Politechnika Świętokrzyska Laboratorium : Podstawy Elektroniki Nr Ćw.

Temat:

Grupa nr: 113B

Zespół nr: 4

1

Badanie diod półprzewodnikowych.

Krogulec Daniel

Kowalicki Marcin

Ocena:

Data oddania:

Data wykonania:

26-11-2010r

29-10-2010r

Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk diod półprzewodnikowych w kierunku przewodzenia oraz w kierunku zaporowym.

Schematy pomiarowe, tabele pomiarowe oraz rezystancje statyczne i dynamiczne:

• Wyznaczanie charakterystyki diod w kierunku przewodzenia.

• Pomiary charakterystyk diod w kierunku przewodzenia: IN4002

DZG7

L-53 ID

L-53 MBDL

Lp.

U [ V ]

I [ m ]

A

U [ mV ]

I [ m ]

A

U [ V ]

I [ m ]

A

U [ V ]

I [ m ]

A

R

R

R

R

R

R

R

R

1

0,408

0,1

22,9

0,1

1,56

0,1

2,965

0,1

2

0,555

1

157

1

1,611

0,6

3,205

0,6

3

0,587

2

183,4

2

1,630

1

3,268

1

4

0,607

3

203,5

3

1,649

1,5

3,309

1,5

5

0,631

5

115,6

5

1,660

2

3,344

2

6

0,647

7

247,1

7

1,671

2,5

3,383

2,5

7

0,653

8

254,1

8

1,680

3

3,407

3

8

0,664

10

265,9

10

1,685

3,5

3,428

3,5

9

0,693

12

275,5

12

1,692

4

3,451

4

10

0,683

15

287,6

15

1,703

5

3,499

5

11

0,692

18

296,7

18

1,714

6

3,533

6

12

0,697

20

303

20

1,720

7

3,563

7

13

0,707

25

315,5

25

1,732

8

3,599

8

14

0,711

27

318,7

27

1,745

9

3,624

9

15

0,716

30

325,2

30

1,753

10

3,654

10

1

• Obliczanie rezystancji statycznej i dynamicznej diod w kierunku przewodzenia: 1. Rezystancja statyczna diody IN4002 w punkcie P(Up Ip): U

R =

p = 664

,

0

V = ,

66 Ω

4

I

01

,

0

A

p

2. Rezystancja dynamiczna diody IN4002 w punkcie P(Up Ip):

∆ U | U

U

V

V

V

V

2 −

|

693

,

0

1

− 653

,

0

693

,

0

−

rd =

=

=

=

653

,

0

=

Ω

10

∆ J

| I

I

mA

mA

A

A

2 −

|

12

1

− 8

01

,

0

2 − 008

,

0

3. Rezystancja statyczna diody DZG7 w punkcie P(Up Ip): U

R =

p =

9

,

265 mV = ,02569 V

Ω

69

,

25

I

10 mA

01

,

0

A

p

4. Rezystancja dynamiczna diody DZG7 w punkcie P(Up Ip):

∆ U | U

U

mV

mV

V

V

2 −

|

5

,

275

1

− 254 1

,

,

0 2755 −

rd =

=

=

=

,

0 2541 =

Ω

35

,

5

∆ J

| I

I

mA

mA

A

A

2 −

|

12

1

− 8

01

,

0

2 − 008

,

0

• Wyznaczanie charakterystyki diod w kierunku zaporowym.

• Pomiary charakterystyk diod w kierunku zaporowym: DZG1

BYP401

Lp.

U [ V ]

I [µ ]

A

U [ V ]

I [µ ]

A

R

R

R

R

1

2

29

2

0

2

4

31,4

4

0

3

6

42,3

6

0

4

8

63,5

8

0

5

10

80,9

10

0

6

12

93,5

12

0

7

14

10,4

14

0

8

16

132,1

16

0

9

18

139,2

18

0

10

20

149,4

20

0

11

22

156,2

22

0

12

24

162,6

24

0

13

26

167,9

26

0

14

28

174,8

28

0

15

30

180,2

30

0

2

• Wyznaczanie charakterystyki diody Zenera w kierunku zaporowym

• Pomiary charakterystyk diod Zenera w kierunku zaporowym.

3V9

5V6

7V5

10V

Lp.

