Wzór Einsteina = =26mV ; jest to zależność łącząca ruchliwość ze współczynnikiem dyfuzji Czas życia nośników (mniejszościowych nadmiarowych) tzn. dziur w obszarze n lub elektronów w obszarze p , jest to taki przedział czasu po którym nadmiarowa koncentracja tych nośników maleje 1/e razy w stosunku do wartości początkowej ∆n(t)=n0 exp(-τ/τn) Charakterystyki diod tunelowych Si, Ge, GaAs Podział pola charakterystyk wyjściowych Układ OB. Układ OE. 1-zakres odcięcia, 2-zakres pracy, 3-zakres nasycenia 4-zakres mocy admisyjnej, Wpływ temperatury na konduktywność Pole wbudowane Ewo= ; Emax = ND XN 4 Pojemność złączowa C^*j=A ; Cj=A 40 nF/cm^2 Pojemność dyfuzyjna C^*α = = τ= W^2B istnieje tylko przy polaryzacji w kierunku przewodzenia Małosygnałowy schemat zastępczy diody Ru-rezystancja upływu Rsz- rezystancja szeregowa rr-rezystancja różniczkowa	Schemat pomiarowy h11 , h21 Schemat pomiarowy h12 , h22 Parametry hybrydowe Charakterystyki w układzie OB.	Charakterystyki w układzie OE Charakterystyki w układzie OB. Charakterystyki w układzie OE. schemat zastępczy dla układu OE (z par. hybryd) schemat zastępczy dla układu OB
Przebieg prądów zerowych w f-cji kolektora: ICBO<ICES<ICER<ICEO ICEO=ICBO+βNICBO=(1+βN) ICBO≈ βNICBO βN - wzmocnienie prądowe tranzystora Zależność koncentracji od temperatury: Zależność energii Fermiego od temperatury: Typu n : WF-Wi=kT*ln(ND/ni) nad środkiem pasma Typu p : WF-Wi=kT*ln(ni/NA) poniżej środka pasma F-cja Fermiego - prawdopodobieństwo obsadzenia określonego poziomu o energii W przez elektron lub dziurę. Napięcie dyfuzyjne: Napięcie przebicia: Model zastępczy diody pojemnościowej Cj-pojemność złączowa Rs-rezystancja szeregowa Ru-rezystancja upływu Ls-indukcyjność szeregowa Co-pojemność obwodowa Małe częstotliwości duze częstotliwości Charakterystyki diod: zwrotnej, ostrzowej, Schottky'ego:	Dioda tunelowa: UFP - napięcie przewodzenia, przy którym prąd dyfuzji jest równy Ip rd - rezystancja dynamiczna Prądy zerowe są to najmniejsze prądy które mogą płynąć przy polaryzacji w kierunku zaporowym złącza. Szerokość warstwy zaporowej: ld≈0,3µm Gęstość prądu unoszenia: τu=q(mµn+pµp)E E- natężenie pola w jakim znajduje się kryształ - półprzewodnik. fB=1/2Лτu fα=βfB fτ=ωτ/2Л f1=ω1/2Л ω1=pulsacja przy której moduł wzmocnienia prądowego maleje do jedności ωτ=pole wzmocnienia teoretycznie ωτ= ω1 w rzeczywistości ωτ<ω1 fmax= βf fτ=1/2Лτp Parametry Z Z11=u1/i1|i2=0 impedancja wejściowa Z12=u1/i2|i1=0 impedanca zwrotna Z21=u2/i1|i2=0 impedancja przejsciowa Z22=u2/i2|i1=0 impedancja wyjściowa Rozwarcie realizowane jest przez ustawienie cewki szeregowo w obwód U=0 Zwarcie realizowane jest przez wstawienie kondensatora równolegle i=0 µn=qFzd/mn^* Fzd=średni czas zderzeń z atomami Dn Dp µn µp cm^2/s cm^2/s cm^2/vs cm^2/vs Ge 100 50 9900 1900 Si 35 12,5 1350 480 GaAs 220 10 8500 400 D-współczynnik dyfuzji µ-ruchliwość Ruchliwość: Zależność ruchliwości nośników od temperatury:	Wykres funkcji Fermiego w funkcji temperatury Droga dyfuzyjna - odległość na której koncentracja dyfundujących i rekombinujących nośników maleje e-krotnie Prąd diody I=IS(exp -1); IS=qA( Pn0 + np0); IS=q n^2i ( + ) ; I 2 μA Częstotliwości graniczne fβ<fτ<fl<fα<fmax fα , fβ - czestotliwości przy których moduły wzmocnienia maleją do wartości fα= gdzie tp to czas życia nośników w obszarze bazy

-U_CB[V]

10V

I_E=0

I_E=0,5mA

I_E=1mA

1V

U_EB[V]

Charakterystyka oddziaływania wstecznego (OB)

I_E[mA]

I_C[mA]

I_E

I_CBO

I_C1

I_C2

U_CB=-10V

U_CB=-20V

Charakterystyka przejściowa (OB)

I_E=0

I_E=1mA

I_E=2mA

I_E=3mA

I_C[mA]

-U_CB[V]

Charakterystyka wyjściowa (OB)

Charakterystyka wejściowa (OB)

U_EB[V]

I_E[mA]

U_EB

I_E1

I_E2

U_CB<0

U_CB=0

1V

ln(δ_n)

1/T

4

3

2

1

I_E=const.

-U_CE[V]

I_C[mA]

0

2

I_E=const.

1

4

3

I_C[mA]

-U_CB[V]

0

I[mA]

U[V]

2,0

1,0

0,8

0,4

0

GaAs

Si

Ge

Charakterystyka wejściowa (OE)

U_CE=0

U_CE<0

U_BE1

U_BE2

I_B

I_B[uA]

-U_BE[V]

Charakterystyka wyjściowa (OE)

I_C[mA]

I_B=0

-U_CE[V]

I_B=5uA

I_B=10uA

I_B=15uA

Charakterystyki przejściowe (OE)

I_B

I_CE0

I_C2

I_C1

U_CE=-20V

U_CE=-10V

I_C[mA]

I_B[uA]

Charakterystyka oddziaływania wstecznego (OE)

1V

U_BE[V]

-U_CE[V]

I_B=15uA

I_B=5uA

I_B=0

100

900

T[K]

ρ[Ωm]

Cu

10^-12

10^-8

10^-4

Zależność rezystywności od temperatury

Zależność rezystywności od temperatury

ρ[Ωm]

1

10⁴

100

200

300

900

T[K]

Si

10^-4

1

0,5

f_p(…)

~e

-5 W=W_F 5

1

0,5

-5 0 5 5

f_n(…)

T[K]

µ_{n (m}²/vs

10^-2

2

1,5

1

0,5

0

100 200 300 400 500

µ_n~T^-2,6

I

U

U_VP

I_p

I_V

U_p

U_V

~1/r_d

zwrotna

0,2 0,4 0,6

U[V]

Schottky'ego

I

ostrzowa

Termiczna generacja par elektron-dziura

Jonizacja atomów domieszek

T [K]

10²¹

0

100 200 300 400 500

n [m^-3]

-U [V]

I_CBO

I_CES

I_CER

I_CEO

---