1. Tranzystor bipolarny NPN:

PNP:

C

E

B

E

B

C

NPN

PNP

VBE (napięcie baza-emiter) dla

+0,7V -0,7V

nasycenia

prąd bazy IB

wpływa do bazy

wypływa z bazy

prąd kolektora IC

wpływa do kolektora wypływa z kolektora prąd emitera IE

wypływa z emitera

wpływa do emitera

Wzory:

β

α =

1

β+

I = β⋅I

C

B

I = α⋅I = ( β 1

+ )⋅I

E

C

B

Parametry małosygnałowe: IC

gm =

, V

V

T zazwyczaj 25,9mV

T

VT

β

r =

=

(dla modelu typu π)

π

I

g

B

m

1

re =

(dla modelu typu T)

gm

VA

ro =

, V

I

A – napięcie Early'ego, w większości zadań przyjęto ro = ∞, więc nie rysujemy go C

na schemacie zastępczym Model π (stosowany w praktycznie każdym zadaniu): B C

rπ

vπ

gmvπ

ro

E

to jest schemat samego tranzystora. jeżeli coś jest dołączone do którejś z jego końcówek, to dorysowujemy to w odpowiednim pkcie – np. jeżeli do bazy jest przyłączone jakieś źródło ,to rysujemy je w pkcie "B".

αie

Model T:

B

C

ie

re

E

2. Tranzystor polowy złączowy (JFET) z kanałem

z kanałem

typu n

D

typu p

S

G

G

S

D

G – bramka, S – źródło, D – dren Przy rozwiązywaniu zadań się zakłada, że prąd bramki jest zerowy (ale jest jakieś napięcie, chyba że jest tam masa) oraz że prąd źródła = prąd drenu.

Wzory:

2

⎛

V ⎞

GS

I = I

1

D

DSS⎜ −

⎟ - tylko ten wzór jest potrzebny do wyznaczenia parametrów

⎝

VP ⎠

małosygnałowych. IDSS – prąd nasycenia drenu, jest podawany w zadaniu; VGS – napięcie między bramką a źródłem, trzeba policzyć; Vp – nie wiem, jak to się nazywa, w każdym razie jest podawane w zadaniu Parametry małosygnałowe: VA

ro =

, V

I

A – napięcie Early'ego, w zadaniach z tranzystorów polowych często trzeba to ro D

liczyć.

2I

I

DSS

D

g =

m

V

IDSS

p

Model małosygnałowy (taki sam dla wszystkich tranzystorów polowych, czy to MOS, czy JFET)

G D

vgs

gmvgs

ro

S

3. Tranzystor MOS

a) z kanałem wbudowanym z kanałem

z kanałem

typu n

D

typu p

S

G

B

B

G

S

D

B – podłoże (w zadaniach nic się z nim nie dzieje, trza tylko na symbolu narysować) Wzory, parametry małosygnałowe i schemat małosygnałowy – tak samo jak dla JFET.

b) z kanałem indukowanym Wzory i parametry małosygnałowe: I = K (V −V

, K – jakiś tam współczynnik, ma jednostki mA/V; V

T )2

D

GS

GS – napięcie między bramką a źródłem, VT – bedzie podane w zadaniu (już nie 25,9mV) VA

ro =

, V

I

A – nap. Early'ego, będzie podane w zadaniu D

g = 2 K⋅I

m

D

schemat małosygnałowy taki sam jak dla JFET.