U [ V ]

I [ m ]

A

U [ V ]

I [ m ]

A

U [ V ]

I [ m ]

A

U [ V ]

I [ m ]

A

R

R

R

R

R

R

R

R

1

1,558

0,1

5,08

0,1

7,27

0,1

9,81

0,1

2

2,050

1

5,48

1

7,29

1

9,90

1

3

2,201

2

5,50

2

7,29

2

9,92

2

4

2,323

3

5,51

3

7,30

3

9,94

3

5

2,482

5

5,51

5

7,31

5

9,97

5

6

2,570

7

5,51

7

7,31

7

9,98

7

7

2,611

8

5,51

8

7,31

8

9,99

8

8

2,680

10

5,52

10

7,32

10

10

10

9

2,744

12

5,52

12

7,32

12

10,1

12

10

2,817

15

5,52

15

7,32

15

10,02

15

11

2,879

18

5,53

18

7,33

18

10,04

18

12

2,915

20

5,53

20

7,33

20

10,04

20

13

2,993

25

5,53

25

7,34

25

10,06

25

14

3,020

27

5,53

27

7,34

27

10,07

27

15

3,058

30

5,53

30

7,34

30

10,07

30

• Obliczanie rezystancji statycznej i dynamicznej diod Zenera w kierunku zaporowym: 1. Rezystancja statyczna diody 3V9 w punkcie P(Up Ip): U

R =

p = 680

,

2

V = 680

,

2

V = 2 Ω

68

I

10 mA

01

,

0

A

p

2. Rezystancja dynamiczna diody 3V9 w punkcie P(Up Ip):

∆ U | U

U

V

V

V

V

2 −

|

744

,

2

1

− 61

,

2

1

7

,

2 44 −

rd =

=

=

=

611

,

2

=

,

33

Ω

25

∆ J

| I

I

mA

mA

A

A

2 −

|

12

1

− 8

01

,

0

2 − 00

,

0

8

3

3. Rezystancja statyczna diody 5V6 w punkcie P(Up Ip): U

R =

p = 52

,

5

V = 52

,

5

V =

Ω

552

I

10 mA

01

,

0

A

p

4. Rezystancja dynamiczna diody 5V6 w punkcie P(Up Ip):

∆ U | U

U

V

V

V

V

2 −

|

52

,

5

1

− 51

,

5

5

,

5 2 −

rd =

=

=

=

51

,

5

=

Ω

5

,

2

∆ J

| I

I

mA

mA

A

A

2 −

|

12

1

− 8

012

,

0

− 008

,

0

5. Rezystancja statyczna diody 7V5 w punkcie P(Up Ip): U

R =

p = 32

,

7

V = 3,

7 2 V =

Ω

732

I

10 mA

01

,

0

A

p

6. Rezystancja dynamiczna diody 7V5 w punkcie P(Up Ip):

∆ U | U

U

V

V

V

V

2 −

|

32

,

7

1

− 31

,

7

32

,

7

−

rd =

=

=

=

31

,

7

=

Ω

5

,

2

∆ J

| I

I

mA

mA

A

A

2 −

|

12

1

− 8

01

,

0

2 − 00

,

0

8

7. Rezystancja statyczna diody 10V w punkcie P(Up Ip): U

10

R =

p =

V = 1 Ω k

I

01

,

0

A

p

8. Rezystancja dynamiczna diody 10V w punkcie P(Up Ip):

∆ U | U

U

V

V

V

V

2 −

|

1

,

10

1

− 99

,

9

10 1

,

−

rd =

=

=

=

9

,

9 9

=

Ω

5

,

27

∆ J

| I

I

mA

mA

A

A

2 −

|

12

1

− 8

01

,

0

2 − 008

,

0

Wnioski:

Biorąc po uwagę pomiary wykonane dla diod luminescencyjnych można stwierdzić, że dioda zaczyna świecić zależnie od koloru światła jaki wytwarza a kolor światła zależny jest od materiału z jakiego dioda została wykonana. Diody luminescencyjne zaczynają świecić od napięcia około 1,6V przy natężeniu ok. 0,6mA.

W diodach krzemowych można zaobserwować, że prąd zaczyna gwałtownie narastać po przekroczeniu napięcia około 1,6V. Z wykonanych przez nas wykresów i obliczeń wynika, że kąt nachylenia charakterystyk diod krzemowych jest większy od kąta nachylenia diody germanowej. Zauważyliśmy, iż dioda krzemowa zaczyna przewodzić dopiero po przekroczeniu napięcia progowego Up=0,7V. Dioda germanowa zaczyna przewodzić po przekroczeniu napięcia progowego Up.= 0,3V. Jest więc przydatna przy pracy z bardzo małymi napięciami rzędu dziesiątych części wolta.

4

Badając diody Zenera można stwierdzić, że dioda w kierunku zaporowym stabilizuje napięcie. Jeżeli na wejście badanego układu podamy napięcie wyższe od napięcia Zenera na wyjściu uzyskamy zawsze napięcie identyczne lub bardzo zbliżone do napięcia Zenera.

Charakterystyka prądowo-napięciowa okazała się zbliżona do charakterystyki teoretycznej dla kierunku zaporowego.

5