Politechnika Śląska Instytut Elektroniki	Rok akademicki 2008/2009 semestr zimowy
Laboratorium Elektroniki dla Informatyków (WSZ INF sem. 4)
Diody półprzewodnikowe
	Sekcja: I
Ćwiczenie wykonano:	Skład sekcji:
26 - 02 - 2008 Czwartek Godzina 19:30	Michał Kowal Damian Nalepka Paweł Student Wykonanie: wspólne

Zadanie 1. Dla zadanych natężeń prądu, zbadać napięcie na siedmiu diodach w kierunku przewodzenia. Obliczyć i podać rezystancję dynamiczną dla 1 mA i 10 mA. Charakterystyki diod przedstawić na dwóch wykresach (drugi w skali logarytmicznej).

Schemat podłączenia układu:

Rezystancja dynamiczna (ze wzoru
) [om]:

Naz \ Id	1 mA	10 mA
Si	43	6
Ge	52	8
Sh	88	9
Ze	24	3
Rd	45	19
Gd	53	14
Yd	61	20

Charakterystyki - str. 3

Zadanie 2. Dla natężeń prądów z poprzedniego zadania, zmierzyć napięcie na trzech diodach w kierunku zaporowym. Obliczyć rezystancję dynamiczną dla 1 mA i 10 mA. Na wykresie przedstawić charakterystykę diod.

Schemat podłączenia układu:

Rezystancja dynamiczna (ze wzoru
) [om]:

Naz \ Id	1 mA	10 mA
Dz 3,9	340	37
Dz 7,5	13	10
BAP 812	80	10

Charakterystyki - str. 6

Wnioski:

2. Każda dioda ma napięcie graniczne po przekroczeniu, którego przepala się.

3. Diody germanowe mają mniejsze napięcie progowe po którym zaczynają przewodzić niż diody krzemowe (dla krzemowych około 0,7V dla germanowych około 0,4V).

4. Diody LED mają napięcie progowe większe niż inne diody (około 1,5V).

5. Diody LED o różnych kolorach, zaczynają świecić przy różnych napięciach.

6. Im mniejsze napięcie tym dioda LED świeci słabiej.

7. Dla diod spolaryzowanych zaporowo, napięcie przebicia jest zależna od rodzaju diody.

8. Dioda Dz 7,5 jest najbardziej czuła na zmiany napięcia (prawie pionowy wykres).

8

---