Elementy pó2222przewodnikowe moje


19.10.2010

Elementy półprzewodnikowe

Laboratorium

0x01 graphic

„Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego”

Prace wykonali:

Mateusz Przybylski

Konrad Rutkowski

Charakterystyki tranzystora bipolarnego

Charakterystyki wyznaczane były na podstawie schematu ideowego tranzystora bipolarnego przedstawionego na niniejszym rysunku.

0x08 graphic

Wyniki pomiarów charakterystyki wyjściowej iC(uCE):

IB=100uA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UCE [V]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

IC [mA]

9,3

9,4

9,4

9,5

9,6

9,7

9,9

10,1

10,3

10,4

10,5

10,7

IB=200uA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UCE [V]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

IC [mA]

21,3

21,3

21,5

21,8

22,3

22,5

23,3

24,1

24,4

25

25,6

26

IB=300uA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UCE [V]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

 

 

IC [mA]

34,2

34,1

34,9

35,5

36,2

38,2

39

39,5

40,3

40,5

 

 

Wyniki pomiarów charakterystyk:

UCE=3V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB [uA]

1

5

20

80

100

150

200

250

300

380

IC [mA]

0,029

0,024

1,35

7,03

9,53

15,58

22,1

28,5

35,5

45,4

UBE [V]

0,551

0,604

0,647

0,689

0,693

0,703

0,7

0,707

0,711

0,718

UCE=10V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB [uA]

1

40

80

120

160

200

240

280

320

IC [mA]

0,04

3,18

7,59

12,58

18,39

25,1

31,4

38,7

47,8

UBE [V]

0,555

0,66

0,675

0,682

0,671

0,662

0,659

0,645

0,63

Charakterystyki wyjściowe iE(uEC) w połączeniu inwersyjnym

IB=100uA

 

 

 

 

 

IE [mA]

0,75

0,79

0,83

0,96

1,58

UEC [V]

1

2

3

4

5

IB=300uA

 

 

 

 

 

IE [mA]

2,76

2,9

3,06

3,46

5,63

UEC [V]

1

2

3

4

5

Wyznaczanie napięcia Early'ego dla zakresu aktywnego z charakterystyk iC(uCE)

W celu wyznaczenia napięcia Early'ego (UCE) należy pomierzyć charakterystyki statyczne na wyjściu. Dla tranzystora rzeczywistego pracującego w zakresie aktywnym normalnym gdzie zostaje pominięty prąd ICE0 istnieje niżej opisany wzór.

0x08 graphic

Aby wyznaczy owe napięcie należy przedłużyć charakterystyki tak aby przecięły się z osią UCE. Na rysunku możemy odczytać iż wartość dla zakresu aktywnego normalnie opisana

jest w przedziale od około -51[V] do -60[V], z kolei dla inwersyjnego

od około -13[V] do -18[V].

Zależności współczynnika β od prądu w kolektorze

Po zmierzeniu charakterystyk statycznych iC(iB) możemy wyznaczyć współczynnik wzmocnienia β w zależności od stałego prąd w kolektorze. Jest on zdefiniowany wzorem,

0x08 graphic

z powodu nieliniowości charakterystyki współczynnika.

∆IB [uA]

19

75

80

70

100

100

100

130

∆IC [mA]

1,321

7,006

8,18

8,55

12,57

12,92

13,4

16,9

0x01 graphic

69,526

93,413

102,25

122,143

125,7

129,2

134

130

Wyniki pomiarów dla uCE = 3V

Wyznaczanie elementów macierzy [h]e:

Macierz należy wyznaczyć w punkcie pracy, która to leży w zakresie aktywnym normalnym,

dzięki czemu możemy określić wartości mało sygnałowych parametrów tranzystora, dla niskich częstotliwości.

Przykładowy punkt pracy:

iB=250μA

iC= 28,5mA

uCE=3V

uBE= 0,707V

0x08 graphic

ΔuBE = 0,711V-0,700V= 0,011V

ΔiB = 300μA -200μA =100μA

h11e = 110[Ω]

h11e - jest to zwarciowa rezystancja wejściowa tranzystora

0x08 graphic
ΔuBE= 0,711V-0,700V= 0,011V

ΔuCE= 10V-3V=7V

h12e = 0,002

h12e - współczynnik oddziaływania wstecznego

0x08 graphic

ΔiC= 35,5mA-22,1m)= 13,4mA

ΔiB = 300μA -200μA =100μA

h21e = 134

h21e - zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego

0x08 graphic
ΔiC= 35,5mA-22,1mA)= 13,4mA

ΔuCE= 10V-3V=7V

h22e = 1,9140x01 graphic
[S]

h22e - rozwarciowy współczynnik konduktancji wyjściowej

Wyznaczanie wartości trans konduktancji gm

Wartość trans konduktancji można wyznaczyć metodą przyrostów z pomierzonej statycznie przejściowej charakterystyki prądowo-napięciowej iC(uCE)

0x01 graphic

ΔiC= 35,5mA-22,1mA= 13,4mA

ΔuBE= 0,711V-0,700V)= 0,011V

0x08 graphic

Wyznaczane wartości współczynnika βI

Tranzystor pracujący w zakresie aktywnym inwersyjnym charakteryzuje się znacznie gorszymi właściwościami niż w aktywnym normalnym. Wartości te wynikają z konstrukcji tranzystora rzeczywistego. Dla zakresu aktywnego inwersyjnego współczynnik wzmocnienia βI jest zdefiniowany następująco:

0x01 graphic

iE= 0,83mA

iB=100μA

βI= 8,3

Należy pamiętać iż współczynnik ten wyznaczamy przy napięciu UEC=3V

Możemy zauważyć iż współczynnik ten jest znacznie mniejszy od wartości β

co spowodowane jest konstrukcją tranzystora rzeczywistego.

WNIOSKI

Jak możemy zaobserwować charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego wyznaczone podczas ćwiczeń swym kształtem przypominają charakterystyki teoretyczne co świadczy o poprawnie wykonanym ćwiczeniu.

Jednak pewne odstępstwo od teorii możemy zauważyć przy charakterystyce wejściowej iB(uBE) gdzie większe napięcie uCE powoduje znaczne zwiększenie prądu bazy niż przy mniejszych napięciach uCE.

W przypadku połączenia inwersyjnego charakterystyki wyjściowe są podobne do tych na wyjściu w normalnym układzie pracy w przedziale od 0V do 5V.

Po przekroczeniu tej wartości możemy zauważyć gwałtowny wzrost prądu emitera przy niewielkim wzroście napięcia na emiterze-kolektorze.

T1

EC

EB

μA

mA

V

V

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Sprawozdanie Badanie obwodów prądu stałego zawierającego elementy liniowe i nieliniowe (Moje)x
Moje Bambino Szablon Elementy do myszki
Mikroklimat jest to zespół elementów meteorologicznych, BHP Moje, SZKOLA, Semestr II
Elementy Ekonomii - definicje, Opracowania moje
Wyk 02 Pneumatyczne elementy
Elementy prawa prawo administracyjne
7 Mikro i makro elementy naszej diety
Wykład 4 Elementarne zagadnienia kwantowe
Elementy klimatu
7 Sposób montażu charakterystycznych elementów
Elementy fizyki jądrowej

więcej podobnych podstron