

cze

2010-12-07

SiO

Implantacja jonów

Dyfuzja

obszary domieszkowane

gł

boko

ść

zł

cza

gł

boko

ść

zł

cza

Dyfuzja a implantacja

Advanced Micro Devices

Diagnostyka

Uszkodzony IC

Uzysk

okre

la (w

(w procentach)

procentach) jaka

jaka cz

ęść

wytworzonych

układów

scalonych

spełnia

spełnia zało

one

zało

one wymagania

wymagania techniczne

techniczne..

Uzysk

Wycinanie struktur

Pakowanie

drut metalowy

Formowanie kulki metalowej

Metalizacja IC

Utworzenie kontaktu

Wycofanie głowicy

Zacisk

Połączenia drutowe

2010-12-07

Metalizacja

obudowy

Metalizacja IC

Metalizacja

obudowy

Połączenia drutowe

Miejsca metalizacji do bondowania (ł

czenia)

Miejsca metalizacji do bondowania (ł

czenia)

Obudowa

Układ

Układ
scalony

scalony

Połączenia metodą Flip

Połączenia metodą Flip--Chip

Chip

układ scalony

kulki metalowe

obudowa

Połączenia metodą Flip

Połączenia metodą Flip--Chip

Chip

układ scalony

kulki metalowe

obudowa

Połączenia metodą Flip

Połączenia metodą Flip--Chip

Chip

układ scalony

kulki indowe

obudowa

Połączenia metodą Flip

Połączenia metodą Flip--Chip

Chip

układ scalony

obudowa

Połączenia metodą Flip

Połączenia metodą Flip--Chip

Chip

2010-12-07

Gotowy produkt

Ostateczne testy elektryczne

Aby utrzyma

tempo rozwoju, technologia krzemowa

Aby utrzyma

tempo rozwoju, technologia krzemowa

„uruchomiła” (uruchamia) swoje rezerwy.

nimi:

technologia SOI

oraz

krzemogerman (SiGe).

Mog

one ze sob

współpracowa

Mog

one ze sob

współpracowa

Technologia krzemowa

Technologia Silicon

Technologia Silicon--On

On--Insulator

Insulator

Technologia Silicon

Technologia Silicon--On

On--Insulator

Insulator

P-type, ‘Bulk’’ Substrate

+ V

n well

+ V

p Substrate

+ V

SiO

Insulator – ‘Buried Oxide’

Technologia Silicon

Technologia Silicon--On

On--Insulator

Insulator

2010-12-07

ródło

dren

li-

SiO

boczny

dystansownik

tlenek

bramkowy

krzemek

podło

e SiGe

napr

ęż

ony Si

Tranzystor MOS SOI

z kanałem naprężonego krzemu

Technologia BiCMOS

Technologia SiC i C

Wprowadzenie

Wzrost

Dojrzało

ść

Nasycenie

Zmierzch

Zapomnienie

ANALOGOWA

BIPOLARNA

CMOS

BiCMOS

GaAs

SiGe

SOI

Diament SiC

GaN

S/LS TTL

ECL

HMOS

NMOS

TTL

PMOS

Cykl życiowy technologii

Inwerter CMOS

Process starts with a moderately doped (10

-3

) p-type substrate (wafer)

An initial oxide layer is grown on the entire surface (barrier oxide)

SiO

Si (p)

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

2010-12-07

1. n-Well mask - defines the n-Well regions

Pattern the oxide

Implant n-type impurity atoms (phosphorus) - 10

-3

Drive-in the impurities (vertical but also lateral redistribution - limits the density )

n-well

SiO

Si (p)

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

n-well

SiO

Si (p)

Gate oxide

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

2. Active area mask - define the regions in which MOS devices will be created

LOCOS process to isolate NMOS and PMOS transistors

lateral penetration of bird’s beak region ~ oxide thickness

channel stop p

implants (boron)

Grow gate oxide (dry oxidation) - only in the open area of active region

n-well

SiO

Si (p)

Polysilicon gate

3. Polysilicon mask - define the gates of the MOS transistors

Polysilicon is deposited over the entire wafer (CVD process) and doped (typically n-type)

Pattern the polysilicon in the dry (plasma) etching process

Etch the gate oxide

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

n-well

SiO

Si (p)

n-well ohmic contact

4. n-Select mask - define the n

source/drain regions of NMOS transistors

Define an ohmic contact to the n-well

Implant n-type impurity atoms (arsenic)

Polisilicon layer protects transistor channel regions from the arsenic dopant

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

5. Complement of the n-select mask - define the p

source/drain regions of PMOS transistors

Define the ohmic contacts to the substrate

Implant p-type impurity atoms (boron)

Polisilicon layer protects transistor channel regions from the boron dopant

n-well

SiO

Si (p)

substrate ohmic contact

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

5. Complement of the n-select mask - define the p

source/drain regions of PMOS transistors

Define the ohmic contacts to the substrate

Implant p-type impurity atoms (boron)

Polisilicon layer protects transistor channel regions from the boron dopant

n-well

SiO

Si (p)

substrate ohmic contact

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

2010-12-07

6. Contact mask - define the contact cuts in the insulating layer

Contacts to polysilicon must be made outside the gate region (avoid metal spikes through the poly and

the thin gate oxide)

SiO

n-well

SiO

Si (p)

Contact window

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

SiO

n-well

SiO

Metal

Si (p)

The final step: the entire surface is passivated (overglass layer)

Protect the surface from contaminants and scratches

Than opening are etched to the bond pads to allow for wire bonding

7. Metallization mask - define the interconnection pattern

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

Poly

SiO

n-well

SiO

Metal

Gate oxide

N-channel transistor

P-channel transistor

Si (p)

GND

Out

Inwerter CMOS

Inwerter CMOS -- technologia

technologia

GND

Out

16 m

mas

asek

103

103 operacje

operacje

Typowy czas obróbki

Typowy czas obróbki: 4 m

: 4 miesi

iesi

Podsumowanie technologii CMOS

trzy drogi do ruiny:

kobiety,

hazard

technologia.

Kobiety to droga najprzyjemniejsza,

hazard

hazard -- najszybsza

najszybsza

technologia

technologia -- najpewniejsza.

najpewniejsza.

Georges Pompidou

premier Francji w latach 1962

premier Francji w latach 1962--1968

1968

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Rozwój optycznych technologii krzemowych
Ćw 3 Wpływ technologii produkcji krzemowych ogniw fotowoltaicznych na ich własności eksploatacyjn
Lab3 Wpływ technologii produkcji krzemowych ogniw fotowoltaicznych na ich własności eksploatacyjne
PORÓWNYWANIE TECHNOLOGII
19 Mikroinżynieria przestrzenna procesy technologiczne,
PO wyk07 v1
Technologia informacji i komunikacji w nowoczesnej szkole
Technologia spawania stali wysokostopowych 97 2003
SII 17 Technologie mobilne
W WO 2013 technologia
TECHNOLOGIA PŁYNNYCH POSTACI LEKU Zawiesiny
technologia prefabrykowana
Technology & Iventions
Technologia Maszyn CAD CAM
1 Infrastruktura, technika i technologia procesów logistyczid 8534 ppt

więcej podobnych podstron