✃

DATENBLATT

5/99

2SC5171

NF-Treiber-Transistoren

2SA1930

NF-Treiber-Transistoren

DATENBLATT

5/99

35

Elektor

5/99

2SC5171
Silizium-NPN-Epitaxial-Tansistor für Leistungsverstär-
ker und Treiberstufen

Hersteller
Toshiba Electronics Europe GmbH
Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
Tel: 02 11 / 52 96 - 0
Fax: 02 11 / 52 96 - 400
Internet: www.toshiba.de/tee

Eigenschaften
➥ Hohe Transitfrequenz f

T

= 200 MHz (typ.)

➥ Komplementär zum 2SA1930

Applikationsbeispiel
Hochleistungsendstufe Gigant 2000
Elektor Februar bis Mai 1999

2SA1930
Silizium-PNP-Epitaxial-Tansistor für Leistungsverstärker
und Treiberstufen

Hersteller
Toshiba Electronics Europe GmbH
Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
Tel: 02 11 / 52 96 - 0
Fax: 02 11 / 52 96 - 400
Internet: www.toshiba.de/tee

Eigenschaften
➥ Hohe Transitfrequenz f

T

= 200 MHz (typ.)

➥ Komplementär zum 2SC5171

Applikationsbeispiel
Hochleistungsendstufe Gigant 2000
Elektor Februar bis Mai 1999

Grenzwerte (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Grenzwert

Einheit

Kollektor/Basis-Spannung

VCBO

–180

V

Kollektor/Emitter-Spannung

VCEO

–180

V

Emitter/Basis-Spannung

VEBO

–5

V

Kollektorstrom

IC

–2

A

Basisstrom

IB

–1

A

Kollektor-Verlustleistung

Ta = 25ºC

PC

2,0

W

Tc = 25ºC

20

Sperrschicht-Temperatur

Tj

150

ºC

Lager-Temperaturbereich

Tstg

–55 ... +150

ºC

Grenzwerte (Ta = 25

°

C)

Parameter

Symbol

Grenzwert

Einheit

Kollektor/Basis-Spannung

VCBO

180

V

Kollektor/Emitter-Spannung

VCEO

180

V

Emitter/Basis-Spannung

VEBO

5

V

Kollektorstrom

IC

2

A

Basisstrom

IB

1

A

Kollektor-Verlustleistung

Ta = 25ºC

PC

2,0

W

Tc = 25ºC

20

Sperrschicht-Temperatur

Tj

150

ºC

Lager-Temperaturbereich

Tstg

–55 ... +150

ºC

✃

2SC5171

NF-Treiber-Transistoren

2SA1930

NF-Treiber-Transistoren

DATENBLATT

5/99

DATENBLATT

5/99

36

Elektor

5/99

Elektrische Kenndaten (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Kollektor-Reststrom

ICBO

VCB = –180V, IE = 0

—

—

–5,0

µA

Emitter-Reststrom

IEBO

VEB = –5V, IC = 0

—

—

–5,0

µA

Kollektor/Emitter-Durchbruchspannung V(BR)CEO IC = –10mA, IB = 0

–180

—

—

V

Gleichstromverstärkung

hFE(1)

VCE = –5V, IC = –0,1A

100

—

320

—

hFE(2)

VCE = –5V, IC = –1A

50

—

—

Kollektor/Emitter-Sättigungsspannung

VCE(sat) IC = –1A, IB = –0,1A

—

–0,24

–1,0

V

Basis/Emitter-Spannung

VBE

VCE = –5V, IC = –1A

—

–0,68

–1,5

V

Transitfrequenz

fT

VCE = –5V, IC = –0,3A

—

200

—

MHz

Kollektor-Ausgangskapazität

Cob

VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz

—

26

—

pF

Elektrische Kenndaten (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Kollektor-Reststrom

ICBO

VCB = 180V, IE = 0

—

—

5,0

µA

Emitter-Reststrom

IEBO

VEB = 5V, IC = 0

—

—

5,0

µA

Kollektor/Emitter-Durchbruchspannung V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0

180

—

—

V

Gleichstromverstärkung

hFE(1)

VCE = 5V, IC = 0,1A

100

—

320

—

hFE(2)

VCE = 5V, IC = 1A

50

—

—

Kollektor/Emitter-Sättigungsspannung

VCE(sat) IC = 1A, IB = 0,1A

—

0,16

1,0

V

Basis/Emitter-Spannung

VBE

VCE = 5V, IC = 1A

—

0,68

1,5

V

Transitfrequenz

fT

VCE = 5V, IC = 0,3A

—

200

—

MHz

Kollektor-Ausgangskapazität

Cob

VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz

—

16

—

pF