tranzystor bipolarny


Politechnika Śląska

w Gliwicach.

Tranzystor bipolarny

3.Wyniki poomiarów.

I.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora polowego z izolowaną

bramką.

  1. Id=f(Uds) przy Ugs=const.

Dla Ugs=6,5[V]

Id

Uds

[mA]

[V]

0

0.4

0.53

0.57

0.60

0.64

0.66

0.68

0.70

0.5

1

2

4

6

8

10

12

13

0x08 graphic

Dla Ugs=8[V]

Id

Uds

[mA]

[V]

0.34

0.6

0.9

1.35

1.5

1.5

1.7

0.2

0.4

1

2

4

6

13

0x08 graphic

Dla Ugs=10[V]

Id

Uds

[mA]

[V]

0.35

1.1

2.1

2.6

3.0

3.9

4.0

4.0

4.05

4.2

0.5

1

2

3

4

6

7

8

10

13

0x08 graphic

B)Id=f(Ugs) przy Uds=const.

Dla Uds=6[V]

Id

Ugs

[mA]

[V]

0.1

0.1

0.1

0.2

0.34

0.84

1.6

2.8

4.2

7

1

3

5

5.5

6

7

8

9

10

12

0x08 graphic

Dla Uds=12[V]

Id

Ugs

[mA]

[V]

0.2

0.2

0.2

0.4

0.94

1.85

3.65

5.5

7.5

1

3

5

6

7

8

9

11

12

0x08 graphic

II. Badanie układu wzmacniacza prądu zmiennego z tranzysorem

polowym.

A) Wyznaczanie wzmocnienia napięcia wzmacniacza (ku)

Dla wartości rezystancji Rs=0, Rd=5.1kΩ otrzymaliśmy napięcia niędzyszczytowe:

U1=0.2[V]

U2=3[V]

Natomiast gdy zmniejszyliśmy rezystancję Rd=2.55kΩ :

U1=0.2[V]

U2=1.7[V]

Dla wartości rezystancji Rs=1kΩ, Rd=5.1kΩ otrzymaliśmy napięcia niędzyszczytowe:

U1=0.2[V]

U2=1.7[V]

  1. Wyznaczanie częstotliwości granicznej dolnej.

Dla wartości Rd=5.1kΩ, pojemności wejściowej C=10nF oraz Rs=1kΩ wykonanie pomiarów było niemożliwe z powodu braku możliwości uzyskania odpowiedniej częstotliwości.

Dla Rd=5.1kΩ, C=10nF oraz Rs=0:

f

U

[Hz]

[V]

1000

700

500

40

30

20

3

3

3

2.75

2.5

2.3

2. Schematy pomiarowe.

Schemat układu do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora

polowego z izolowaną bramką.

0x08 graphic

Schemat układu wzmacniacza prądu zmiennego z tranzystorem polowym.

0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic

Wnioski.

Z pomiarów oraz charakterystyk satatycznych tranzystora polowego z izolowaną bramką widać że zwiększając napięcie Ugs wpływamy na prąd Id, zwiększając jego wartość (zwiększenie napięcia o ok.20% powoduje ponad dwukrotny wzrost tego prądu). Natomiast zmiany napięcia Uds nie mają wpływu na wartość prądu Id.

Na wartość wzmocnienia napięciowego, jak wynika z pomiarów przeprowadzonych na układzie wzmacniacza prądu zmiennego z tranzystorem polowym ma wpływ wielkość rezystancji Rd, której wzrost powoduje zwiększenie wzmocnienia (dwukrotny wzrost Rd powoduje blisko dwukrotny wzrost wzmocnienia). Rezystancja Rs nie ma wpływu na wzmocnienie napięciowe wzmacniacza.

Wartość częstotliwości granicznej dolnej można regulować za pomocą pojemności C. Wzrost tego parametru powoduje przesuwanie się wartości częstotliwości w kierunku mniejszych wartości.

















Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
cw5 Tranzystor bipolarny
etr2 lab odpowiedzi na pytania do laborek z tranzystora bipolarnego, Mechatronika, 2 Rok
Układ zasilania tranzystorów bipolarnych
126 Budowa tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny-gac, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. La
Tranzystory Bipolarne, elektronika, stodia czyjeś
Badanie tranzystora bipolarnego
Omówić zakresy i konfiguracje pracy tranzystora bipolarnego bjt
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Tranzystor bipolarny?135 oraz unipolarny czasy
Sprawozdanie Tranzystor bipolarny Sprawozdanie Tranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne
Katalog tranzystorów bipolarnych
Tranzystory bipolarne
3 Tranzystory bipolarne i unipolarne
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
wyklad 4, Tranzystor bipolarny

więcej podobnych podstron