Zespół Szkół nr 9 w Koszalinie Pracownia Elektryczna
Data oddania ćwiczenia 24.02,2012
Kl. 3a
Nr w Dz. 22
Data wykonania ćwiczenia: 22,02,2012

1. Cel ćwiczenia

Zapoznanie się z budową, zasadą działania i podstawowymi parametrami układów wejściowych , zapoznanie się metodami badania takich układów.

2. Wiadomości teoretyczne

Jedną z dziedzin o najszerszym zastosowaniu tranzystorów są wzmacniacze małej częstotliwości.

Cechy, jakie ma tranzystor, zdecydowały o jego przewadze nad lampę elektronową zastosowaniu do wzmacniaczy małej częstotliwości.

Należy do nich przede wszystkim: małe wymiary, brak żarzenia, praca przy bardzo niskich napięciach zasilania, duża sprawność, zupełny brak zjawiska mikrofonowana i przy dźwięku itp. Tranzystor ma jednak i wady, z których najważniejszą jest zależność parametrów od temperatury oraz duży rozrzut

parametrów poszczególnych egzemplarzy. Jednakże wady te nie są groźnie, gdyż można je zmniejszyć przez odpowiednie zaprojektowanie układu (ujemne sprzężenie zwrotne, wybór odpowiedniego układu itp.)

3. Pomiar rezystancji wejściowej :

Wtórnik emiterowy

Pomiar rezystancji wejściowej z uwzględnieniem rezystorów polaryzujących bazę tranzystora Rbw

OC	Rrw	20 k	51 k
	Re	1k	2k
	Iwe[A]	0.87m	0,87m
	Rwe[KOhm]	1,15k	1,15k

Rwe= Uwe/Iwe= 1v/0,87mA=1,15kΩ

Pomiar rezystancji wejściowej z pominięciem rezystorów polaryzujących bazę tranzystora Rbw.

OC	Re	1k	2k
	Iwe µA	0,43	0,27
	KΩ	2,32	3,7

Układ Darlingtona

Super alfa	Rbd	1MΩ	2MΩ
	Re	1kΩ	2kΩ
	]Iwe [µA]	0,24	0,24
	Rwe [kΩ]	4,16	4,16

Układ Bootstrap

Bootstrap	Rbd	1MΩ	2MΩ
	Re	1kΩ	2kΩ
	]Iwe [µA]	0,1	0,1
	Rwe [kΩ]	1M	1M

4 . Pomiar rezystancji wyjściowej

Wtórnik emiterowy

OC	Rrw	20 k	51 k
	Re	1k	2k
	Iwy0[A]	0,79m	4,4m
	Rwy[kOhm]	1,26k	2.27k

Układ Darlingtona

Super alfa	Rbd	1MΩ	2MΩ
	Re	1kΩ	2kΩ
	Iwy0	6,4m	3,5m
	Rwy	2,4k	2,85k

5. Pomiar wzmocnienia napięciowego Ku

Wtórnik emiterowy

OC	Rrw	20 k	51 k
	Re	1k	2k
	Uwy v	0,31	0,32
	Ku v/v	0,31	0,32

Układ Darlingtona

Super alfa	Rbd	1MΩ	2MΩ
	Re	1kΩ	2kΩ
	Uwy v	0,31	0,33
	Ku v/v	0,31	0,33

6. Pomiar Wzmocnienia prądowego Ki

Wtórnik emiterowy

OC	Rrw	20k	51k
	Re	1k	2k
	Iwe mA	0,32	0,3
	Uwy mV	0,37	0,35
	Iwy	0,37µ	0,185µ
	Ki	0,001156A/A	0,0006166A/A

Układ Darlingtona

OC	Rrw	20k	51k
	Re	1k	2k
	Iwe µA	0,66	0,65
	Uwy mV	3	3,1
	Iwy	3µ	1,55µ
	Ki	4,54	2,38

Układ Bootstrap

OC	Rrw	1M	2M
	Re	1k	2k
	Iwe µA	0,9	0,65
	Uwy V	1	1
	Iwy	1m	0,5m
	Ki	111,1	769,2

7. Pomiar charakterystyki przejściowej (dynamicznej) Uwy = f (Uwe) wtórnika emiterowego

Uwe	10	20	50	100	200	500	1000	1500	2000	2500	3000
Uwy	9,95	19,4	49,9	98,9	199,9	500	1000	1500	1950	2450	2920

Uwy

Uwe

8. Wnioski

1. Podczas pomiaru rezystancji wejściowej Rwe można zauważyć że te wszystkie układy mają dużą Rwe rzędu kilku kΩ ale największą ma układ typu bootastrap .

2. Podczas pomiaru rezystancji wyjściowej Rwy zauważamy że oba układy mają podobną Rwy lecz układ Darlingtona ma ją większą .

3. Podczas pomiaru wzmocnienia Napięciowego Ku zauważamy że wzmocnienie obu układów jest bardzo małe , mniejsze ma układ OC.

4. Podczas pomiaru wzmocnienia prądowego Ki zauważamy że układ OC i układ Darlingtona mają małe wzmocnienie a układ Bootstrap AM bardzo duże wzmocnienie .

5. Podczas pomiaru charakterystyki przejściowej (dynamicznej) Uwy = f (Uwe) wtórnika emiterowego zauważamy że wraz ze wzrostem Uwe Napięcie Uwy wzrasta tworząc na wykresie linię prostą .

Programy pomocnicze :

-Microsoft Word 2010

- Adobe Reader

-Microsoft Excel

- Mozilla Firefox

- Grapher 8