Elektryczne schematy zastępcze typu „hybryd π” w układzie OB i OE

Jeż eli sygnał ma małą amplitudę i małą czę stotliwość , to parametry zespolone zastę puje się ich częś ciami rzeczywistymi.

gec

e

c

Ceb’

geb’ gmueb’

gcb’

Ccb’

b’

rbb’

b

b

Schemat zastę pczy typu „hybryd π ” tranzystora w układzie OB.

gb’c

r

C

bb’

b’c

b’

b

c

gb’e

C

g

g

b’e

mub’e

ce

e

e

Schemat zastę pczy typu „hybryd π ” tranzystora w układzie OE.

gmUeb’ i gmUb’ e - oddziaływanie napięcia wejściowego (występującego na złączu emiterowym) na prąd płynący w obwodzie wyjściowym (przez złącze C-B).

gm - transkonduktancja, którą definiuje się jako stosunek przyrostu prą du kolektora (prądu wyjściowego ) do przyrostu napię cia na złą czu emiterowym (napięcia wejściowego) przy równym zeru (lub ustalonym) napię ciu w obwodzie wyjś ciowym.

gec - konduktancja sprzęż enia zwrotnego, okreś lana jako stosunek zmian prą du wejś ciowego do zmian napię cia wyjś ciowego przy równym zeru (lub ustalonym) napię ciu wejś ciowym.

rbb’ - „rezystancja rozproszona bazy”. Spadki napięć w poszczególnych obszarach bazy, związane ze stosunkowo dużymi wartościami rezystywności obszaru bazy są różne w różnych jej obszarach. Wiąże się to z nierównomiernym rozpływem prądu w bazie.