.............................................................................................................................. 02.06.2009r.
Imię i nazwisko, nr indeksu
Test zaliczeniowy z EEA sem. 6 AiR
1. Zaznacz w tabeli poprawną odpowiedź
|
Odpowiedź |
|
Zachowanie układu |
Tak |
Nie |
zwiększanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora w stanie aktywnym |
|
|
zwiększanie rezystancji RB może doprowadzić do przejścia nasyconego tranzystora w stan aktywny |
|
|
zastąpienie tranzystora pracującego w stanie aktywnym elementem o mniejszym wzmocnieniu β może spowodować wejście tranzystora w stan nasycenia |
|
|
w stanie aktywnym złącze baza-kolektor jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia |
|
|
zmniejszanie rezystora Rc może doprowadzić nasycony tranzystor do przejścia w stan aktywny |
|
|
|
3. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor bipolarny najlepiej pełni rolę załączonego łącznika w stanie aktywnym / nasycenia.
Tranzystor w stanie aktywnym modelowany jest źródłem napięcia / prądu sterowanym napięciem/prądem bazy.
W stanie odcięcia napięcie kolektor-emiter jest równe 0 / jest różne od 0
W stanie aktywnym prąd kolektora nie zależy/ zależy od prądu bazy
W stanie nasycenia prąd kolektora jest większy/ mniejszy niż β IB . |
4. Poniższy rysunek przedstawia układ z tranzystorem bipolarnym z obciążeniem RL . Naszkicuj przebiegi Uce - napięcia kolektor- emiter i Ic prądu kolektora. Oblicz wartość prądu IC w chwili T1
W jakich stanach pracy znajduje się tranzystor w chwilach T1, T2.
Ic(T2)=
stan T1.......................................................
stan T2.......................................................
5. Narysuj układ ze wzmacniaczem operacyjnym w konfiguracji wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu 3.
|
|
7. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: We wzmacniaczu operacyjnym pracującym w układzie z dodatnim sprzężeniem zwrotnym napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym są różne / równe .
W idealnym wzmacniaczu operacyjnym z ujemnym sprzężeniem zwrotnym pracującym jako wzmacniacz odwracający, napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym mają równe wartości / te same wartości ale przeciwne znaki.
W rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym pracującym z dodatnim sprzężeniem zwrotnym różnica napięć między wejściem odwracającym i nieodwracającym zależy / nie zależy od napięcia zasilania . |
8. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem .
Tranzystor IGBT jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem .
Charakterystycznym parametrem dla tranzystora IGBT pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia
Charakterystycznym parametrem dla tranzystora MOSFET pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia
|
9. Poniższy rysunek przedstawia generator pojedynczego impulsu oraz przebiegi czasowe jego sygnałów podczas pracy. W jakich stanach pracy znajduje się tranzystor w odcinkach czasu oznaczonych 1,2,3,4.
1-.........
2-.........
3-.........
4-.........
A-stan aktywny, N-stan nasycenia, O- stan odcięcia
10. Skreśl fałszywe fragmenty zdań:
Efekt Millera występujący w wyłączanym tranzystorze MOSFET ma charakter ujemnego /dodatniego sprzężenia zwrotnego.
Efekt Millera występujący w wyłączanym tranzystorze MOSFET ułatwia /utrudnia załączanie tranzystora.
Efekt Millera występujący w wyłączanym tranzystorze MOSFET ułatwia /utrudnia wyłączanie tranzystora.
U
WE
R
b
R
C
I
c
B
C
E
GND
E
UŁ
UCE
b)
a)
IC
IŁ
0
0
0
UWE
t
UWY
t