POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA

LABORATORIUM ENERGOELEKTRONIKI

Ćwiczenie nr. 3

TRANZYSTOR BIPOLARNY DARLINGTON

TRANZYSTOR MOSFET

Skład grupy :

PoniedziaÅ‚ek 12⁰⁰ - 14⁰⁰ Jan Oracz

Piotr Mazurewicz

Paweł Mazurewicz

Artur Wieczorek

I. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami tranzystora bipolarnego oraz tranzystora polowego MOSFET

1. Wyznaczanie charakterystyki wejściowej tranzystora bipolarnego.

a) Schemat połączeń.

b) Tabela pomiarowa.

JB	[mA]	0,5	1	1,5	2	2,5	3
UBE	[V]	0,597	0,645	0,676	0,701	0,724	0,748

3,5	4	4,5	5	5,5	6	6,5	7
0,769	0,790	0,811	0,832	0,847	0,870	0,889	0,906

2. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej tranzystora bipolarnego.

a) Schemat połączeń

b) Tabela pomiarowa.

UCE = 2V =const.
JB	JC	UBE
[mA]	[A]	[V]
0,1	0	0,390
0,2	0,2	1,273
0,3	2,4	1,495
0,4	2,6	1,512
0,5	2,6	1,522
0,6	2,6	1,524
0,7	2,6	1,528
0,8	2,6	1,533
0,9	2,7	1,536
1,0	2,7	1,538
1,1	2,75	1,540
1,2	2,8	1,543
1,3	2,8	1,546
1,4	2,8	1,548
1,5	2,8	1,550

3. Wyznaczanie napięcia nasycenia tranzystor a bipolarnego.

1. Schemat połączeń

b) Tabela pomiarowa.

JB = 5mA =const.
UCEsat	Uzas	JC
[V]	[V]	[A]
0,101	0	0
0,777	3	0,4
0,923	6	0,95
1,065	9	1,4
1,227	12	2,1
1,366	15	2,6
1,510	18	3,2
1,685	21	4,0
1,836	24	4,6
1,988	27	5,2

4. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej tranzystora polowego.

a) Schemat połączeń

b) Tabela pomiarowa.

Dla U_DS = 1V

UGS	JD
3,912	0,2
3,991	0,4
4,205	0,6
4,251	0,8
5,059	1,0

Dla U_DS = 2V

UGS	JD
3,886	0,2
4,003	0,4
4,082	0,6
4,142	0,8
4,202	1,0

Napięcie progowe = 3,6 V

5. Wyznaczanie charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego.

a) Schemat połączeń

b) Tabela pomiarowa.

U_GS = 5,5V = const.

UZAS	UDS	JD
3	0,067	0,6
6	0,138	1,2
9	0,211	1,8
12	0,314	2,1
15	0,561	3,2
18	0,632	3,6
21	0,744	4,4
24	0,812	4,8

6. Obliczenia.

---