19.10.2010
Elementy półprzewodnikowe
Laboratorium
„Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego”
Prace wykonali:
Mateusz Przybylski
Konrad Rutkowski
Charakterystyki tranzystora bipolarnego
Charakterystyki wyznaczane były na podstawie schematu ideowego tranzystora bipolarnego przedstawionego na niniejszym rysunku.
Wyniki pomiarów charakterystyki wyjściowej iC(uCE):
IB=100uA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UCE [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
IC [mA] |
9,3 |
9,4 |
9,4 |
9,5 |
9,6 |
9,7 |
9,9 |
10,1 |
10,3 |
10,4 |
10,5 |
10,7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IB=200uA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UCE [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
IC [mA] |
21,3 |
21,3 |
21,5 |
21,8 |
22,3 |
22,5 |
23,3 |
24,1 |
24,4 |
25 |
25,6 |
26 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IB=300uA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UCE [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
|
IC [mA] |
34,2 |
34,1 |
34,9 |
35,5 |
36,2 |
38,2 |
39 |
39,5 |
40,3 |
40,5 |
|
|
Wyniki pomiarów charakterystyk:
wejściowej iB(uBE)
przejściowej prądowej iC(iB)
przejściowej prądowo - napięciowej iC(uBE)
UCE=3V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IB [uA] |
1 |
5 |
20 |
80 |
100 |
150 |
200 |
250 |
300 |
380 |
IC [mA] |
0,029 |
0,024 |
1,35 |
7,03 |
9,53 |
15,58 |
22,1 |
28,5 |
35,5 |
45,4 |
UBE [V] |
0,551 |
0,604 |
0,647 |
0,689 |
0,693 |
0,703 |
0,7 |
0,707 |
0,711 |
0,718 |
UCE=10V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IB [uA] |
1 |
40 |
80 |
120 |
160 |
200 |
240 |
280 |
320 |
IC [mA] |
0,04 |
3,18 |
7,59 |
12,58 |
18,39 |
25,1 |
31,4 |
38,7 |
47,8 |
UBE [V] |
0,555 |
0,66 |
0,675 |
0,682 |
0,671 |
0,662 |
0,659 |
0,645 |
0,63 |
Charakterystyki wyjściowe iE(uEC) w połączeniu inwersyjnym
IB=100uA |
|
|
|
|
|
IE [mA] |
0,75 |
0,79 |
0,83 |
0,96 |
1,58 |
UEC [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
IB=300uA |
|
|
|
|
|
IE [mA] |
2,76 |
2,9 |
3,06 |
3,46 |
5,63 |
UEC [V] |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Wyznaczanie napięcia Early'ego dla zakresu aktywnego z charakterystyk iC(uCE)
W celu wyznaczenia napięcia Early'ego (UCE) należy pomierzyć charakterystyki statyczne na wyjściu. Dla tranzystora rzeczywistego pracującego w zakresie aktywnym normalnym gdzie zostaje pominięty prąd ICE0 istnieje niżej opisany wzór.
Aby wyznaczy owe napięcie należy przedłużyć charakterystyki tak aby przecięły się z osią UCE. Na rysunku możemy odczytać iż wartość dla zakresu aktywnego normalnie opisana
jest w przedziale od około -51[V] do -60[V], z kolei dla inwersyjnego
od około -13[V] do -18[V].
Zależności współczynnika β od prądu w kolektorze
Po zmierzeniu charakterystyk statycznych iC(iB) możemy wyznaczyć współczynnik wzmocnienia β w zależności od stałego prąd w kolektorze. Jest on zdefiniowany wzorem,
z powodu nieliniowości charakterystyki współczynnika.
∆IB [uA] |
19 |
75 |
80 |
70 |
100 |
100 |
100 |
130 |
∆IC [mA] |
1,321 |
7,006 |
8,18 |
8,55 |
12,57 |
12,92 |
13,4 |
16,9 |
|
69,526 |
93,413 |
102,25 |
122,143 |
125,7 |
129,2 |
134 |
130 |
Wyniki pomiarów dla uCE = 3V
Wyznaczanie elementów macierzy [h]e:
Macierz należy wyznaczyć w punkcie pracy, która to leży w zakresie aktywnym normalnym,
dzięki czemu możemy określić wartości mało sygnałowych parametrów tranzystora, dla niskich częstotliwości.
Przykładowy punkt pracy:
iB=250μA
iC= 28,5mA
uCE=3V
uBE= 0,707V
ΔuBE = 0,711V-0,700V= 0,011V
ΔiB = 300μA -200μA =100μA
h11e = 110[Ω]
h11e - jest to zwarciowa rezystancja wejściowa tranzystora
ΔuBE= 0,711V-0,700V= 0,011V
ΔuCE= 10V-3V=7V
h12e = 0,002
h12e - współczynnik oddziaływania wstecznego
ΔiC= 35,5mA-22,1m)= 13,4mA
ΔiB = 300μA -200μA =100μA
h21e = 134
h21e - zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego
ΔiC= 35,5mA-22,1mA)= 13,4mA
ΔuCE= 10V-3V=7V
h22e = 1,914
[S]
h22e - rozwarciowy współczynnik konduktancji wyjściowej
Wyznaczanie wartości trans konduktancji gm
Wartość trans konduktancji można wyznaczyć metodą przyrostów z pomierzonej statycznie przejściowej charakterystyki prądowo-napięciowej iC(uCE)
ΔiC= 35,5mA-22,1mA= 13,4mA
ΔuBE= 0,711V-0,700V)= 0,011V
Wyznaczane wartości współczynnika βI
Tranzystor pracujący w zakresie aktywnym inwersyjnym charakteryzuje się znacznie gorszymi właściwościami niż w aktywnym normalnym. Wartości te wynikają z konstrukcji tranzystora rzeczywistego. Dla zakresu aktywnego inwersyjnego współczynnik wzmocnienia βI jest zdefiniowany następująco:
iE= 0,83mA
iB=100μA
βI= 8,3
Należy pamiętać iż współczynnik ten wyznaczamy przy napięciu UEC=3V
Możemy zauważyć iż współczynnik ten jest znacznie mniejszy od wartości β
co spowodowane jest konstrukcją tranzystora rzeczywistego.
WNIOSKI
Jak możemy zaobserwować charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego wyznaczone podczas ćwiczeń swym kształtem przypominają charakterystyki teoretyczne co świadczy o poprawnie wykonanym ćwiczeniu.
Jednak pewne odstępstwo od teorii możemy zauważyć przy charakterystyce wejściowej iB(uBE) gdzie większe napięcie uCE powoduje znaczne zwiększenie prądu bazy niż przy mniejszych napięciach uCE.
W przypadku połączenia inwersyjnego charakterystyki wyjściowe są podobne do tych na wyjściu w normalnym układzie pracy w przedziale od 0V do 5V.
Po przekroczeniu tej wartości możemy zauważyć gwałtowny wzrost prądu emitera przy niewielkim wzroście napięcia na emiterze-kolektorze.
T1
EC
EB
μA
mA
V
V