Politechnika Śląska
w Gliwicach.
Tranzystor bipolarny
3.Wyniki poomiarów.
I.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora polowego z izolowaną
bramką.
Id=f(Uds) przy Ugs=const.
Dla Ugs=6,5[V]
Id |
Uds |
[mA] |
[V] |
0 0.4 0.53 0.57 0.60 0.64 0.66 0.68 0.70 |
0.5 1 2 4 6 8 10 12 13 |
Dla Ugs=8[V]
Id |
Uds |
[mA] |
[V] |
0.34 0.6 0.9 1.35 1.5 1.5 1.7 |
0.2 0.4 1 2 4 6 13 |
Dla Ugs=10[V]
Id |
Uds |
[mA] |
[V] |
0.35 1.1 2.1 2.6 3.0 3.9 4.0 4.0 4.05 4.2 |
0.5 1 2 3 4 6 7 8 10 13 |
B)Id=f(Ugs) przy Uds=const.
Dla Uds=6[V]
Id |
Ugs |
[mA] |
[V] |
0.1 0.1 0.1 0.2 0.34 0.84 1.6 2.8 4.2 7 |
1 3 5 5.5 6 7 8 9 10 12 |
Dla Uds=12[V]
Id |
Ugs |
[mA] |
[V] |
0.2 0.2 0.2 0.4 0.94 1.85 3.65 5.5 7.5 |
1 3 5 6 7 8 9 11 12 |
II. Badanie układu wzmacniacza prądu zmiennego z tranzysorem
polowym.
A) Wyznaczanie wzmocnienia napięcia wzmacniacza (ku)
Dla wartości rezystancji Rs=0, Rd=5.1kΩ otrzymaliśmy napięcia niędzyszczytowe:
U1=0.2[V]
U2=3[V]
Natomiast gdy zmniejszyliśmy rezystancję Rd=2.55kΩ :
U1=0.2[V]
U2=1.7[V]
Dla wartości rezystancji Rs=1kΩ, Rd=5.1kΩ otrzymaliśmy napięcia niędzyszczytowe:
U1=0.2[V]
U2=1.7[V]
Wyznaczanie częstotliwości granicznej dolnej.
Dla wartości Rd=5.1kΩ, pojemności wejściowej C=10nF oraz Rs=1kΩ wykonanie pomiarów było niemożliwe z powodu braku możliwości uzyskania odpowiedniej częstotliwości.
Dla Rd=5.1kΩ, C=10nF oraz Rs=0:
f |
U |
[Hz] |
[V] |
1000 700 500 40 30 20 |
3 3 3 2.75 2.5 2.3 |
2. Schematy pomiarowe.
Schemat układu do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora
polowego z izolowaną bramką.
Schemat układu wzmacniacza prądu zmiennego z tranzystorem polowym.
Wnioski.
Z pomiarów oraz charakterystyk satatycznych tranzystora polowego z izolowaną bramką widać że zwiększając napięcie Ugs wpływamy na prąd Id, zwiększając jego wartość (zwiększenie napięcia o ok.20% powoduje ponad dwukrotny wzrost tego prądu). Natomiast zmiany napięcia Uds nie mają wpływu na wartość prądu Id.
Na wartość wzmocnienia napięciowego, jak wynika z pomiarów przeprowadzonych na układzie wzmacniacza prądu zmiennego z tranzystorem polowym ma wpływ wielkość rezystancji Rd, której wzrost powoduje zwiększenie wzmocnienia (dwukrotny wzrost Rd powoduje blisko dwukrotny wzrost wzmocnienia). Rezystancja Rs nie ma wpływu na wzmocnienie napięciowe wzmacniacza.
Wartość częstotliwości granicznej dolnej można regulować za pomocą pojemności C. Wzrost tego parametru powoduje przesuwanie się wartości częstotliwości w kierunku mniejszych wartości.